排序方式: 共有44条查询结果,搜索用时 31 毫秒
21.
一种分析高速MCM电路中同步开关噪声的方法 总被引:8,自引:0,他引:8
提出了一种分析高速MCM电路系统中电源/接地板上同步开关噪声的方法,即基于部分元等效电路(PEEC)结合块缩减算法PRIMA和多端口网络(电源/接地板)的时域宏模型,通过与平面电路解析公式的结果比较和实例分析高速MCM电源/接地板上同步开关噪声,结果表明,该方法具有参数提取简单、高效率、高精度的特点。 相似文献
22.
采用自由空间光互连的光电多芯片组件结构,按其所采用的光学器件的物理性能约束条件,提出了一种新的互连布局算法,该算法针对采用CGH的FSOI系统中物理结构的特点进行建模,双蝴蝶网络计算机模拟布局结果表明,同递归最大-最小匹配算法、递归模拟淬火算法等其他算法相比,文中提出的算法对互连布局的性能有明显改善。 相似文献
23.
提出了一种新的多导体传输线的通用T型单元模型,并在此模型的基础上提出了一种新方法来研究MCM互连线的瞬态响应。将非均匀,耦合,有耗多导体传输线分段,每段由一频域的GTC模拟,根据GTC的ABCD矩阵得出多导体的ABCD矩阵,接着将其麦克劳林展开式嵌入网络的修改节点方程并求得电路的频域冲击响应,利用指数衰减多项式(EDPF)求得时域冲击响应,最后利用递归卷积法求得任意激励下的电路响应。本算法的效率与 相似文献
24.
MCM互连延时宏模型和物理参数 总被引:1,自引:0,他引:1
该文给出了MCM互连延时的宏模型.用此宏模型研究了延时与MCM互连物理参数的关系,得出芯片之间的平均距离、负载数是影响MCM性能的重要参数. 相似文献
25.
提出了一种利用梯度升压方式,对MCM-41材料进行水热晶化合成高水热稳定性MCM-41介孔材料的新方法.研究表明:在100℃恒温的Ar气氛下,通过分段提升Ar压力,经常压24h、1.2 MPa 24h和1.6MPa 24h三梯度过程晶化合成的样品,在保持很好初始介观结构同时,水热稳定性大幅度提升.该焙烧样品经100℃沸水回流12h后,仍能保持很好的介观结构,仍有高达822m2/g的比表面积与0.65cm3/g的孔体积;而非压力晶化的MCM-41样品,经相同100℃沸水回流12h后,其介观结构完全崩塌,比表面积只有129m2/g.IR羟基谱和29Si NMR显示:与非压力晶化样品相比,梯度压力晶化样品的表面羟基明显减少,一部分Si(OSi)2(OH)2和Si(OSi)3OH已缩聚形成了更稳定的Si(OSi)4结构,表明对MCM-41无定型孔壁施加外部高压可促使MCM-41无定形孔壁更好交联.另还分别研究了外加Ar压力大小、晶化时间、梯度升压方式对MCM-41材料水热稳定性的影响.方法操作简单、经济、高效,可在无需添加其他改良剂、保持原有介观结构和化学性质情况下,制备出高质量、高水热稳定性的MCM-41材料. 相似文献
26.
研究了掺杂铁、镍的MCM-41介孔分子筛.在碱性条件下,以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂,选用水热合成法,合成了MCM-41介孔分子筛.本实验选用了三价铁、二价铁、二茂铁、二茂镍作为掺杂体.采用了扫描电镜、X射线衍射对掺杂三价铁的MCM-41分子筛进行了扫描和表征.结果表明,已合成了掺杂铁、镍的MCM-41介孔分子筛,呈圆形孔道结构,介孔分布在颗粒中,在低角度区具有明显的衍射峰. 相似文献
27.
军事概念模型建模实践分析与研究 总被引:2,自引:1,他引:1
军事概念模型是在吸取美军任务空间概念模型概念和技术的基础上,根据我军作战仿真实际特点提出的.它是作战仿真软件开发的阶段性成果,又是作战仿真软件开发过程的可视化显示.首先通过对实际军事概念模型建模实例的分析,给出了在军事概念模型中存在的一些共性问题.在此基础上针对问题提出了军事概念模型建模中应把握的原则和相应的军事概念建模过程,以期提高军事概念的建模质量. 相似文献
28.
晶化温度及pH值调节对中孔MCM—41分子筛合成的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在SiO2-Na2O-C16TMA-H2O四元水热体系中,借助XRD及N2吸附等温线等测试手段详细考察了晶化温度的变化对中孔MCM-41分子筛合成的影响,实验结果表明,随晶化温度的提高,产物XRD主衍射射峰向2θ角的低角方向移动,孔壁硅盐的聚合度增大,孔壁厚度增加,这在一定程度上将有利于产物热稳定性的提高。但由于作模板剂的表面活性剂分子聚集体形成的胶团因晶化温度的提高而发生变形或部分破坏,进而侃产 相似文献
29.
封装技术的发展特点及趋势 总被引:1,自引:0,他引:1
随着微电子产品,特别是便携式装置,汽车电子和消费类电子产品轻,薄,短,小化的发展,并基于成本,性能和可靠性等方面的考虑,本文通过对各类封装技术的特点比较,阐述了圆片级封装技术(WLP)的优势,在当前封装领域所占的重要位置,以及在未来的几年中会继续保持很高的增长速度,在低中等I/O端数的IC封装市场中,将会占据越来越大的份额。 相似文献
30.
Ti-MCM-41制备及其催化性能 总被引:2,自引:1,他引:2
在低温强酸条件下制备了Ti掺杂的介孔材料Ti-MCM-41。经SEM,XRD,IR表征,该材料具有规则的晶体结构。同时研究了Ti-MCM-41在液相中氧化苯胺的催化行为,讨论了催化剂及反应条件对反应的影响。结果表明,在Ti-MCM-41作为催化剂时,双氧水和叔丁基过氧化氢可将苯胺氧 氧化偶氮苯和偶氮苯。 相似文献