低噪声放大器的仿真设计

介绍了一种利用ADS仿真软件设计低噪声放大器的方法。先总体阐述了低噪声放大器的主要技术和性能指标,然后在采用AVAGO公司的ATF-34143晶体管的基础上,根据低噪声放大器的各项指标来同步进行电路的设计、优化和仿真,最后使得低噪声放大器的设计结果达到设计初期的期望值,并成功地完成了低噪声放大器的电路设计。     

一款工作于2.4 GHz频段的带有源负载的高性能双平衡有源混频器

对带有源负载的CMOS双平衡Gilbert有源混频器的1/f噪声、线性度与转换增益进行深入分析。这款采用PMOSFETs做负载的混频器工作于2.4 GHz频段。为降低混频器的1/f噪声, 利用双阱工艺中的寄生垂直NPN晶体管作为开关, 同时在PMOSFETs处并联最低噪声的分流电路作为负载。运用在PMOSFETs处的高性能运算放大器, 不仅为零中频输出提供了合适的直流偏置电压, 以避免下级电路的饱和, 并能够为混频器提供足够高的转换增益。同时, 在输入跨导(G_m)级电路中采用电容交叉耦合电路能够将转换增益进一步提高。为了增加混频器的线性度, 采用共栅放大器作为输入跨导级电路。这款混频器采用TSMC 0.18m 1-Poly 6-Metal RF CMOS工艺, 在1.5 V电源电压、3 mA的电流消耗下获得了17.78 dB的转换增益、13.24 dB的噪声因子和4.45 dBm输入三阶交调点的高性能。     

低噪声放大器通过匹配网络的ESD保护设计

将GaAs PHEMT工艺设计应用于北斗卫星导航的LNA电路, 工作频率为2.45 GHz, 噪声系数为0.55 dB, 并在输入输出的匹配网络上添加ESD保护。通过使用ADS2011进行仿真, 对比分析有ESD保护的电路与没有ESD保护的电路, 得到以下结论: 虽然考虑ESD保护使电路的性能有一些下降, 如增益从16 dB下降到15 dB, 但噪声系数几乎没有变化; 加入ESD保护后, 可以极大地提高电路整体的性能和鲁棒性, 使电路能够很好地抵抗静电干扰。     

2.2～2.4GHz低噪声放大器的设计与仿真

<正>低噪声放大器(LNA)的主要作用是将接收机系统接收到微弱信号放大,并降低噪声干扰,以供系统解调出所需信号。LNA位于接收系统前段,其性能直接决定了接收机性能的优劣,影响接收机的灵敏度和系统噪声。随着无线通信技术的发展,LNA的应用越来越广泛,而由于LNA在接收机系统中处于至关重要的地位,人们对其噪声要求和增益等参数指标的要求也越来越高。但在实际设计中,LNA的参数指标往往都是相互牵制、相互影响甚至相互矛盾的,如何兼顾各项指标以满足设计目标是一个需要权衡的重要问题。本文,笔者基于LNA的     

2.4 GHz频段射频前端高线性度SiGe低噪声放大器设计

为满足高性能射频前端接收部分对高线性度的需求，基于SiGe BiCMOS工艺设计并实现了一款工作在2.4 GHz频段的高线性度低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）.该放大器采用Cascode结构在增益与噪声之间取得平衡，在Cascode结构输入和输出间并联反馈电容，实现输入端噪声与增益的同时匹配.设计了一种改进的动态偏置有源电流镜以提升输入 1 dB压缩点及输入三阶交调点的线性度指标.为满足应用需求，LNA与射频开关及电源模块集成组成低噪声射频前端接收芯片进行流片加工测试.测试结果表明：在工作频率2.4 ~2.5 GHz内，整个接收芯片增益为14.6 ~15.2 dB，S11、S22<-9.8 dB，NF<2.1 dB，2.45 GHz输入1 dB压缩点为-2.7 dBm，输入三阶交调点为+12 dBm.芯片面积为1.23 mm×0.91 mm.该测试结果与仿真结果表现出较好的一致性，所设计的LNA展现出了较好的线性度表现.