一元P分布密度函数的统一

给出了两种不同形式的一元P分布密度函数的等价性证明，讨论了两种形式的特点及其对测量平差理论的影响，并提出有关的符号建议。     

遮光和栽培密度对石蒜生长及切花品质的影响

采用裂区设计研究遮光程度和栽培密度对石蒜地上部分生长状况及切花品质的影响。结果表明:(1)遮光程度对石蒜营养生长的影响不显著,因石蒜可通过提高叶绿素b的含量来适应弱光条件,但遮光程度对石蒜生殖生长和切花品质的影响显著,以60%遮光处理有利于提高切花品质,尤其是花茎长度;(2)栽培密度对石蒜营养生长的影响不显著,对切花品质的影响较大,以15cm×10cm切花数量最大,15cm×20cm切花品质最好。     

UO分子结构与势能函数及基态分子热力学性质

在U的相对论有效原子实势近似和O原子6 311G 全电子基函数下,用密度泛函B3LYP方法计算得到UO分子的结构与势能函数、力常数与光谱数据.同时计算得到UO基态X7∑分子在298K时的标准生成热力学函数ΔfH0、ΔS0和ΔfG0,分别为490.432kJ/mol,106.204J/mol·K和458.768kJ/mol.     

邻二氮杂苯-水复合物氢键结构的理论研究

用直接密度泛函理论B3LYP方法对邻二氮杂苯-水复合物基态的氢键结构与相互作用能进行了理论计算，结果表明复合物之间存在较强的氢键N…H—O相互作用，在复合物中，水的H—O对称伸缩振动频率明显红移，计算结果与实验值吻合较好．     

基于最小方差控制的闭环辨识信号设计

讨论了系统辨识实验信号的设计方法．从实际控制器和理想控制器间误差的角度出发，评价系统性能指标为系统在实际和在理想控制器控制下输出误差的平方均值最小．当输入信号或输出信号能量有限时，分别推导出辨识输入信号功率谱密度．当控制策略为最小方差控制时，给出信号功率谱的具体表达式．结论对在最小方差控制下的闭环辨识信号设计有指导作用．     

H与CF3O2自由基反应的理论研究

用从头算(ab initio)方法和密度泛函理论(DFT)对H与CF3O2自由基的反应进行了研究，在HF／6-31G。和B3LYP／6-31G基组水平上，对该反应过程中可能出现的中间体和过渡态的构型及能量进行了优化，并分析了反应过程中生成的产物，对各过渡态，利用内禀反应坐标IRC来进行验证，在B3LYP／6-31G构型优化的基础上，用B3LYP／6-311G和B3LYP／6-311 G计算了反应过程中各物种的总能量和相对能量，根据相对能量绘制的势能剖面图直观地反映了H CF3O2的反应机理，由势能面得出，反应生成CF3O和OH的历程最容易发生，这与实验事实是一致的.     

穿龙薯蓣高产栽培技术研究

主要通过穿龙薯蓣(Dioscoreanipponica)的栽植密度试验及栽植深度试验,用方差分析及多重比较的方法来寻找穿龙薯蓣高产栽培技术。经过试验分析,最佳栽植密度为20cm×50cm,最适栽植深度为5cm～10cm。     

硅甲基亚胺与水亲核加成反应机理的理论研究

采用量子化学从头算和密度泛函方法在HF/6-31G**及B3LYP/6-31G**水平上对硅甲基亚胺与水间的亲核加成反应机理进行了理论研究.利用能量梯度法对反应途径上各驻点的几何构型进行了优化,对过渡态进行了振动分析确认.结果表明:该反应为一由两步基元过程所构成的复杂反应,两反应物首先经过一无势垒过程形成中间体复合物,该复合物经过四元环过渡态形成产物,第二步过程的活化势垒为1.67kJ·mol-1(B3LYP/6-31G**).总反应为强放热过程.     

激光相干控制光电流的密度矩阵表述

用以密度矩阵微扰论为理论基础的Feynman图形技术分析了相干控制光电流和光学整流的物理实质, 说明它们分别来源于密度矩阵对角元和非对角元对应的“实”和“虚”跃迁; 从极化的角度来讲, 两者又分别对应于带内极化和带间极化. 从时域和频域两个角度分别阐明了相干控制光电流在超短激光脉冲激发下的时间演化情况以及对频率的依赖关系, 并且由光生载流子在动量空间的分布进一步说明带内极化是相干控制光电流产生的原因.     

荷电对单壁碳纳米管稳定性的影响

采用基于密度泛函理论的DMol3程序对荷电的短开口单壁碳纳米管进行了结构优化计算. 结果表明, 体系的总能量随荷电量按抛物线规律变化, 体系的最高占据分子轨道能量随荷电量按线性规律变化, 碳管荷一定量负电荷时总能量最低, 碳管具有正的电子亲合势, 荷一定量负电荷的单壁碳纳米管比电中性的单壁碳纳米管结构更稳定. 荷电量较小时, 单壁碳纳米管的原子结构随荷电量的变化很小, 忽略碳管原子结构的变化仍能得到体系的总能量和最高占据分子轨道能量随荷电量变化的正确定性结果. 荷电量较大时, 开口单壁碳纳米管的端口原子结构首先受到影响, 形成喇叭口形状. 随着荷电量的增加, 碳管端口的原子结构将变得不稳定, 最终导致碳管原子结构的破坏.