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101.
阐述螺旋相位滤波实现图像边缘增强的原理及其国内外研究现状,分析几种螺旋相位实现边缘增强效果,同时对螺旋相位滤波器的应用发展趋势进行展望.  相似文献   
102.
MIMO雷达作为一种新型的雷达体制,其成像兼具实时性和高分辨率的特点,为了充分发挥MIMO雷达在成像方面的优势,提出一种高分辨率的MIMO雷达成像算法.首先将MIMO雷达成像过程分为距离向脉冲压缩和方位向聚焦成像两个过程,采用多波形自适应脉冲压缩技术(MAPC)实现距离向脉冲压缩和发射波形分离,然后在MIMO雷达虚拟阵列端利用超分辨率空间谱估计方法(RISR)进行方位向聚焦成像,得到了观测区域的距离—角度二维高分辨率的成像结果.理论分析表明,与已有的MIMO雷达自适应成像算法相比,所提方法降低了算法复杂度,提高了运算效率.仿真实验验证了所提MIMO雷达成像算法的有效性与优越性.  相似文献   
103.
人脸识别技术是生物识别技术领域内的一个分支,是继指纹识别之后最受关注的一项生物技术,但是目前也出现伪装人脸行为进行欺诈,这种对合法用户人脸的假冒行为已经成为人脸识别与认证系统的重要威胁。当前活体人脸检测技术主要集中在人脸细微动作、3D人脸重建、红外人脸检测三领域的研究上,该文主要浅析这三类检测技术的原理,并总结分析了各技术的特点及优劣。  相似文献   
104.
<正>2014年的诺贝尔生理学或医学奖颁给了爱尔兰裔美国暨英国籍神经科学家约翰?奥基夫教授,以及挪威心理学家、神经科学家爱德华?莫泽与迈?布利特?莫泽教授夫妇,以表彰他们的重要发现:发现构成大脑定位系统的细胞,即位置细胞与网格细胞的发现。在1971年,当时还非常年轻的奥基夫教授发明了多通道在体记录技术,在动物活体的情况下,把电极插到动物的大脑中,可以看到电位的变化。当时奥基夫把电极插入到大鼠海马的CA1部位,想观察神经元的活动。结果发现,在某个特定位置经过的时候,大鼠脑内CA1部位神经元活动频率非常高。神经元只是在这个特定位置放电,在其他的位置没有任何活动。所以奥基夫就想到,可能是位置  相似文献   
105.
文章简要阐释了功能性核磁共振成像技术(fMRI)的原理与设计,指出在同类脑成像技术中,fMRI具有无创性、极高的空间分辨率、能同时提供机能性和结构性图像等优势,已迅速成为心理学领域最受推崇的一种脑认知成像研究工具.本文同时总结了近15年来fMRI在我国心理学领域中的应用研究,并展望了该技术在具体研究中的新趋势.  相似文献   
106.
为了提高重力勘探中数据成像的效率,对地球物理勘探中的重力异常数据进行快速三维成像.在相关成像的理论基础上针对立方体元提出利用泰勒级数的算法,重新定义了异常值的计算模型,从而得到新的几何函数.该成像方法通过级数展开、积分等方式,减少了计算量和迭代次数.在理论模型试验中,证明了提出的方法具有良好的成像能力和抗噪性,并通过效率分析说明了该算法能够大幅缩短几何函数矩阵的计算时间,提高成像效率.对文顿盐丘地区的实测重力异常数据进行快速成像,地质体的位置能够被较好地显示出来,验证了算法的可行性.  相似文献   
107.
提出了一种由序列断层图像进行数字重建射线影像的快速射线跟踪算法。采用基于向量的射线跟踪算法,利用计算机体层摄影数据模拟人体组织对辐射线的吸收规律。算法仅有加法及减法运算,计算简便,不需要通过解方程获得相应交点,具有成像时间短、运算速度快等特点。对三维假体存储和检索算法进行了改进,可以实现在线DRR计算,提高了计算速度。最后,对初步得到的DRR影像做进一步数字处理,提高了实用价值。  相似文献   
108.
正质子磁矩实现迄今最高精度测量为了试图解决宇宙中缺失的反物质之谜,物理学家完成了迄今为止针对质子固有磁性的最精密测量。德国约翰尼斯·古登堡大学物理学家Andreas MooserAndreas Mooser等指出,一旦与反质子磁矩的直接测量相结合,这项工作将会为物质—反物质对称性的严格验证铺平道路。该项研究成果发表于5月29日出版的Nature上。  相似文献   
109.
<正>1本刊简介《解放军理工大学学报(自然科学版)》是自然科学类综合性学术期刊,双月刊。本刊主要刊登通信、计算机、工程、气象、数理等学科领域的优秀论文和技术报告等,主要栏目有:电子、通信与自动控制,计算机科学与技术,土木工程,大气科学·海洋科学,应用数学·应用物理学,运筹学与系统科学,光学工程,爆破工程,材料科学,机械工程,动力与电气工程,水利工程,交通运输工程,环境科学技术,等等s本刊不仅被国内主要文献数据  相似文献   
110.
基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了本征SnO2、SnO2:In、SnO2:Ga和SnO2:(In,Ga) 超晶胞模型并进行了几何结构优化,对其能带结构、 态密度、 电荷密度及光学性质进行了模拟计算. 结果显示,相比于SnO2:In和SnO2:Ga,SnO2:(In, Ga)的晶格常数更接近于本征SnO2,可有效降低SnO2材料掺杂体系的晶格畸变. SnO2中In、Ga的掺入能够增大材料的带隙值,且能带结构向高能方向移动,材料呈现典型的p型半导体特性. SnO2:(In, Ga)中,In与Ga掺杂原子和O原子的电子云呈现出共价键特性. 光学性能表明,SnO2:(In, Ga)晶体中,光子能量在0~2.45eV和大于6.27eV的范围内表现出良好的介电性能,在微型微电子传感器机械系统器件和高密度信息存储等方面具有良好的应用前景. SnO2:(In, Ga)在可见光范围内具有105cm-1数量级的吸收系数,能够强烈地吸收光能,在光电器件的吸收材料中具有潜在的应用前景.  相似文献   
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