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报道了自行设计的将二维Dammann光栅和Fresnel波带板集成为一体的同时具有分束和聚焦功能的二元位相型光分束器,并用等离子体增强化学汽相淀积法(PECVD)制备的非晶氨化硅(a-SiNx:H)薄膜制作了这样的元件,成功地实现了设计的功能,分束阵列为3×3,焦距18cm,分束后的光强分布相对误差小于5%. 相似文献
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报道了用于光寻址快速空间光调制器光敏层的氢化非晶硅pin光敏二极管的设计、制备及光电特性的研究,制得了符合光敏层要求的pin二极管。 相似文献
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通过对T-DMB(terrestrial-digital multimedia broadcasting)手机电视标准技术的研究,构建并实现了T-DMB编码器。该编码器主要包括声音/图像采集、声音压缩、图像压缩、音视频同步及外部编码等5个模块,采用VC编码实现,能实时采集麦克风和摄像头数据并作编码处理,生成符合T-DMB标准的传输数据流。测试结果显示该编码器可以稳定地完成相关编码工作,用DMBPlayer播放器能流畅地播放编码后的数据,基于该编码器可组建多媒体广播站。 相似文献
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在ZigBee协议的基础上,结合GSM短信技术设计了一种ZigBee开关系统。对系统的硬件部分作了设计,对路由节点和网关作了相应的软件设计,并通过终端节点结合继电器控制台灯的开关对系统的运行状况进行了测试。测试结果显示,通过手机向网关发送合适的短信命令可以成功地远程控制灯的开关状态。 相似文献
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针对可控硅(SCR)结构的静电放电(ESD)防护器件触发电压高、电压回滞幅度大以及开启速度慢等问题,设计了一种RC触发内嵌PMOS DDSCR(DUT3)器件.基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺制备了传统DDSCR(DUT1)、内嵌PMOS DDSCR(DUT2)和DUT3三种器件,利用传输线脉冲系统测试了它们的ESD特性.实验结果表明:与DUT1相比,DUT2触发电压从31.3 V下降至5.46 V,维持电压从3.59 V上升至4.65 V,具有窄小的电压回滞幅度.但是,由于DUT2内嵌PMOS常处于开态,导致DUT2器件漏电流高达10-2 A量级,不适用于ESD防护.通过在DUT2内嵌的PMOS栅上引入RC触发电路,提供固定栅压,获得的DUT3不仅进一步减小了电压回滞幅度,同时具有12.6 ns极短的器件开启时间,与DUT1相比,DUT3开启速度提高了约71.5%,漏电流稳定在10-10 A量级.优化的DUT3器件适用于高速小回滞窄ESD设计窗口低压集成电路的ESD防护. 相似文献