水热法制备四方相KTa0.6Nb0.4O3及其电导与光学性能的研究

利用水热合成法在温度180～240℃和KOH浓度7～18mol/L的条件下合成了四方相KTa0.6Nb0.4O3（KTN）超微粉.通过XRD、UV-Vis和电导率等的测试分析,对粉体的水热合成工艺和性能进行了系统的研究.结果表明：KTN超微粉的相结构随着合成温度和矿化剂浓度的增加,从立方相过渡到四方相,且晶粒尺寸也随之增大.当KOH浓度增加时,KTN的禁带宽度Eg值由3.24eV增至3.34eV;当合成温度升高时,Eg值几乎没有变化.在KTN中掺杂金属W6＋离子,可降低KTN陶瓷的电导率和漏电流,增大极化强度,使其易于极化,提高KTN材料的实用性.     

电极间距对BeMgZnO薄膜光电探测器性能的影响

通过脉冲激光沉积的方法在c面蓝宝石衬底上制备Be和Mg共掺的Be MgZnO四元合金薄膜.表征测试结果表明,所得薄膜为沿c轴外延生长、具有纤锌矿结构的高质量薄膜,其具有比纯Zn O明显更大的带隙(4. 3 e V).在此薄膜表面分别蒸镀间距为10μm和100μm的平行Au电极,得到电极间距不同的两种Be MgZnO基光电探测器.通过I-V,I-t测试,系统研究电极间距对光电探测器性能的影响,结果表明:当Be MgZnO光电探测器的电极间距较小时(10μm),其暗电流更大,光电流更小,响应速度更快.这些信息可为高性能光电探测器的设计提供有益参考.     

一种嵌入式多机系统的设计和实现

介绍了一种由廉价器件组成的多机容错系统，阐述了该容错系统软硬件结构及实现；并介绍了基于CPLD的总线仲裁结构，讨论容错任务的建立和任务的调度，最后对系统的容错性能作出评价。     

基于CPLD的多单片机总线仲裁的设计与实现

讨论了多单片机系统的几种互联方案,并设计了公共总线方案,给出了系统的总体结构框图．在总线仲裁机构设计中应用了复杂可编程逻辑器件CPLD,固化了和总线仲裁有关的总线逻辑关系,从而节省了大量的元器件,保证了设计的高可靠性、系统的可维护性和升级的能力,而且保证了总线模块在其它嵌入式多机系统中的可移植性,并给出使用状态机进行设计的详细过程及仿真结果,为实际应用奠定了基础。     

关于多方过程中摩尔热容量C的讨论

本文通过导出多方过程摩尔热容量Ｃ的表达式和讨论摩尔热容量Ｃ与多方过程指数ｎ间的关系及给出Ｃ－ｎ关系曲线，可使学生对理想气体的多方过程更全面、直观地理解。１多方过程摩尔热容量Ｃ的表达式多方过程是在气体中进行的实际过程，它满足ｐＶｎ＝常数（１）式中ｎ为一...     

高d33.g33值PZT压电陶瓷材料中Sb2O3掺杂的作用

Ｓｂ２Ｏ３对Ｐｂ（Ｚｒ０．５４Ｔｉ０．４６）Ｏ３的掺杂改性具有调整材料四方度（ｃ／ａ）的作用．实验表明，Ｓｂ２Ｏ３的适量添加可使材料四方度的调整达到一个较佳值，从而得到ｄ３３＝５７０×１０－１２Ｃ／Ｎ、ｇ３３＝３２×１０－３Ｖｍ／Ｎ的高压电活性的材料组成．该材料可获得各种重要应用     

基于Agent的位置管理模型研究

移动客户机位置管理是移动数据库中的一项关键技术,其设计的优劣直接影响整个系统的执行效率．本文从缩短通信的传输距离从而减少网络开销的角度入手,把Agent技术和前向指针方法相结合,提出了一种位置管理模型,本模型充分利用了这两项技术的优势,并通过性能分析与评价表明可提高系统的执行效率．     

大各向异性改性PbTiO3压电陶瓷研究及进展

简要综述了压电大各向异性改性ＰｂＴｉＯ３压投资亿的研究现状及最新进展,列出一些典型及性能,介绍了其主要应用,探讨了压电大各划性产生的机理。     

基于SOPC的256色LED景观灯控制系统

在研究LED照明技术的基础上,实现256色LED景观灯控制系统。系统下层设计了可重用IP核的片上系统、MP3播放器、FAT文件系统,然后通过上层软件按灯,布局,编辑情景数据,仿真,预览等一系列步骤之后下载数据到控制系统中实现对灯具的控制。     

Bex Zn1-x O1-y Sy四元合金热力学性质的第一性原理研究

通过等价阳离子如Be,Mg,Cd等部分取代Zn,同时共掺杂等价阴离子S取代O形成四元合金来调控ZnO带隙是目前ZnO能带研究的热点.四元合金中,Be的掺杂可以增加ZnO的禁带宽度,同时掺杂S可以降低晶格畸变,使Be_xZn_(1-x)O_(1-y)S_y(BeZnOS)合金在光电器件领域具有潜在的应用价值.利用第一性原理计算,研究纤锌矿(WZ)、闪锌矿(ZB)和岩盐矿(RS)相BeZnOS合金不同Be、S掺杂含量下各种构型的形成能、电子结构、热力学性质等.通过对BeZnOS合金的吉布斯自由能求出了在T=0K时随掺杂Be和S含量变化的组分相图(随着Be、S的掺杂含量增加,BeZnOS合金在纤锌矿-闪锌矿-岩盐矿三相间转变.计算得到的溶解度间隙岛给出了BeZnOS合金的理论固溶极限,同时也计算出了WZ-,RS-和ZB-BeZnOS四元合金随成分变化的带隙调控的范围.这些为实验上得到高质量不同相结构的BeZnOS四元合金薄膜提供了理论支持,同时也为高性能光电探测器的应用提供有益参考.