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151.
中国对外直接投资宏观绩效的实证 总被引:2,自引:0,他引:2
对外直接投资绩效问题是进一步发展中国对外直接投资、增强中国企业国际竞争力的核心问题.宏观绩效的实证分析表明,无论在长期还是短期内,中国对外直接投资对经济增长、对增进出口的作用都没有显著影响.从长期来看,对外直接投资对外汇储备没有显著影响,而对外汇储备的短期影响显著且是负面的.对外直接投资对国内投资没有显著的长期或短期影响.对外直接投资对FDI流入以及对外直接投资对全要素生产率的影响关系上,两者的长期均衡关系不成立,两者短期因果关系也不明显.中国对外直接投资的宏观绩效是不显著的. 相似文献
152.
三相PWM整流器的模糊免疫PID控制 总被引:1,自引:0,他引:1
根据模糊参数自整定PID控制和免疫调节机理,设计了一种模糊免疫PID控制器,该控制器综合了模糊控制,免疫调节规律与PID控制技术.将其应用于基于电压定向的直接功率控制中,改善传统PID控制器时整流器的工作性能.仿真结果表明,该方法具有高功率因数、低谐波、动态性能好等优点,并对负载扰动具有良好的抑制效果. 相似文献
153.
154.
基于DSP和IPM的三相无刷直流电机控制系统 总被引:1,自引:0,他引:1
为了提高电动机的控制性能,用高性能微处理器DSP(Digital Signal Processor)和IPM(Intelligent Power Module)对已有的模拟控制系统进行了改进。系统由DSP最小系统、智能功率驱动模块、隔离模块等组成,用DSP汇编语言编程。与现有的模拟控制电路相比,其结构简单。实验结果表明,系统调速范围可达到10~1000r/min,有较宽的调速范围。 相似文献
155.
基于V-BLAST的多载波直接序列扩频CDMA系统上行链路性能分析 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种应用多输入多输出(MIMO)的垂直分层空时(V-BLAST)检测算法的多载波直接序列扩频CDMA(MC-DS-CDMA)的系统结构,对系统上行链路的误码率性能进行了理论分析,推导出了接收天线数大于发射天线数条件下系统误码率的理论表达式,并通过计算机仿真进行了验证,数值结果表明,收发天线数对系统性能具有较大的影响,相对于传统MC-DS-CDMA系统,减少发射天线数或增加接收天线数均可使基于V—BLAST算法的MC-DS-CDMA系统的性能和容量有不同程度的改善. 相似文献
156.
掺钨氧化铟(In2O3:W,IWO)薄膜是一种新型的透明导电氧化物(TCO)薄膜,其中W与In之间存在着较高的价态差,使得IWO薄膜与其他TCO薄膜相比,在相同的电阻率条件下具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高的特点.利用直流磁控溅射法制备了IWO薄膜,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应及分光光度计表征了薄膜的表面形貌及光电性能.在工作压力1 Pa、氧分压为2.4×10-1Pa的条件下,实验中制备的IWO薄膜最佳电阻率为6.3×10-4Ω.cm,最高载流子迁移率为34 cm2V-1s-1,载流子浓度达到2.9×1020cm-3,可见光平均透射率约为85%,近红外平均透射率大于80%. 相似文献
157.
一种X波段宽带快速跳频频率源 总被引:2,自引:1,他引:1
针对快速跳频和低杂散的要求,提出一体化频率源设计方法,综合考虑了高速鉴频鉴相、大环路带宽设计和系统级直接数字合成(DDS)频率规划.利用这种设计方法,采用DDS激励快速锁相环(FL-PLL)结构,成功设计并实现了一种宽带快速跳频X波段频率源.实测结果表明,其输出频带为10.5~11.5 GHz;在极端1 GHz频率跳变条件下,正向跳频时间为0.42μs,负向跳频时间为0.30μs;无失真动态范围为—61.3 dBc;相位噪声为—100dBc/Hz@1kHz;最小跳频间隔为12 Hz. 相似文献
158.
基于Matlab/Simulink平台,研究了直流变压电源、交流变压电源和交流变压变频电源仿真模块的设计方法。该方法使用受控电压源与自定义非线性的变压及变压变频信号源相结合实现。对直流变压电源信号和交流变压电源信号使用Simulink中已有模块搭建,对交流变压变频电源信号提出了一种将参数存储于矩阵中的S-函数描述方法,并将变压及变压变频信号模型封装为仿真模块,嵌入到Matlab/Simlink平台中,对Simulink的仿真模块库进行了拓展,并通过仿真验证了设计方法的可行性。设计的变压及变压变频电源仿真模块库可为分析电力电子系统的动态行为和性能提供很大的便利,设计思想同样适用于Pspice和Saber等其他电路仿真软件的拓展。 相似文献
159.
基于非线性模型预测控制理论,文中提出包含风电场的紧急电压控制器设计方法.以系统的准稳态近似模型为基础,建立滚动动态优化模型,将其滚动优化问题描述成一个具有连续—离散时间微分—代数方程组的最优控制问题,其优化目标是负荷节点电压偏差和控制成本最小.采用Radau排列法将滚动动态优化模型转化为非线性规划问题,并借助建模软件A... 相似文献
160.
溅射金膜对氧化铝陶瓷纳秒脉冲真空沿面闪络的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了溅射金膜对氧化铝陶瓷在真空环境中、纳秒脉冲高电压作用下沿面闪络特性的影响规律.通过对氧化铝陶瓷表面粗糙度、电极接触形式的研究,并结合表面态陷阱、界面能带结构、电荷注入过程的分析,探究了影响氧化铝陶瓷溅射金膜后沿面闪络电压的主要原因.在50 ns/1.2μs脉冲下、电极间距10 mm时,测量各试样的闪络电压60次,取后30次平均值作为稳定的闪络电压.研究结果发现,氧化铝陶瓷在溅射金膜电极试样的闪络电压比直接压接电极试样的闪络电压低,这是因为在不同电极接触方式下,氧化铝陶瓷材料的表面态对真空中的电子发射和材料表层的电荷注入的影响不同所致. 相似文献