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101.
在连续模型中研究了电子-声子相互作用对一维金属介观环中由磁通Φ诱发的持续电流的贡献.持续电流随磁通Φ的变化具有周期性.周期为磁通量子Φ0=h/e.研究表明,电子-声子相互作用不仅降低系统能量而且对持续电流有抑制作用.持续电流与系统中的电子数(N)有明显的依赖关系.当(N)增加到足够大时,持续电流趋于零.  相似文献   
102.
为了研究不同充水状态下隧道植绒排水管防除结晶的效果,通过在普通PVC管内壁,采用热处理,将植绒膜光滑一侧紧贴PVC管内壁,选取绒毛长度分别为0.4 mm和0.8 mm;在两种不同充水条件下,对比分析普通PVC管、0.4 mm植绒PVC管以及0.8 mm植绒PVC管结晶物变化规律。利用电镜扫描绒毛上的结晶物,分析结晶物与绒毛的粘结形态。结果表明:在半管流条件下,随着时间的增长,植绒PVC管结晶量有先增大后逐渐稳定或者减小的趋势;普通PVC管基本上呈缓慢增加的趋势,且到某一阶段结晶量显著增加而到另外一阶段又显著减小,满管流条件下变化规律相似;对于普通PVC管而言,满管流情况下管道内壁越不容易附着结晶物;对于植绒PVC管而言,结晶物附着的难易程度与绒毛长度有着密切关系。可见植绒PVC管对隧道排水管除结晶有一定的作用,绒毛长度应根据排水管充水状态选取,以充分发挥绒毛除结晶的效果。  相似文献   
103.
对一些植物的花粉进行扫描电镜下的观察研究,详细描述了它们的形态特征,以期为植物系统学研究提供新的、有价值的性状依据.  相似文献   
104.
基于单电子晶体管(SET)和PMOS管串联产生的负微分电阻(NDR)特性,提出了一种新型的SET/CMOS反相器.该反相器利用NDR特性与NMOS负载管的电流-电压特性构成两个单稳态点,实现反相功能.应用HSPICE仿真器,采用精准的单电子晶体管的子电路模型及22nm CMOS预测技术模型对该反相器进行仿真,结果表明:该反相器的功能正确,具有比传统CMOS反相器更低的功耗;与其它单电子反相器相比,该反相器可在室温下实现输出电压全摆幅,且具有较低的传输延迟.  相似文献   
105.
制备特定尺寸的纳米金颗粒方法及性能表征   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过化学还原法制备出不同粒径的纳米金颗粒。利用紫外可见分光光度计和透射电子显微镜对纳米金颗粒的形貌及尺寸进行表征。讨论了还原剂种类、还原剂用量、试剂加入顺序、反应温度等因素对纳米金颗粒稳定性、粒径、形貌和分散性的影响。结果表明:Na3C6H5O7为还原剂制得纳米金颗粒粒径在15-20 nm之间,NaBH4为还原剂制得的...  相似文献   
106.
杨德奎 《山东科学》2011,24(2):21-23
应用扫描电子显微镜对百合属(Lilium L.)植物3种1变种的花粉形态进行了观察研究。结果显示:花粉形态皆呈椭圆体,具单沟萌发器官。花粉粒在大小、外壁雕纹等性状上种间差异显著。  相似文献   
107.
运用第一性原理研究了氮掺杂对碳化硅纳米管场发射性能影响.计算结果表明,在外加电场作用下,体系的态密度均向低能端移动,赝能隙及最高占据分子轨道/最低未占据分子轨道能隙减小,且Mulliken电荷在帽端聚集程度增加.态密度、最高占据分子轨道/最低未占据分子轨道能隙及Mulliken电荷分析表明,氮掺杂改善了碳化硅纳米管的场发射性能,且N替代顶层五元环中Si原子体系场发射性能最优.  相似文献   
108.
用MS Xα方法研究了Nd2 Fe1 7Nx 化合物的电子结构和磁性质 ,发现在Fe(f)和Fe(c)晶位间存在着负交换耦合 ,间隙N原子的作用使化合物的元胞体积稍为增大 ,因此负交换耦合强度减弱 .计算结果表明 ,晶体的几何结构对称性与原子间距离是影响物质磁性和居里温度的两个关键因素  相似文献   
109.
提高了Cu含量的核反应堆压力容器(reactor pressure vessel,RPV)模拟钢样品,经过880 cC水淬、660℃调质处理和400℃1000~4000 h的等温时效处理,观察到纳米富Cu相的析出;随后进行20%~30%冷轧变形,采用萃取复型(extractionreplica,ER)和高分辨透射电镜(high resolution transmission electron microscopy,HRTEM)的方法研究纳米富Cu相的变形特征.研究结果表明,镶嵌在α-Fe基体中的纳米富Cu相,在冷轧变形时的变形机制较为复杂,存在多种变形方式.当纳米富Cu相的晶体处于有利取向时,可以跟随基体一起发生滑移变形,表现为"软"颗粒的特性;当晶体处于不利取向时,会发生孪生变形,甚至诱发马氏体相变,有时生成"轮毂辐条"状的孪晶结构,大大提高了纳米富Cu相继续变形时的抗力,表现为"硬"颗粒的特征,因而析出纳米富Cu相会产生明显的强化作用.  相似文献   
110.
利用离子辅助电子束蒸发技术,在玻璃基底上以交替沉积的方式制备了A12O3/SiO2叠层复合薄膜,单层介质膜膜厚分别选取54和16 nm,总厚度为560 nm.采用步进法测试得到金属电极/复合绝缘膜/金属电极(MIM)结构的I-V特性曲线,具体成分为CrCuCr/(Al2O3/SiO2)8/CrCuCr,相应的厚度为80...  相似文献   
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