首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   9304篇
  免费   415篇
  国内免费   744篇
系统科学   636篇
丛书文集   296篇
教育与普及   19篇
理论与方法论   14篇
现状及发展   67篇
综合类   9431篇
  2024年   13篇
  2023年   49篇
  2022年   101篇
  2021年   107篇
  2020年   111篇
  2019年   116篇
  2018年   111篇
  2017年   154篇
  2016年   196篇
  2015年   234篇
  2014年   369篇
  2013年   300篇
  2012年   470篇
  2011年   477篇
  2010年   364篇
  2009年   403篇
  2008年   403篇
  2007年   603篇
  2006年   522篇
  2005年   514篇
  2004年   440篇
  2003年   422篇
  2002年   430篇
  2001年   400篇
  2000年   388篇
  1999年   356篇
  1998年   295篇
  1997年   283篇
  1996年   256篇
  1995年   235篇
  1994年   222篇
  1993年   181篇
  1992年   188篇
  1991年   188篇
  1990年   148篇
  1989年   137篇
  1988年   136篇
  1987年   74篇
  1986年   41篇
  1985年   20篇
  1984年   2篇
  1981年   1篇
  1955年   3篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
121.
The microscopic phase-field approach is applied to model the early precipitation process of Ni75AlxV25-x alloy. Without any prior assumptions, this model can be used to simulate the temporal evolution of arbitrary morphologies and microstructures on atomic scale. By simulating the atomic pictures, and calculating the order parameters and volume fraction of the θ (Ni3V) and γ'(Ni3Al) ordered phases, we study Ni75AlxV25-x alloys with Al composition of 0.05, 0. 053 and 0. 055 (atom fraction). Our calculated results show that,for these alloys, θ and γ' phases precipitate at the same time; with the increase of Al content, the amount of γ' phase increases and that of θ phase decreases; the precipitation characteristic of γ' phase transforms from Non-Classical Nucleation and Growth (NCNG) to Congruent Ordering Spinodal Decomposition (CO SD) gradually; otherwise, the precipitation characteristic of θ phase transforms from Congruent Ordering Spinodal Decomposition (CO SD) to Non-Classical Nucleation and Growth (NCNG) mechanism gradually. Both θ and γ' phases have undergone the transition process of mixture precipitation mechanism characterized by both NCNG and CO SD mechanisms. No incontinuous transition of precipitation mechanism has been found.  相似文献   
122.
含向列液晶交联剂的液晶弹性体液晶性能   总被引:2,自引:1,他引:2  
把向列液晶交联剂 4 (ω 烯丙酰氧基己氧基 )苯甲酸 2 叔丁基 1,4 二酚酯和胆甾液晶单体 4 烯丙氧基苯甲酸胆甾醇酯接枝到含氢硅氧烷链上 ,交联剂的质量分数由 0至 12 %,得到系列液晶弹性体P1~P7·通过热分析、偏光显微分析等手段研究了向列液晶交联剂对弹性体液晶性能的影响·结果表明 ,P1~P7都有液晶性能 ,均为胆甾液晶织构 ,系列液晶弹性体的tg 随交联剂在链中浓度增加而降低 ,ti 变化不大 ,具有较宽的液晶区间 ,在 182℃以上·交联剂质量分数为 2 %时 ,即从P4 开始弹性增加 ,当交联剂的质量分数大于 8%时 ,液晶相存在至热分解温度 ,所有液晶弹性体的热稳...  相似文献   
123.
文章构造了一个市场经济模型,在此模型中,消费者能根据自身的信用等级来利用消费信贷,其偏好对应是下半连续的.文章还证明了此经济存在均衡.  相似文献   
124.
建立水体沉积物重金属质量基准的方法研究进展   总被引:6,自引:0,他引:6  
利用20世纪90年代以来加拿大、美国佛罗里达、澳大利亚、新西兰、英国、荷兰及中国香港等国家和地区水体沉积物质量基准研究的最新资料,综述了建立水体沉积物重金属质量基准的方法研究新进展,重点介绍了目前国际上广泛采用的用于制定沉积物质量基准的两种方法-基于生物效应数据库的响应型阈值法(生物效应数据库法)和基于分配模型的相平衡分配法。  相似文献   
125.
Log Gabor小波性能分析及其在相位一致性中应用   总被引:6,自引:0,他引:6  
对Gabor函数与log Gabor函数进行比较,构造了log Gabor小波,从人类视觉系统认知特性的角度分析了该小波的性能,并与Gabor小波进行了比较,最后将log Gabor小波应用在相位一致性的图像特征检测中,实验证明,使用log Gabor小波不但可以提高特征的定位精度,而且在检测效果相似的情况下,log Gabor小波比Gabor小波可以节约一半的计算量。  相似文献   
126.
NaTaO3电子结构的第一性原理研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
在广义梯度近似 (GGA)下 ,利用全电势线性缀加平面波法 (FLAPW)计算了钽酸钠 (NaTaO3)的电子结构 .为了进一步理解原子间的相互作用 ;计算了NaTaO3的态密度、能带结构、电子密度 .通过对态密度的分析 ,发现在钽原子 3d电子和氧原子 2p电子之间存在强烈的轨道杂化 .对电子密度和能带的分析也得出同样的结论 .NaTaO3晶体中有两种电子相互作用 ,一种是钽原子和氧原子之间存在的共价相互作用 ,另一种是钠 (Na)和氧化钽 (TaO3)基团之间的离子相互作用  相似文献   
127.
干涉型光纤陀螺和相位调制   总被引:2,自引:0,他引:2  
该文分析和研究了干涉型光纤陀螺的基本理论和调制方法.特别对Sagnac效应进行了具体的推导,得到了相移与旋转角速率的关系.通过分析可知,Sagnac效应在光纤陀螺的设计和制造中起着重要的作用.  相似文献   
128.
该文分析了不可压流体在转子进出口的径向平衡问题,对不同的径向流模型进行了讨论,得到满足径向平衡条件的解析解,并对新型水泵——水波泵的进、出口进行了分析计算,为完成水波泵的设计方案提供了依据。  相似文献   
129.
通过HF/3- 2 1G从头计算求得琥珀酰苯胺 (PHSIM)和联丁二酰亚胺(BSIM )的内旋转位能曲线 ,在密度泛函理论B3LYP/6 - 31G 水平对能量极小点所对应的稳定构型进行全优化 ,并作集居数分析、自然键轨道分析和简正振动分析 ,获得它们的几何构型、电子结构、红外光谱和热力学性质。结果表明 ,PHSIM和BSIM均以非平面构型存在 ,前者分子中五员环和六员环之间的夹角约为 4 3°;后者的 2个五员环平面相互垂直。它们分子中羰基伸缩振动带均分裂为 2个 ,在PHSIM中为 1 74 0cm-1 、1 795cm-1 ,而在BSIM中为 1 773cm-1 、1 80 2cm-1 ,且低频带的振动强度远大于高频带。由振动频率计算了标题物在 2 98~ 80 0K温度范围的热力学函数 ,通过原子化反应由B3LYP能量估算了它们的标准生成热  相似文献   
130.
一种新型高速频率合成器的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于PLL技术,研制了一种新型的频率合成器,实验表明它能使频率切换在低频段成功实现每秒超一万七千次的速率.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号