磁场中的强耦合表面极化子

应用变分法系统研究了电子和表面光学声子间的强相互作用，同时考虑了电子和体纵光学声子间的弱相互作用，给出了电子、声子间的基态和激发态的相互作用能．数值计算表明，电子和晶体表面的距离增大，体相互作用诱导势增大，而表面相互作用势减少；同时外磁场的作用可增大这两种相互作用的强度．     

新型稀磁半导体Zn＿（1－x）Co＿xSe和Zn＿（1－x）Co＿xS的能谱

本文报道用晶体场理论对新型稀磁半导体Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳｅ和Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳ中Ｃｏ￣（２＋）离子不同能级间的跃迁进行计算的结果。与实验观测结果进行了比较，获得了相应的晶场参量Ｄ＿ｑ，Ｒａｃａｈ静电参量Ｂ，Ｃ和自旋－轨道耦合参数λ。本文对Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳｅ和Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳ分别指认了观测到的Ｃｏ￣（２＋）离子能级间的跃迁。对较低能级部分，实验结果与理论计算符合较好。     

磷化铟从闪锌矿结构到氯化钠结构的相变

用两种方法研究了InP从闪锌矿结构到氯化钠结构的相变，第一种是基于等焓的方法，另外一种是根据柯西平衡判据.利用从头算平面波赝势密度泛函理论研究了InP在一系列高压下的电子结构和弹性常数，同时根据等焓条件发现InP从闪锌矿结构到氯化钠结构的相变压强是12.1 GPa，与根据柯西平衡判据得到的结果一致，从而说明用这两种方法来研究晶体的结构相变是可行的.     

掺杂Li对MnxCu1-xO稀磁半导体电学性质的影响

系统地研究了Li掺杂MnxCu1-xO稀磁半导体样品的制备。采用固相反应法,通过改变掺杂浓度、制备工艺等方法获取不同的样品,通过比较、拟合Nyquist图,找出最佳的掺杂方法,并利用交流阻抗谱法分析样品的结构及其电学性质。     

用低温化学气相沉积法大量制备单晶ZnO纳米线及其光致发光研究

在氩气气氛中,利用物理蒸发高纯Zn粉和SiO2纳米粉混合物的方法,控制温度在650℃时,获得了大量的六方相ZnO纳米线,直径约40nm,这和先前报道的制备ZnO纳米线的方法相比,温度降低了大约200℃-300℃.纳米线的生长过程中遵循气-固相生长机制.荧光光谱表明产物具有两个发射带,一个处于紫外波段,另一个处在绿光发射带.     

Hydrogen induced room-temperature ferromagnetism in Co-doped ZnO: first-principles and Monte Carlo study

The structural stability, vibrational and magnetic properties of hydrogen doped ZnO：Co have been studied by first-principles calculations based on density functional theory. Bond-center （BC） sites were identified to be most stable sites for hydrogen, the corresponding vibrational frequencies including anharmonic contributions were calculated. Its magnetic properties were investigated as well. The calculated results reveal that hydrogen could induce the change of electronic transfer, leading to a decrease of magnetic moment. However, the magnetic coupling between Co atoms is greatly strengthen. The results simulated by Monte Carlo method indicate that hydrogen can induce the Curie temperature to increase from 200 to 300 K.     

Ferromagnetism at 230 K in （Ba0.7K0.3）（Zn0.85Mn0.15）2As2 diluted magnetic semiconductor

We report the ferromagnetism with Cure temperature Tcat 230 K in a new diluted magnetic semiconductor(DMS)(Ba0.7K0.3)(Zn0.85Mn0.15)2As2isostructural to ferropnictide 122 superconductors synthesized via low temperature sintering.Spin is doped by isovalence substitution of Mn2+for Zn2+,while charge is introduced by heterovalence substitution of K1+for Ba2+in(Ba0.7K0.3)(Zn0.85Mn0.15)2As2DMS,being different from(Ga,Mn)As where both spincharge are induced simultaneously by heterovalence substation of Mn2+for Ga3+.The(Ba0.7K0.3)(Zn0.85Mn0.15)2As2DMS shows spontaneous magnetization following T3/2dependence expected for a homogeneous ferromagnet with saturation moment 1.0μB for each Mn atom.     

稀磁半导体Zn1-xNixO的制备、结构和磁性

用溶胶凝胶法合成Zn1-xNixO(x=0.03,0.05,0.10)系列化合物,利用X-射线衍射、磁强计对该系列化合物进行了结构和磁性表征.结果表明一定量的Ni离子进入ZnO的晶格中,形成稳定的纤锌矿型固溶体,空间群为P63 mc,晶胞参数随Ni掺入量稍有变化.该系列化合物表现为铁磁性,其居里-外斯温度随其成分稍有变化,并且表现出磁性离子的轨道磁矩并未完全淬灭.     

硼／氮共掺杂使金属性单壁碳纳米管转变成半导体

本研究小组利用硼和氮共掺杂碳纳米管构筑了大量的场效应晶体管,并对其电学性质进行了统计分析研究。结果表明。通过对单壁碳纳米管进行硼和氮共掺杂,样品中半导体性纳米管的比例由67％提升到高于97％。为了深入理解这一重要实验发现,我们利用第一性原理,计算了掺杂对单壁碳纳米管能带结构的调制作用。结果证明,硼和氮共掺杂可使金属性单壁碳纳米管的能隙被打开,转变为半导体性纳米管,但并不改变半导体性碳纳米管的导电属性,从而在理论上解释了硼和氮共掺杂调节碳纳米管能带结构的物理机制。这项工作为纳米管电子和光电子器件走向实际应用提供了一条新途径。