二价离子掺杂钨酸铅晶体的计算机模拟

应用GULP软件计算了PbWO4(PWO)晶体中分别掺杂Zn、Ca二价离子的相关缺陷生成能,并对计算结果进行了讨论.结果表明,Zn离子进入PWO晶体中只能占据铅空位附近的填隙位置,而Ca离子进入PWO晶体中可以占据铅空位,也可以占据铅空位附近的填隙位置,这两种情况出现几率近似;对于相同的掺杂浓度,在掺Zn的PWO晶体中的孤立铅空位数量比掺Ca的PWO晶体中少,从而掺Zn可以更好地抑制与铅空位有关的短波段吸收,增加晶体的光产额.     

细胞色素C在SAM修饰电极上的电化学行为

应用循环伏安法研究了细胞色素c在2-氨基乙硫醇自组装膜修饰金电极上的电化学行为。结果表明，细胞色素c在2-氨基乙硫醇修饰的金电极上的电子传递过程为—扩散控制的可逆反应，2-氨基乙硫醇自组装膜可用作细胞色素c电子传递的有效促进剂。依据电化学石英晶体微天平和电化学交流阻抗谱的测量结果，讨论了单分子膜的组装过程及其对促进细胞色素c电子传递的作用机制。     

三维超分子化合物[Zn(C13H14N2)(C8H4O4)]n·0.5nH2O的制备、晶体结构及性能研究

用锌盐、BPP(BPP为1,3-(4-吡啶基)丙烷)、H2ip(H2ip为间苯二酸)反应制得具有金刚石拓扑结构的配位聚合物[Zn(C13H14N2)(C8H4O4)]n.0.5nH2O.利用红外光谱、元素分析、X射线单晶衍射、荧光光谱及热重分析对其进行表征.标题化合物的晶体结构属于单斜晶系,空间群为P 2(1)/n,晶胞参数a=1.104 18(13)nm,b=1.119 24(14)nm,c=1.573 45(18)nm,α=90(°),β=104.150(5)(°),γ=90(°),M r=436.75,V=1.885 5(4)nm3,Z=4,D c=1.539 m g.m-3,F(000)=900,GOF=1.073,R1=0.038 1,ωR2=0.1002.     

激光晶体Tm3+/Yb3+:GdAl3(BO3)4的生长和光谱性能研究

采用助熔剂法生长了优质透明的Tm3+/Yb3+:GdAl3(BO3)4晶体.在室温下测试了晶体的偏振吸收谱,对谱图中的7个吸收峰进行了能级归属,并计算了偏振吸收截面.实验表明,晶体能够采用两种商业化的InGaAs LD或GaAlAs LD进行泵浦.讨论了Yb离子敏化Tm离子过程中能量传递的方式,并展示了晶体在多波长激光方面潜在的应用前景.     

二维声子晶体的弹性波禁带及其影响因素

选取了5种不同材料组分和2组不同截面形状散射体的声子晶体作为研究对象，利用平面波展开法研究了二维固相双组分正方点阵声子晶体中z向剪切波的频率带结构，探讨了材料特性和截面形状对禁带的影响．结果表明：填充物的密度和弹性模量比基体的大时，容易产生弹性波禁带，材料的密度比剪切模量更能影响弹性波禁带的宽度，圆截面散射体的结构在总体上比正方形截面更容易产生弹性波禁带．     

Pr3+∶Y2SiO5晶体中橙—蓝频率上转换过程

测量了Pr³⁺∶Y₂SiO₅晶体的吸收谱, 标定了室温下Pr³⁺在Y₂SiO₅晶体4f²组态内的能级. 利用579 nm激光激发Pr³⁺∶Y₂SiO₅晶体, 观察到480~515 nm上转换荧光带. 运用时间分辨激光光谱技术测量了³P₀能级的上转换荧光衰减曲线. 通过研究上转换荧光的衰减曲线、 吸收谱、 激发谱和上转换荧光强度与泵浦激光单脉冲能量的关系, 确定了以¹D₂为中间态的能量转移上转换主要是上转换机制.      

对金属导电性的解释

经典电子论解释金属导电性遇到了矛盾，用普通物理的知识加上一些量子力学观点解释金属电阻的形成机理。对电阻率，电子平均自由程，电子平均热运动速率做以必要合理的解释。     

单片机系统的仿真与脱机运行分析

在单片机用户系统的设计中,必须对硬件和软件进行具体仿真。通过分析单片机系统的晶振电路、上电总清和负载能力来解决实际遇到的问题。这对于硬件调换与处理故障有很大好处。     

具有热源的二维稳态温度起伏模型

对一个具有对流和热源的二维晶体生长的温度场进行了分析。建立了热传导问题的数学模型，给出了模型的精确解析解，证明了解的唯一性和稳定性，并通过实例计算说明当横向对流存在时，温度场的解在与界面垂直的方向上呈指数型震荡衰减．     

一维光子晶体的光子禁带结及其计算

本文提出了一种利用转移矩阵来计算一维光子晶体的光子禁带结构的新方法，并讨论光子晶体的光子禁带位置，禁带宽度和结构与构成光子晶体的材料厚度，折射率之间的相互关系．