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81.
介绍了基于区间同步-恢复记忆实现混沌保密通信的方法.在发射端发射调制信号的同时发送一个伴随的二进制序列;在接收端利用混沌系统的约束同步和自由演化同步使接收混沌系统和发射混沌系统达到同步,同时利用接收到的二进制序列完整地将所传送的语音信号提取出来.最后以修正Logistic映射对语音信号进行计算机仿真,结果表明,该方法是有效的. 相似文献
82.
研究了以Na2WO4为W来源、以柠檬酸盐为络合剂的CoW、CoWPt合金电镀中,Na+和NH+4对镀层W含量的影响.结果表明:镀层W含量随着溶液中Na+浓度的升高而降低,随着NH+4浓度的升高而增高. 相似文献
83.
Ni-Fe-P合金化学镀的工艺条件及晶化行为研究 总被引:4,自引:0,他引:4
采用硼酸为缓冲剂,柠檬酸钠为络合剂在碱性介质中化学沉积Ni Fe P合金.考察了工艺条件如pH、FeSO4·7H2O浓度和温度对沉积速度的影响.获得了沉积速度快,镀液稳定性好的工艺条件.采用差示扫描量热和X射线衍射研究了Ni Fe P合金的晶化行为.结果表明,镀层在镀态呈非晶结构,镀层在200.5℃晶化为亚稳的Ni Fe合金,310℃晶化为立方FeNi3合金,369.2℃晶化为四方的Ni3P,而491.3℃为继续生成FeNi3的吸热峰. 相似文献
84.
化学镀镍硼合金镀层组织形态及其形成机制 总被引:1,自引:0,他引:1
基于化学镀镍硼合金镀层的组织形态和成分、结构.探讨了镍硼合金镀层的沉积规律.分析表明,镀层在侧向和纵向上的相对沉积速度快慢是影响镀层组织形态的关键因素.柱状组织的形成原因是由于纵向沉积速度相对较快,该组织镀层含镍量相对较高,结构是非晶晶态混合结构;圆粒状组织是在侧向、纵向沉积速度较接近的条件下形成的,其成分中硼的含量相对较高,镀层结构趋于完全非晶态. 相似文献
85.
混沌神经网络在分离叠加模式和信息恢复中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
提出了一种改进的混沌神经网络模型,该模型具有两个特点:①能从叠加模型恢复出被记忆的正确信息;②能通过部份信息恢复被记亿的全部信息.设计了一系列的仿真实验证明了所提模型的有效性。 相似文献
86.
设计的电子系统由大规模可编程逻辑器件PLD,模/数(A/D)转换电路、数/摸(D/A)转换电路、存储电路、比较触发电路、放大器电路组成,重点论述了系统构思、计算和设计过程,本设计的实现,能使模拟示波器具有数字化存储功能,成为简易数字存储示波器. 相似文献
87.
对目前主要的数据存储方式进行了介绍,针对网络中单个应用系统存储需求紧张而同时网络中存在存储资源浪费、闲置等情况,提出了用软件实现基于B/S模式的网络存储系统BSMSM(B/S Model based Shared Memory),从而实现了跨平台的网络存储. 相似文献
88.
镍基涂层和2种钢的冲刷腐蚀特性及其电化学行为 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了2种超音速火焰喷涂Ni基涂层(Ni60JH与Delelo50)和2种钢(1Crl8Ni9Ti与20钢)在液固两相流中,冲刷腐蚀的交互作用及其电化学行为,并对其冲刷腐蚀机制进行了探索性分析.研究结果表明,Ni60JH和Delelo50涂层的腐蚀质量损失率分别为基体材料的1/30和1/16,Ni60JH涂层的耐冲刷腐蚀性能比基体高15倍多,并与1Crl8Ni9Ti不锈钢相当,且Delelo50涂层的耐冲刷腐蚀性能比基体高5倍多.Ni60JH涂层主要以切削、犁削冲蚀磨损机理为主,而Delel050涂层和2种钢主要以犁削、塑性变形、翻边冲蚀磨损机理为主.2种涂层和不锈钢在纯腐蚀时均处于钝化状态,在冲刷腐蚀时均处于活化溶解状态. 相似文献
89.
铝合金微弧氧化陶瓷层的耐磨性 总被引:7,自引:0,他引:7
应用微弧氧化这一高新表面改性技术在LY12铝合金表面形成陶瓷膜层,并对其在常温下的耐磨性能进行了对比测试与分析。实验结果表明,微弧氧化陶瓷膜层的表面磨损外观比较均匀,磨损痕迹也比较轻微,其表而硬度达到2500HV,是基体的10倍以上。由此可见,微弧氧化技术大大改善了铝合金表面耐磨特性和硬度。 相似文献
90.
Ni2MnGa铁磁形状记忆材料 总被引:1,自引:0,他引:1
铁磁形状记忆合金 (FSMA)是在一定温度范围马氏体相稳定同时又具铁磁性的一类特殊的形状记忆合金。Ni2MnGa铁磁形状记忆合金近年来成为呈现磁场驱动大应变的新型驱动材料 ,这些应变来自磁场诱发马氏体孪晶的重排 ,而不是磁场对奥氏体至马氏体相变的作用。孪晶变体的重排在宏观上呈现为正或切应变 ,一非化学计量比Ni2 MnGa单晶于室温加 0 .4T磁场能产生6 %的应变 ,Ni Mn Ga单晶在高至 15 0Hz的交变磁场仍可得到 2 .5 %的应变。本文阐述了与这种磁控形状记忆效应相关的孪晶界迁动的磁学和晶体学理论。马氏体相的大磁晶各向异性能使磁化沿c轴方向有利 ,穿过孪晶界c轴刚好转动 90度 ,同时 ,这个孪晶界也构成了约 90度的畴界。在各向异性的情况下 ,孪晶界的迁动仅有相邻孪晶变体的Zeeman能差驱动 ,μ0 ΔMis·Hi。磁场和外应力对应变的影响通过对一简单的自由能表达式取极小值来表示 ,自由能表达式包括Zeeman能、磁晶各向异性能和外应力以及在某些情况下需考虑的内部弹性能 ,模型的所有参数可通过应力 应变曲线和磁化曲线测量得到。铁磁形状记忆合金的磁场诱发应变可类比传统热弹性形状记忆效应 ,与更为人们所熟知的磁致伸缩现象不同。 相似文献