非共沸混合工质膜状凝结小温差工况的研究

针对非共沸混合工质大空间膜状凝结小温差工况建立了一种新的解析模型，并以Ｒ２２／Ｒ１４２ｂ水平管外凝结为对象进行分析求解，理论计算重现了实验研究中出现的某些小温差工况下凝结换热恶化异常严重的现象，经过分析提出：“在混合蒸汽沿凝结物面方向的运动可以忽略的场合，非共沸混合工质凝结换热所需的最小温差等于此混合工质在相应组分浓度下的露泡点温差”的观点。     

用金属有机溶液和浸渍法制备SiO_2和TiO_2光学薄膜

采用TiO_2和SiO_2的金属烃氧基在乙醇溶液中进行水解反应,制成胶状非晶态物质溶液.用浸渍法在玻璃基底上制备出多层TiO_2/SiO_2介质复合膜.它具有涂膜设备和工艺简单,成本低等特点.作者对溶液配制、涂膜工艺和膜的结构进行了初步研究.由实验得出膜厚d与溶液浓度C及提拉速度V的关系;给出了膜厚随其热处理温度的变化;并用扫描电镜对膜的表面结构进行了分析.     

实际工况下滑靴油膜动特性的实验研究

本研究采用在滑靴上加辅助测板的方法,首次实测了滑靴在实际工况下油膜变化的全过程,获得了滑靴油膜特性的第一手资料。本文的结论对进一步改进滑靴设计奠定了基础。     

现场FT—IR光谱电化学方法及应用研究

介绍了常规FT-IR光谱仪上的现场电化学测定,分析讨论了这一方法在溶液反应及其定量处理,修饰膜电极,金属的氧化,腐蚀与缓蚀等方面的应用。     

非晶Tb-Gd-Co合金薄膜特性研究

磁光存储材料的研充,最重要的是探求实用化磁光介质薄膜材料和制备工艺.非晶稀土-过渡金属(以下缩写为RE-TM)材料,适于使用制作磁光盘已崭露头角,由三元合金Gd-Fe-Co或Tb-Fe-Co膜做成的磁光盘样机已经问世.在以(Tb,Gd)_x-(Fe,Co)_(1-x)为基础的合金薄膜系列里,Tb-Gd-Co比Gd-Fe-Co有更大的矫顽力,这对提高存储密度是有利的.此外,Tb-Gd-Co材料还可以提供稍大的克尔(Kerr)旋转角θ_k和宽温特性.近年来,人们很重视非晶Tb-Gd-Co膜的研究,Togami首先报道Tb-Gd-Co膜,随后,Luborsky等人从实验肯定Tb-Gd-Co膜用作磁光介质的稳定性.为使Tb-Gd-Co材料达到实用化,本文研究了溅射参数对非晶Tb-Gd-Co合金薄膜特性的影响,获得了比较好的     

化学气相沉积耐磨涂层TiN的温度选择

化学气相沉积(CVD)TiN涂层在模具上涂复3～10μm可使模具寿命提高3～4倍。本文研究指出:沉积温度对沉积速率、涂层硬度及对基体Cr12MoV硬度和尺寸都有影响。在950～1000℃间可以得到接近化学计量的TiN,其硬度Hv(1)≈20000N/mm~2,基体尺寸变化在万分之五以内。     

有机分子的低温成膜及厚度控制

近年来,随着表面研究的发展,对吸附于金属表面的各种有机分子薄膜性质的研究受到了广泛重视。在这些研究中,首先涉及到有机分子在金属靶(即衬底)上的成膜及膜厚度的控制问题。有机分子在金属靶上的吸附成膜一般可分为物理和化学吸附两种。化学吸附作用比物理吸附作用强得多,它可导致被吸附分子及靶表面分子结构上的变化。在一般条件下,物理     

a-SiC:H/a-Si:H复合膜对半导体器件钝化作用的研究

本文简述了用α-SiC:H/α-Si:H复合膜钝化硅平面器件的钝化机理,并成功地应用于硅平面小功率晶体管的表面钝化,实验表明,钝化后的器件反向漏电流降低了2～3个数量级;小注入下的电流放大系数提高了3～4倍;室温—200℃的BT实验表明,未钝化的器件200℃时的电流放大系数比室温时增加了300％,而钝化后的器件只增加了75％。这些结果主要归因于钝化膜中原子态氢在到达SiO_2-Si界面处与界面处悬挂键结合,降低了界面态密度。     

NH_3等离子体增强热处理形成硅化钛导电薄膜

本文介绍制备均匀硅化钛导电薄膜的一种新方法,高频NH_3等离子体和感应加热的共同作用,使淀积在硅片表面的Ti膜产生氮化和硅化反应,实验表明,在低气压下NH_3等离子体增强的Ti膜表面氮化,可以有效地克服通常很难避免的氧沾污的有害影响,有利于通过固相反应形成自对准TiSi_2导电薄膜。