单母分段接线方式下母线故障的保护分析

通过介绍110 kV变电站单母分段接线方式及其备用电源自动投入逻辑,分析了没有母差保护情况下母线故障会导致全部负荷失电的后果,提出并分析了3种解决方案,得出分段开关保护没有可操作性,用进线保护闭锁备自投在实践中受变压器励磁涌流的影响可靠性差,母差保护是一种较为理想的解决方案。     

转变法制备粉末套管Nb_3Al超导线材及其性能研究

使用自主研发的快热快冷处理设备,对粉末装管Nb/Al前驱线进行快热快冷处理,然后再经过800℃10 h转变退火处理,得到具有Nb3Al超导相的超导短样.通过扫描电镜观察分析超导样品微观结构,发现所有样品均有Nb3Al相存在,但在靠近Ta管内层有少量的Nb2Al相,超导芯内有少量的Nb剩余.在制冷机冷却的环境下使用四引线法测试了样品的超导性能.结果表明,自场下在10.9 K温度时,没有铜稳定体的Nb3Al超导线最高临界电流密度是66.5 A/mm2,超导起始转变温度是15~18 K.     

改进二次型Boost变换器的研究与分析

传统二次型Boost变换器具有较高的升压能力,但其开关器件的电压、电流应力较大,增加了电路的体积与成本。笔者在传统二次型Boost 变换器的基础上,结合高增益Boost 三端网络,提出改进二次型Boost变换器,并对其连续工作模式下的工作原理及各开关器件的电压、电流应力进行了分析。分析结果表明,改进二次型Boost 变换器不仅升压能力有所提升,而且在输出电压相同的情况下,开关器件的电压、电流应力有所降低。最后,通过仿真分析验证了该变换器的正确性和可行性。     

采用双等离子体制备非晶态碳膜的研究

采用直流金属磁过滤阴极真空弧(FCVA)制造出Ti和乙炔(C2H2)气体的双等离子体在单晶硅(100)上制备非晶态碳膜.重点研究了乙炔气体和过滤线圈电流对非晶态碳膜的结构、形貌和机械性能的影响.研究结果表明,薄膜中主要成分是TiC,并以(111)作为主晶向;随着过滤线圈电流的增大,薄膜的晶粒度越来越小;薄膜表面的粗糙度逐渐减小,变得更加平整;薄膜的应力减小,可以下降到2.5 GPa.薄膜的显微硬度和弹性模量随着C2H2体积流qV(C2H2)的增大而降低,硬度和弹性模量分别可以达到33.9 GPa和237.6 GPa.非晶态碳膜的摩擦因数在0.1～0.25之间,大大低于衬底材料单晶硅片的摩擦因数0.6.随着过滤线圈电流增大,摩擦因数减小.     

水轮机导叶接力器电容式位移变送装置设计

针对现有的电位器拉线式水轮机导叶接力器位移变送装置中存在的接触不良、易磨损、输出信号不可靠的问题进行了分析.针对这些问题,运用电容式传感器原理,设计了一种新型水轮机导叶接力器电容式位移变送装置,该装置可以避免老式位移变送装置所存在的问题,能长期稳定可靠地实现线性测量水轮机导叶接力器的位移量.     

改进的节点电路分析法

在节点分析法的基础上,用标准支路和纯电流源相结合,对大规模电路的计算方法进行了分析。     

基于DSP和IPM的三相无刷直流电机控制系统

为了提高电动机的控制性能,用高性能微处理器DSP(Digital Signal Processor)和IPM(Intelligent Power Module)对已有的模拟控制系统进行了改进。系统由DSP最小系统、智能功率驱动模块、隔离模块等组成,用DSP汇编语言编程。与现有的模拟控制电路相比,其结构简单。实验结果表明,系统调速范围可达到10~1000r/min,有较宽的调速范围。     

氧分压对IWO薄膜表面形貌及光电性能的影响

掺钨氧化铟(In2O3:W,IWO)薄膜是一种新型的透明导电氧化物(TCO)薄膜,其中W与In之间存在着较高的价态差,使得IWO薄膜与其他TCO薄膜相比,在相同的电阻率条件下具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高的特点.利用直流磁控溅射法制备了IWO薄膜,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应及分光光度计表征了薄膜的表面形貌及光电性能.在工作压力1 Pa、氧分压为2.4×10-1Pa的条件下,实验中制备的IWO薄膜最佳电阻率为6.3×10-4Ω.cm,最高载流子迁移率为34 cm2V-1s-1,载流子浓度达到2.9×1020cm-3,可见光平均透射率约为85%,近红外平均透射率大于80%.     

The effects of the guide field on the structures of electron density depletions in collisionless magnetic reconnection

Two-dimensional particle-in-cell simulations are performed to investigate the formation of electron density depletions in collisionless magnetic reconnection.In anti-parallel reconnection,the quadrupole structures of the out-of-plane magnetic field are formed,and four symmetric electron density depletion layers can be found along the separatrices due to the effects of magetic mirror.With the increase of the initial guide field,the symmetry of both the out-of-plane magnetic field and electron density depletion layers is distorted.When the initial guide field is sufficiently large,the electron density depletion layers along the lower left and upper right separatrices disappear.The parallel electric field in guide field reconnection is found to play an important role in forming such structures of the electron density depletion layers.The structures of the out-of-plane magnetic field By and electron depletion layers in anti-parallel and guide field reconnection are found to be related to electron flow or in-plane currents in the separatrix regions.In anti-parallel reconnection,electrons flow towards the X line along the separatrices,and are directed away from the X line along the magnetic field lines just inside the separatrices.In guide field reconnection,electrons can only flow towards the X line along the upper left and lower right separatrices due to the existence of the parallel electric field in these regions.     

基于第3代电流传送器的电流模式有源滤波器的设计

 设计了一种有源滤波网络,提出了一种基于第3代电流传送器(Third-Generation Current Conveyor,CCⅢ)的电流模式二阶滤波器的系统设计方法,导出了该系统的设计公式,其电路由1个CCⅢ+和4个无源元件构成,可实现二阶低通、高通、带通滤波功能.各滤波电路具有很低的无源灵敏度和有源灵敏度,端口网络电路简单,电路结构固定,通过级联易生成高阶滤波电路.用PSPICE对电路进行了仿真,仿真结果表明,设计理论正确,设计方法可行.