汾河太原段河床沉积物中铬铜的升迁释放研究

通过静态吸附实验和动态模拟实验，研究了汾河太原段河床沉积物对重金属的吸附性能及其升迁释放规律。结果表明：（1）在河床沉积物中，铬铜的存在形态主要以难溶残余态存在，含量百分比分别为44.20%,53.06%；（2）在静态吸附实验中，河床沉积物对铬铜的吸附性能很强，且随pH的升高而略有增加，2h即可达到吸附平衡终点，pH=5时，残留量仅为[Cu^2 ]=4μg/g、[Cr^6 ]=11μg/g,随pH的升高和净度的增加而减小，但[Cr^6 ]、[Cu^2 ]升迁释放量很小，仅占总量的1.1%-0.9%和4.3%-1.9%；（3）河床沉积物中铬铜的升迁释放是一个缓慢的过程，释放量随pH的升高而减小。     

脉冲激光沉积法制备氧化铋薄膜及其电化学性质研究

首次采用355nm脉冲激光沉积在不锈钢基片上制备了氧化铋薄膜，X—射线衍射(XRD)测试表明在基片温度为300℃，沉积时间为0．5h制备得到的Bi2O3薄膜具有四方结构，SEM和Raman光谱测定对该Bi2O3薄膜的表面形貌和锂化前后的结构进行了表征，结果表明薄膜由小于100nm针状晶粒组成，锂化后的产物可能是LixBi2O3。此外，由电位阶跃法测定了上述Bi2O3薄膜电极的锂离子扩散系数。电化学测定表明，上述Bi2O3薄膜具有充放电循环性能,在电压范围为0．70～3．5V，该氧化铋薄膜在充放电速率为2C时的比容量大约为100mAh／g，并且保持经100次以上充放电循环而没有明显的衰减。     

Na+和NH+4对电沉积W合金的影响

研究了以Na2WO4为W来源、以柠檬酸盐为络合剂的CoW、CoWPt合金电镀中,Na+和NH+4对镀层W含量的影响.结果表明:镀层W含量随着溶液中Na+浓度的升高而降低,随着NH+4浓度的升高而增高.     

离子选择性电极直接电位法测定牙膏中游离氟

利用氟离子选择性电极直接电位法测定了牙膏中的游离氟．讨论了总离子强度调节缓冲剂(TISAB)的组成及用量，氟电极在测定后快速恢复到空白值，以及不同空白值对测定结果的影响．实验结果表明游离氟的浓度在0．1000-9．000mg／ml范围内线性关系良好．方法的最低检出限为0．02000μg／ml，相对标准偏差RSD≤2．5％，加标平均回收率为100．8％～104．7％，方法简便，准确．     

W离子注入奥氏体不锈钢的微动磨损性能

采用金属蒸气真空弧离子源，在奥氏体不锈钢上注入金属W离子，研究了W离子注入对奥氏体不锈钢微动磨损性能的影响．结果表明，W离子注入后不锈钢的表面硬度提高了3倍；W离子注入能够显著改善奥氏体不锈钢的微动磨损性能，降低微动磨损面积．这主要归因于离子注入造成的表面强化，以及离子注入在基体表面产生的压应力．     

在创造超级稻新种质中离子束生物技术的发展方向

从三个方面分别论述了创造水稻新种质的必要性、促进水稻遗传改良的可能性和培育超级稻新种质的方向性。随着离子束生物技术的不断改进和完善，它在水稻遗传改良中的作用会越来越明显。在今后的研究过程中其技术思路可以用“诱变介导，生殖发育，倍性变化，特异种质”这16个字进行概括。     

多细胞藻海带对Cu2+、Ni2+的吸附性能研究

探讨了海带对Cu2 ，Ni2 的吸附性能及温度、时间，介质pH值，离子浓度等因素对吸附的影响．结果表明：在适宜条件下．海带对Cu2 ，Ni2 的去除率分别为95．17％、97．23％．     

锂离子电池用正极材料Li(Co0.2-XNi0.8MnX)O2的合成制备研究

研究了一种制备新型锂离子电池正极材料的工艺方法．通过采用溶胶凝胶法(sol-gel法合成了新型电池正极材料Li(Co0．2-XNi0．8MnX)O2。并采用XRD方法分析了材料的相变过程、烧结温度、烧结时间对材料相合成的影响及不Mn／Co比掺杂对材料相变的影响；通过SEM照片可见，Li(Co0．2-XNi0．8MnX)O2粉末元素分布均匀、粒径为1～4微米．为今后进行充放电性能的测试工作做准备．     

在Co2+注入修饰电极上米托蒽醌的电化学行为及其应用

米托蒽醌(MX)在0.005mol*L-1 Tris-0.05mol*L-1 NaCl (pH7.1)缓冲溶液中, 在Co离子注入玻碳修饰电极(Co/GCE)上,有一灵敏的伏安还原峰,峰电位为-0.68V,峰电流与MX的浓度在1.8×10-7～9.0×10-6 mol*L-1 间呈线性关系,检出限为9.0×10-8 mol*L-1.将该法用于病人尿样的测定,回收率为94.6%～105.7%. 用线性扫描和循环伏安法研究该体系的电化学行为和电催化.实验表明,体系为不可逆过程.Co/GCE上的电流比GC电极的大,扫速对催化效率的影响实验证明,存在着催化作用.X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)实验表明,Co确实被注入在GC表面,注入的Co催化了MX的还原.     

单晶硅中离子注入及快速热退火后浓度分布模型

在考虑B，P，As离子注入单晶硅中的浓度分布模型的基础上，讨论了快速热退火对3种注入离子浓度分布的影响，提出了3种离子在快速热退火后浓度分布的修正模型，由修正后的模型得到的多次离子注入模拟结果与实验结果符合很好。