一类新型双杂环衍生物的合成及其杀菌活性

三唑并嘧啶类杂环衍生物由于其分子结构中同时包含了三唑及嘧啶这两类重要的活性结构单元 ,因而往往表现出广泛的生物活性[1～ 4] ,既可以用于医药 ,也可以用于农药 .因此 ,近年来关于三唑并嘧啶类衍生物的合成及其生物活性的研究受到了人们的广泛关注 -二甲基 - 1 ,2 ,4-三唑     

网络资源建设的思考

在现在的教育教学活动过程中,以网络教育形式来传递教育教学信息,愈发显得重要。以网络基础开展的教育教学活动中,资源建设对整个教学的进展起着至关重要的作用     

在Triton X—100存在下,用2-(5-溴-2-吡啶偶氮)-5-二乙胺基苯酚(5-Br-PADAP)分光光度测定方钍石中的钍

方钍石是钍来源的重要含钍矿物。目前测定钍的含量的方法较多,虽有用5-Br-PADAP测定钍的方法的报导,但未见有在triton X-100存在下,用5-Br-PADAP直接测定方钍石中钍的含量的报导。Triton X-100的存在,使测定的酸度增加,从而增加干扰元素的干扰比;并且增加了络合物的稳定时间。本文采用5-Br-PADAP作显色剂,在氯乙酸-氯乙酸钠缓冲体系中用triton X-100表面活性剂胶束增溶分光光度测定方钍石(人工样品)中钍的含量,获得较满意的结果。在25毫升中,钍的比耳定律范围在0～20微克,摩尔吸光系数为5.2×10~4升·摩尔~(-1)·厘米~(-1),Sandell灵敏度为0.0045微克钍(IV)/厘米~2。我们对两种含量的方钍石人工样品进行了测试,结果良好,回收率在97.3～101.4％之间,此方法可靠,精密度较高,误差符合微量组分的测定要求,我们对样品测定结果表示满意。     

中国电子工业企业微观环境分析

本文运用五种竞争作用力理论，具体分析了中国电子工业的微观环境，通过分析可以看出中国电子工业的外部微观环境主要就是电信运营企业和自身合资企业中中外双方的股东企业。这种结果对分析中国电子工业企业的发展简化了环境。     

DCPD/C9热聚型石油树脂的聚合工艺研究

提取乙烯裂解副产物C5馏分中的双环戊二烯馏分，与裂解C9、C5馏分按不同配比混合，通过自由基聚合反应得到热聚型石油树脂，并确定了热聚型石油树脂的工艺参数。     

运输包装设计过程探讨

本文根据缓冲包装五步设计法,包装设计的目的(保护产品、方便储运、促进销售),运输包装的基本要求,探讨了运输包装的设计过程.     

微乳液介质中5''-硝基水杨基荧光酮光度法测定微量锰

研究了在混合微乳液介质中 ,Mn(Ⅱ) - 5’ -硝基水杨基荧光酮 (5’ -NSF)的显色反应 ,在pH =9.5～ 10 .5的硼砂缓冲体系中 ,Mn(Ⅱ)与 5’ -NSF形成 1∶2的紫红色配合物 ,ε548=1.4 4× 10 5L·mol- 1 ·mL- 1 ,锰质量浓度在 0～ 0 .2 8mg·L- 1 范围内服从比尔定律。该方法用于岩石矿物及水中微量锰的测定 ,结果满意     

The concentration quenching characteristics of ~5D_3-~7F_J and ~5D_4-~7F_J (J=0―6) transitions of Tb~(3 ) in YBO_3:Tb~(3 ) phosphor

The photoluminescence quenching behaviors of 5D3-7FJ and 5D4-7FJ (J = 0―6) transitions of Tb3 in YBO3:Tb under 130―290 nm excitation were systematically investigated. The results revealed that the quenching concentrations of both 5D3-7FJ and 5D4-7FJ transitions of Tb3 in YBO3:Tb were mainly de-pendent on excitation wavelength. Particularly,the quenching concentrations of 5D4-7FJ transitions of Tb3 under 130―290 nm excitation were correlated with excitation bands of YBO3:Tb. The quenching concentrations of 5D3-7FJ transitions remained at low concentration (2%) under 186―290 nm excitation and then increased gradually with energy of incoming excitation photon when excited at 130―186 nm. This dependence should be involved in their excitation mechanisms and quenching pathway in particular excitation region.