静电屏蔽物理原理

本文从电场强度、电势两方面探讨了静电屏蔽的物理原理以及静电屏蔽的实质。     

GDX—硅胶混合薄层色谱板的效率和定量性能

对用ＧＤＸ－１０２－硅胶Ｇ、有机粘合剂研制出的混合薄层板进行性能测试，评价了其在硝基苯胺异构体、酸性食品染料分离测试方面的应用，得到好的结果。     

激光开槽、埋槽电极硅太阳电池

报道一种新颖的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的结构、工艺流程及其研制结果。在ＡＭ１．５，２５℃，１００ｍＷ／ｃｍ２的条件下，以面积为４５ｃｍ３的３６片硅片研制的硅太阳电池的输出参数的平均值为ＪＳＣ＝３６．１ｍＡ／ｃｍ２，Ｖ∞＝６３３ｍＶ，Ｆ．Ｆ．＝０．７９８，η＝１８．２３％，最后分析了种高性能硅太阳电池的设计特点。     

像势对量子阱中类氢杂质结合能的影响

在有效质量近似下，利用变分方法研究了像势对量子阱中类氢杂质结合能的影响。计算中考虑到了阱和垒中电子有效质量的不同。数值计算结果表明：阱和垒中质量的不连续只对阱宽较窄的区域有影响，而像势则在整个区域都有影响．对于阱和垒中介电常数之比较大和阱宽较小的量子阱，考虑像势对阱中杂质结合能的修正是非常必要的     

四阶段三层次洗毛机理的研究

根据国产原毛表面各种污染物的特点、分布状态及其去除过程，提出了原毛表面污染物去除过程的四个阶段：润湿阶段、溶胀阶段、快速去污阶段和慢速去污阶段；原毛表面污染物可分为附着层、混凝层和结合层。各层污染物在纤维表面附着状态不同、结合形式不同，因而各污染物洗涤难易程度和去除机理各不相同．结合层污染物较难去除，洗涤时针对结合层污染物特点需采用特殊工艺。     

任意形状导体空腔内的电位及场强分析

由静态场的泊松方程求出任意形状导体空腔内的电位和场强分布，说明即使导体空腔表面的电荷分布不均匀，但空腔内部的电位仍然处处相等，整个导体是等位体，场强分布为零，与导体空腔形状无关．这一结论在分析静电屏蔽及TEM波在空芯金属波导管中的传播有一定的意义。     

新电位溶出分析方法研究

本文对新电位溶出分析方法进行了综述和研究,并着重讨论了流动注射电位溶出分析和间断多次扫描流动注射电位溶出分析.     

YN相互作用和轻超核∧^5He结合能的计算

在手征SU(3)夸克模型基础上，用共振群方法，给出∧N相互作用的非定域位，并用于轻超核∧^5He的结合能的计算，得到了与实验和其他方法相近的结果．     

玻璃钢地下输水管的生产工艺

阐述了生产玻璃钢地下输水管道的工艺流程及管壁各层的设计内容及其作用,分析了各工艺中的工艺要点,并给出了生产工艺数据。     

NaH分子基态(X1∑+)的分子结构与势能函数

用量子化学计算方法与基组CCSD(T)/6-311 G(3DF,2PD)、QCISD(T)/6-311 G(3DF,2P)、QCISD(T)/aug-cc-pvtz和CCSD(T)/cc-pvtz,优化计算了NaH分子基态的平衡结构和离解能,得到的平衡核间距与实验值基本吻合。采用Murrell-Sorbie函数的修正式进行非线性最小二乘法拟合,得到了NaH分子势能函数的解析表达式,并进一步计算出NaH分子的力常数及光谱常数;计算结果与实验数据非常吻合。