SiC材料的制备及生成反应的分析

本文对ＳｉＣ颗粒、晶须和纤维的制备方法和碳热还原反应作了探讨,碳熟还原应作了制备ＳｉＣ材料的主要反应可为两个基本过程,首先为ＳｉＯ气的产生,其次ＳｉＯ直接与Ｃ反应生成ＳｉＣ,或ＳｉＯ成硅再与Ｃ反应生成ＳｉＣ。     

纤维补强SiC基复合材料的研究

探讨硅酸铝纤维和氧化锆纤维增强ＳｉＣ基复合陶瓷材料的制备工艺．研究了纤维的引入对试样的强度等物理性能的影响,进行了显微结构的初探．结果表明,纤维的引入能显著提高试样的强度和其它性能,试样中的纤维经１４５０℃烧成后仍交错分散在基质中     

亚微米Al2O3,3Y—TZP和纳米SiC水悬浮液稳定性的研究

纳米第二相颗粒弥散在陶瓷基体中构成的复合材料具有优异的力学性能。制备这类复合材料的关键在于纳米级陶瓷粉体的充分分散和复合粉体的均匀混合工艺。本文采用“电空间稳定机制”,以聚电解质PMAA－NH4为分散剂,研究了Al2O3,3Y－TZP和SiC单相系统和Al2O3,－SiC和3Y-TZP－SiC纳米复合系统的最佳分散条件。     

全桥DC-DC变换器中SiC器件损耗分析

目前以碳化硅(SiC)MOSFET为代表的第三代宽禁带半导体有着高工作频率、低开关损耗、耐热性高等优点,可以有效的降低DC/DC变换器的整体损耗,提升电能转换效率。在以金属氧化物半导体场效晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor, IGBT)作为开关器件的全桥DC-DC变换器中,软开关技术的使用虽然会导致循环电流和较大的电流纹波,产生额外的损耗,但一般该损耗远低于开关损耗,可以有效降低变换器整体损耗。但对于SiC MOSFET全桥DC-DC变换器,碳化硅器件的开关损耗很低,可能会低于软开关技术的额外损耗,因此软开关技术在SiC MOSFET中的有效性面临挑战。本文采用英飞凌官方提供的型号为IMZA120R014M1H的SiC MOSFET的PLECS热仿真模型,对其在全桥DC-DC变换器中的软开关和硬开关损耗进行了全面的仿真实验和分析,以探究软开关技术在SiC MOSFET全桥DC-DC变换器中的有效性,同时提供一种变换器开关损耗和总体损耗研究的方法。实验结果表明,在100kHz的SiC MOSFET主流工作频率下,软开关开关损耗和总体损耗仍旧远低于硬开关,软开关技术在基于SiC器件的全桥DC-DC变换器中仍旧具有重要的作用和意义。     

MEVVA注入法合成SiC／Si异质结构的椭偏光谱研究

利用ＭＥＶＶＡ离子源进行离子束合成，制备了Ｃ＾＋离子注入单晶Ｓｉ衬底的样品，并利用椭偏光谱法研究了退火和未退火两种情况。椭偏光谱测量波长范围为４００￣２０００ｎｍ。通过对所测量样品的椭偏光谱数据分析，可得到离子束合成ＳｉＣ／Ｓｉ异质结构的多层膜结构。椭偏光谱法的测量结果证实：退火样品形成了ＳｉＣ埋层，即使进行高温、长时间退火处理，该埋层ＳｉＣ仍难以得到ＳｉＣ体材料的光学常数。