中能重离子碰撞的微观理论

中能重离子碰撞是自洽平均场效应、二体碰撞效应和泡利阻塞效应交互作用的领域。描述中能重离子碰撞应使用原子核多体关联动力学理论，ＢＵＵ方程是包容了以上３种效应的可计算方案，本文由多体关联动力学经适当近似过渡到了ＢＵＵ方程，并讨论了与此相关的几种中能重离子碰撞的微观理论。     

试样加入法-离子选择性电极测定氟

建立了一种离子选择性电极法测定高浓度氟的新方法.该方法在体积为100.0 ml、浓度为1.000×10-4 mol/l的标准溶液中加入1.000 ml高浓度试样,加入前后测定其电动势,由这两个电动势和溶液体积计算试样的含氟量.10次测定的标准偏差S小于0.004,相对标准偏差RSD小于4%,3个水平、6次测定的回收率在95.0%～101%之间.     

Ion transport-related resistive switching in film sandwich structures

Resistive switching memories based on ion transport and related electrochemical reactions have been extensively studied for years. To utilize the resistive switching memories for high-performance information storage applications, a thorough understanding of the key information of ion transport process, including the mobile ion species, the ion transport paths, as well as the electrochemical reaction behaviors of these ions should be provided for material and device optimization. Moreover, ion transport is usually accompanied by processes of microstructure modification, phase transition, and energy band structure variation that lead to further modulation of other physical properties, e.g., magnetism, optical emission/absorbance, etc., in the resistive switching materials. Therefore, novel resistive switching memories that are controlled through additional means of magnetic or optical stimulus, or demonstrate extra functionalities beyond information storage, can be made possible via well-defined ion transportation in various switching materials and devices. In this contribution, the mechanism of ion transport and related resistive switching phenomena in thin film sandwich structures is discussed first, followed by a glanceat the recent progress in the development of high-performance and multifunctional resistive switching memories. A brief perspective of the ion transport-based resistive switching memories is addressed at the end of this review.     

N~ 注入参数对 40Cr 钢和 GCr15 钢显微硬度影响的研究

通过正交试验，研究了Ｎ＋注入参数对４０Ｃｒ钢和ＧＣｒ１５钢表面显微硬度的影响。结果表明离子注入使４０Ｃｒ钢和ＧＣｒ１５钢表面硬度得到了提高，且存在一个最佳注入剂量为４×１０１７ｉｏｎｓ／ｃｍ２。     

硅对盐胁迫下枣树根尖离子微域分布的影响

运用X射线电子探针研究了硅对盐胁迫下金丝小枣(Ziziphus jujubacv.Jinsixiaozao)根系中离子微域分布的影响。结果表明:盐胁迫(NaCl质量分数为0.3%)处理使得枣苗根系表皮、皮层和中柱细胞中Na 、Cl-的X射线峰较高,而K 峰较低;而盐胁迫处理加入0.4 g/kg硅后,根系表皮、皮层和中柱细胞中Na 、Cl-的X射线峰显著降低,而K 峰则大幅度提高,并且使Na 、Cl-在根系各部分呈均匀分布。表明盐胁迫下给土壤施硅可改变金丝小枣体内养分离子的吸收和离子的微域分布,从而缓解盐分离子对金丝小枣的毒害作用。     

电沉积NiHCF薄膜的离子选择性研究

采用电沉积方法在铂、铝基体上制备出具有电化学控制离子交换（ESIX）性能的电活性NiHCF（Nickel Hexacyanoferrate）薄膜，在1mol／L（NaNO3＋CsNO3）和1mol／L（KNO3＋CsNO3）混合溶液中分别测定了不同Cs^＋浓度下薄膜的伏安特性曲线和电化学交流阻抗谱，并根据CV曲线和EIS曲线的变化特征分析了薄膜对Cs^＋／K^＋和Cs^＋／Na^＋离子的选择性。结果表明，交流阻抗技术与循环伏安法相结合可较好地用来表征混合溶液中离子膜的选择性。     

RbCl在含水混合溶剂中热力学性质的测定和研究（298.15K）

用一价阳离子选择性电极和氯离子选择性电极组成可逆电池,通过测定电池的电动势（Ｅ／ｍＶ）,据热力学原理,引用扩展的Ｄｅｂｙｅ－Ｈüｃｋｅｌ公式,求算了ＲｂＣｌ由Ｈ２Ｏ至（Ｈ２Ｏ－ＭｅＯＨ）和（Ｈ２Ｏ－ＤＭＦ）混合溶剂的标准转移Ｇｉｂｂｓ自由能（ΔＧ°ｔ／ｋＪ·ｍｏｌ－１）及其在水和混合溶剂中的活度系数（γ±）,并据离子溶剂化理论对ＲｂＣｌ的ΔＧ°ｔ和γ±某些改变规律进行了讨论．     

离子注入聚醚砜膜的光电特性研究

用15keV的N+或Ar+注入聚醚砜（PolyetherSulfone简称PES）薄膜,在D＝3×10（16）ions／cm2时,纯PES膜表面电导率提高了五个数量级,掺碘PES膜表面电导率提高了四个数量级。在D＝3×10(16)ions／cm2时,离子注入PES膜的表面电导率已达到半导体水平且在大气中非常稳定。离子注入引起PES膜先吸收率显著增加。     

碱金属离子和铵的离子色谱法测定──有机酸淋洗液

本文采用阳离子交换拄分离,电导检测的单柱离子色谱法测定Li~+、Na~-、NH_4~+和Rb~+。选用草酸作为淋洗液,浓度为4m mol/L,在此条件下测得得离子的检出限,相对标准偏差和工作曲线回归方程,应用于自来水、井水、汽水和雪样中Na~+、NH_4~+和K~+的测定,结果良好。     

椭圆偏振光研究N2^＋注入Si的退火特性

本文用椭圆偏振仪测量了在不同剂量和不同能量下的N_2~+注入Si后的随偏参数ψ和Δ,给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系,同时,我们在N_2气氛中对离子注入片进行等时热退火,然后测量ψ和Δ,给出了N_2~+注入Si的退火特性,结果表明:N_2~+注入Si的退火特性曲线,对不同的注入剂量和注入能量分别为“υ”形和“W”形。