气藏压裂水平井裂缝参数优化分析

裂缝参数是影响压裂水平井产能的主要因素,为了优化合理的裂缝参数,建立水平井及裂缝耦合的数学模型,该模型综合考虑压裂水平井长度、井筒摩擦阻力、裂缝条数、裂缝长度、裂缝导流能力、裂缝间距等影响因素,应用Green函数和Newman乘积原理,给出压裂水平井不稳定渗流下的产能求解方法。研究表明:压裂水平井产能随着裂缝导流能力的增加而增大,但是当导流能力增加到一定程度后,产能增加的幅度开始逐渐变小。对于压裂水平井存在最优的裂缝导流能力;对于裂缝条数已知,压裂水平井长度存在一个最优值;对于水平井长度已知,则存在最优的裂缝条数;裂缝条数与水平井长度之间存在最优的匹配关系。     

偶联表面活性剂和传统表面活性剂混合水溶液的性质

研究了偶联正离子表面活性剂12-3-12,2Br^-和传统负离子表面活性剂SDS复配体系的液相性质,考察了两表面活性剂的混合比对复配体系的表观现象、流变性、电导性等物理化学性质的影响。结果表明该体系同传统的正、负离子表面活性荆复配体系相似,在一定的混合比范围内出现了液晶区和双水相区。偶联表面活性剂的特殊结构及其与传统表面活性荆的协同作用决定了此体系中液晶相、双水相的独特性质。此外,溶液混合比的变化对溶液的流变性及导电能力的影响很大。冷冻蚀刻技术,负染色技术以及透射电子显微技术对溶液内部胶束微观结构的研究表明,溶液的混合比影响着胶束的形态从而影响了溶液的粘度及电导率。     

溴化银T颗粒乳剂微观电性能的研究

根据Wanger直流极化法原理,采用可逆电极与阻塞电极并用的方法,对溴化银T颗粒乳剂微晶体在直流电场中进行极化,当离子电流为零时测得其电子电导率和空穴电导率。当乳剂中掺入浅电子陷阱掺杂剂[Fe(CN)6]^4-时,其电子电导率增大,空穴电导率下降。电子电导率的变化可以反映出溴化银乳剂灰雾产生的内在原因,空穴电导率的变化则反映出I^-对空穴捕获的作用。     

电导法研究两性树脂与游离酸的相互作用

利用电导实验技术,跟踪观察两性树脂吸附低浓度游离酸的行为,讨论了酸浓度和外加盐等因素对吸附的影响,利用固－液相互作用方程,求取吸附剂－吸附质相互作用能,实验结果表明,两性树脂吸附低浓度游离酸的过程是遵循单分子层机制进行的,表观吸附速率常数随着吸附质浓度和外加盐离子强度的增大而减少,并且与吸附剂－吸附质相互作用（－Ｕ）线性相关。     

溶胶—凝胶法制备Li2＋xNdxSi1—xO3及其离子导电性研究

采用溶胶－凝胶法制备Ｌｉ２＋ｘＮｄｘＳｉ１－ｘＯ２（ｘ＝０￣０．１５）,用ＤＴＡ,ＸＲＤ,ＴＥＭ核对样品的结构,形貌、粒径及离子导电性进行了观察和测试,结果表明：其固溶体形成范围是０〈ｘ≤０．０９,在固溶体范围内,样品电导率随掺杂量增加而增高,平均粒径为０．２μｍ,与传统固相合成方法相比,该法可使样品的生成温度降低,离子导电性得到提高。     

气体分子对纳米材料硅石气凝胶热传导的影响

以动态热线法测量不同气压下纯硅石凝胶和ＴｉＯ２掺杂硅石气凝胶的气态热导率,研究ＴｉＯ２掺杂对硅石气凝胶气态热传导的影响。实验结果表明,硅石气凝胶的微孔洞中气体分子热运动受限,考虑气体分子间,气体分子与固体颗粒间撞对气体分子平均自由程影响的气态传导理论能很好的解释实验现象,理论和实验都表明,ＴｉＯ２掺杂硅石气凝胶的气态热导率较大。     

InAs-SiO2的电学特性研究

通过测定一系列镶嵌薄膜样品的电学特性,发现其电阻具有ＶＲＨ电导特性,认为主要是由于薄膜中的半导体受到三维发域作用导致局域态的波函数交叠引起的。研究表明对于Ⅲ－Ｖ族元素半导体颗粒镶嵌薄膜的变程跳跃电导在导电机制中起主导作用。     

静电场对碗豆幼苗膜透性影响与跨膜电导率

根据静电场作用下碗豆幼苗膜透性的试验结果,应用分子力学方法研究了离子跨膜输运能量,将植物细胞膜内部模拟为两个介电常烽不同的空间电荷区,建立离子跨膜模型,导出了界面势垒的静电荷密度与界面电导率,并从电子水平研究植物细胞畸变机理。     

MA和SPD法制备的纳米Ag-Cu合金的研究

纲伙Ａｇ－Ｃｕ合金分别通过机械合金化（ＭＡ）和剧烈塑性形法（ＳＰＤ）制备,纳米Ａｇ－Ｃｕ合金随退火温度的变化特征,通过透射电镜和Ｘ射线衍射并结合电导率测试结果,对纳米合金的微观结构和导电性能进行了分析和讨论。     

识别材料导热系数和导温系数的温度场逆分析

为了识别材料导热系数和导温系数,采用观测温度同时识别材料导热系数和比热容,在建立同时确定导热系数和比热容的肯态温度场逆分析数值计算模型的基础上,引入混沌优化方法求解该优化模型。以克服阻尼牛屯等方法求解该模型所遇到的困难,在瞬态温度场正问题求解中采用了精细积分方法以提高计算精度,算例验证了本文方法的有效性。