A-Si∶H磷掺杂固相效率

证明了ａ－ＳｉＨ磷掺杂固相效率η可表示成磷气相浓度的解析函数，其系数可由磷掺杂饱和极限、悬挂键密度和带尾态电子密度等的实验值决定     

KZnF3：Fe^3＋晶体中Zn^2＋—空位研究

本文通过对零场分裂参量的理论计算，证实了ＫＺｎＦ３：Ｆｅ＾３＋晶体中Ｚｎ＾２＋－空位方向的配体要移动。     

导电聚苯胺/聚苯乙烯核/壳结构复合微球的制备

通过化学改性对聚苯乙烯微球进行磺化处理，引入亲水性的磺酸基，采用原住聚合的方式，在磺酸根的掺杂下制备了具有核／壳结构的导电聚苯胺／聚苯乙烯复合微球。复合微球中聚苯胺含量为19．3％时导电率约为0．10S／cm，与用聚苯乙烯磺酸本体掺杂的导电率相当。     

一个基于1,10-邻菲咯啉端基配体的己二酸桥联双核铜配合物的合成与晶体结构

通过Cu(ClO4)2与己二酸(adipate)和邻菲咯啉(phen)在甲醇-水溶剂中反应得到了一个双核配合物[Cu2(phen)4(adipate)](ClO4)2.(H2O)1.33,并用元素分析、红外及X-单晶衍射技术进行了结构表征.标题化合物属于单斜晶系,C2/c空间群,晶胞参数为a=3.431 6(3)nm,b=1.380 05(12)nm,c=3.241 4(3)nm,β=94.679 0(10)o,V=15.299(2)nm3,Z=8.晶格中存在1.5个结晶学独立但结构参数非常类似的双核单元.每个中心Cu(Ⅱ)离子均处于五配位扭曲四方锥构型,配位原子分别来自于两个螯合的邻菲咯啉配体和一个己二酸根上的羧基氧原子.为了减小空间位阻效应,与中心Cu(Ⅱ)离子螯合配位的两个邻菲咯啉配体之间近似呈垂直排列.两个相邻Cu(Ⅱ)离子通过己二酸根离子连接形成双核结构,且相邻的双核单元之间存在较强的芳环堆积相互作用.     

二价离子掺杂钨酸铅晶体的计算机模拟

应用GULP软件计算了PbWO4(PWO)晶体中分别掺杂Zn、Ca二价离子的相关缺陷生成能,并对计算结果进行了讨论.结果表明,Zn离子进入PWO晶体中只能占据铅空位附近的填隙位置,而Ca离子进入PWO晶体中可以占据铅空位,也可以占据铅空位附近的填隙位置,这两种情况出现几率近似;对于相同的掺杂浓度,在掺Zn的PWO晶体中的孤立铅空位数量比掺Ca的PWO晶体中少,从而掺Zn可以更好地抑制与铅空位有关的短波段吸收,增加晶体的光产额.     

金刚石薄膜电极处理含氯酚废水的实验研究

以硼掺杂金刚石薄膜(BDD)为电极,采用电化学氧化的方法对含氯酚废水进行实验研究。采用循环流动的方式,结果表明:在给定不同恒电位的情况下,电流随时间变化的规律也不同;在高电位时电流密度比较大,使间接氧化增强,导致COD去除率和瞬时电流效率(ICE)增大;由于支持电解质N aC l在电解过程中产生的次氯酸盐氧化性强,因此N aC l比H2SO4对COD去除率和ICE增大更有利。采用钛基活性涂层(ACT)电极与金刚石电极的对比实验发现:由于BDD电极的弱吸附性,其处理效果明显优于ACT。     

锰掺杂BNT-BaTiO3陶瓷微结构和电性能的研究

研究了(Bi1/2Na1/2)TiO3-BaTiO3压电陶瓷在准同型相界附近锰离子掺杂对材料微观结构、压电和介电性能的影响.采用XRD和SEM等方法对材料的相结构和晶粒生长情况进行了研究.结果表明:掺锰有促进烧结的作用并能使晶格发生畸变,使相结构中的四方相向三方相转变;当掺杂量质量分数为0.3%时,可以获得较好的综合性能,压电常数d33=124 pC/N,径向机电耦合系数kp=31%,介电常数3Tε3/0ε=615,介电损耗tanδ=0.014,机械品质因数Qm=267,频率常数Np=3 050 Hz.m.     

尿素为氮源制备氮掺杂二氧化钛及其光催化性

为拓展二氧化钛对可见光的响应,以尿素为氮源,在温和条件下采用溶胶-凝胶法制备了氮掺杂二氧化钛粉末.用X射线衍射、透射电镜扫描、紫外-可见光漫反射吸收光谱和X射线光电子能谱等方法对制备的样品进行了表征,对可见光照射下的光催化活性进行了测试,并考察了煅烧温度及氮含量对光催化活性的影响.结果表明:氮掺杂致使二氧化钛在可见光区的光吸收增强,在降解甲基橙的实验中表现出良好的可见光催化活性;随煅烧温度的增加,氮含量减少,晶粒增大,可见光催化活性减弱;400℃下制备的样品中存在一个最佳的N/Ti配比,所对应的可见光催化活性最高.     

电解液pH值对电沉积纳米晶Cu的影响

通过直流电沉积纳米晶铜实验,研究电解液pH值对电沉积速率和沉积层微观结构的影响。结果表明,电沉积速率随着电解液pH值的升高而下降。pH值为8.0时,沉积铜层具有明显的(111)方向织构,晶粒尺寸大于100 nm。随着pH值的升高,沉积铜层(200)晶面的择优取向程度不断上升,晶粒尺寸逐渐减小。pH值为9.0时,铜晶粒平均尺寸为44.2 nm。实验发现,电解液pH值的最佳范围为8.8~9.0。     

Cu(111)表面能及功函数的第一性原理计算

应用基于局域密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了铜体材料的结合能及晶格常数的理论值,并由此计算了Cu(111)面的表面能及功函数。计算所得到结果与实验数据吻合较好。