量子阱中束缚极化子基态结合能

用变分法研究量子阱中定域体声子和界面声子对束缚极化子基态能量和结合能的影响，给出了束缚极化子基态结合能随阱宽变化的数值结果．研究发现，当阱宽比较小时，界面声子对结合能的贡献较大，而阱宽较大时，体声子对结合能的贡献较大．总的结合能随阱宽的增大而减小．     

极性晶体中的慢速运动极化子

本文计及电子发射和吸收多个虚声子对极化子的影响，用改进了的线性组合算符法讨论了极性晶体中的慢速运动极化子的性质，给出了极化子基态能量，有效质量和围绕电子的平均虚声子数的解析式，在极限情形下，得到了中间耦合理论和强耦合理论的结果，在普适耦合情形，给出了数值计算结果，在电子－声子耦合常数α≥7．2时，得到了较强耦合理论更为合理的基态能量上限，以及围绕电子的平均虚声子数和极化子的有效质量。     

多原子晶体中体极化子的激发能量

研究多原子晶体中体极化子内部激发态的性质，采用么正变换和Huybrechts的方法计算了多原子晶体中弱耦合体极化子的激发能量．结果表明，体极化子的基态能量和激发能量表示为耦合常数a的幂级数。     

抛物阱中的束缚极化子

利用变分法研究了抛物量子阱中束缚极化子的极化势、基态能量和能量移动，讨论了抛物量子阱中体纵光学(LO)声子和界面纵光学(IO)声子的影响．研究结果表明，对于杂质位于阱中心的情况，当阱很宽时，可以只考虑LO声子的作用；当阱很窄时，必须同时考虑LO声子和IO声子的影响，而且IO声子的作用更重要．     

极性晶体板中极化子的基态能量和有效质量

应用Ｌｅｅ－Ｌｏｗ－Ｐｉｎｅｓ（ＬＬＰ）方法研究极性晶体板中极化子的性质,给出极化子基态能量和有效质量的解析表达式,并以ＧａＡｓ极性晶体板为例进行数值计算,讨论了体纵光学模声子和表面光学模声子对极化子性质的影响     

多原子极性晶体中强耦合表面极化子的内部激发态

研究多原子极性晶体中强耦合表面极化子内部激发态的性质 ,采用线性组合算符和么正变换方法计算多原子极性晶体中强耦合表面极化子的第一内部激发态的能量     

La_(0.85)Na_(0.15)MnO_3的结构、磁性质和输运性质

实验研究了由 Pechini方法制备的 L a0 .85Na0 .1 5Mn O3多晶陶瓷样品的结构、磁性质和输运性质 .发现 L a0 .85Na0 .1 5Mn O3的居里温度正好接近室温 ,在该温度附近 ,伴随铁磁相到顺磁相的转变 ,同时发生金属 -半导体转变 ,且在居里温度附近 ,0 .5 T外磁场下的最大磁电阻可达 14 % .理论与实验对比可知 ,在居里温度以上小极化子非对角跳跃为主要导电机制 .     

Interfacial polaron in quantum dots and luminescent porous silicon

Polaronic effect is important in the current researches on quantum dots (QD). This paper reported a new concept of the "confined polaron", their size dependent formation possibilities and energy variation in different QD systems, with an indication of contribution from both intrinsic and/or extrinsic phonons. To understand the spectro-scopic characteristics of porous silicon (PS), we find that luminescence behavior of oxidized porous silicon is in good agreement with the model of interfacial confined polaron in QDs. This conclusion is useful to unveiling the mechanmism of PS luminescence.     

抛物量子阱的有效量子限制长度及其极化子特性

采用新的等效长度方法确定了抛物量子阱的有效量子限制长度,并与其他方法的结果进行了比较分析.在此基础上,采用分数维方法计算了抛物量子阱中的极化子特性.     

量子阱中极化子的性质

给出声子分布函数的解析表达式，并利用该表达式和Lee-Low-Pines(LLP)变分方法计算极性晶体板中极化子的基态能量，与自恰的数值结果进行比较，结果吻合。