甘氨酸在电沉积铁铬合金中的作用

研究不同浓度甘氨酸对电沉积铁铬合金过程的影响,分析了甘氨酸在电沉积过程中的作用.加入甘氨酸后,可得到优良的镀层,而不含甘氨酸时,镀层中夹杂铬的化合物,造成镀层质量低劣.甘氨酸浓度为0.4～0.8 mol·L-1时,镀层中铬含量较稳定.甘氨酸的加入使得阴极极化增加,电位负移.在此镀液中,甘氨酸与Fe(Ⅱ)络合,使其析出电位负移,达到铁铬共沉积的目的.     

杂质对三价铬电沉积行为的影响

针对三价铬镀铬的镀液不稳定的问题,主要讨论Cu2 、Ni2 等金属离子对镀液的影响,并提出了相应的处理措施.     

添加剂对锰渣中铬离子浸取的影响

以8-羟基喹啉、磺原酸钾、十六烷基三甲基苄基溴化铵、磷酸三丁酯和柠檬酸为浸取添加剂，考察了添加剂用量、浸取时间、浸取温度和酸矿比等对铬离子浸出率的影响.实验结果表明：用0.8%磺原酸钾做添加剂，在固液比为1∶4（g/mL），酸矿比为0.3∶1(mL/g)，浸取温度为60 ℃下浸取90 min，Cr6+离子浸出率为38.11％，是加热浸取法的1.5倍.     

电弧离子镀(Ti,Cr)N硬质薄膜的成分、结构与硬度

用Bulat6型电弧离子镀设备在高速钢表面沉积合成(Ti,Cr)N硬质薄膜。通过改变分离靶弧电流的配置来调节薄膜成分，制取了x=0.62-0.83的（TixCr1-x)N薄膜；考察了薄膜的成分、结构与硬度间的相互关系，明确了Cr在TiN基薄膜中使硬度提高的合金强化作用；结合元素周期律中的基本性质和热力学特征，讨论了Ti,Cr两种元素在（Ti,Cr)N薄膜的相结构（fcc)形成与合金强化中的作用。     

DLC多层膜对9Cr18微动磨损性能的影响

采用等离子体源离子注入（PSII）技术在9Cr18不锈钢基体上制备类金刚石碳膜（DLC）多层膜，比较了该多层膜与N注入层对基体微动磨损性能的影响，结果表明，注入N后，改性层内形成了CrN,Cr2N和Fe3N等氮化物相；PSII技术能够提高9Cr18不锈钢的抗微动磨损性能，实验所制备的DLC多层膜比N注入层具有更好的抗微动磨损性，这与最外层LDC膜的高硬度和低摩擦系数有关。     

二安替比林对-(-2,4-二硝基苯氧基-)-苯基甲烷与铬显色反应的研究

合成新试剂二安替比林对 - (- 2 ,4-二硝基苯氧基 - ) -苯基甲烷 (DAp DNPPM) ,以正交试验设计寻找该试剂与微量 Cr( )显色反应的最佳显色条件。最佳条件为 :最大吸收波长 485 nm,显色剂 1.0 0 % DAp DNPPM用量 0 .6 0 ml,(1+4 ) H3 PO4用量 3.0 0 ml,0 .40 mol.L- 1 Mn( )用量 8.0 0 ml,加热温度 85℃ ,加热时间 8min。在 0 .10～ 0 .80μg/ 2 5 ml范围内呈现良好线性关系 ,线性回归方程为 :A =1.0 36 C (μg/ 2 5 ml) - 0 .0 0 8,r =0 .998。摩尔吸光系数为 1.30× 10 6L .mol- 1 .cm- 1 。用该法测定水样中 Cr ( )含量 ,结果满意。     

Cr6+对厌氧微生物的毒性作用研究

通过对取自ASBR中的厌氧污泥Cr^6 中毒的产甲烷活性恢复试验，研究了不同Cr^6 质量浓度对产甲烷微生物的抑制程度及抑制作用的分子机理，得出结论：当Cr^6 质量浓度小于30mg/L时，是生理毒素；当Cr^6 质量浓度大于110mg/L时，是杀菌性毒素以及当Cr^6 质量浓度小于10mg/L时，其抑制作用发生在反应后期，当Cr^6 质量浓度大于30mg/L时，其抑制作用发生在反应初期，通过对不同Cr^6 质量浓度下的厌氧微生物群落及产甲烷菌形态的照片分析，发现Cr^6 对厌氧微生物群落的组成和厌氧微生物的形态没有影响，但是高质量浓度Cr^6 强烈抑制了产甲烷菌的活性。     

北祁连西段蛇绿岩型超基性岩铬尖晶石及对岩体含矿性的指示

产于超基性岩中的副矿物铬尖晶石化学成分复杂,物理性质稳定,抗蚀变能力强.本文通过对北祁连西段九个青羊等六个超基性岩体副矿物铬尖晶石化学成分标型特征,铬尖晶石种属的研究,并计算了铬尖晶石的两种含铁率,探讨了该区分布的蛇绿岩型阿尔卑斯超基性岩体的含矿性.     

包头铁水固氧提铌的工艺

提出了用固态氧化剂（轧钢铁皮或高品位铁精矿）从包头铁水提铌的工艺，简称铁水固氧提铌工艺。实验得到了固氧提铌最佳工艺参数：铁水温度为１３５０℃；Ｗ（氧化剂重量／生铁重量）为５％－１０％。探讨了非标准状态下，固氧提铌过程铁水中的Ｎｂ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｃ和Ｐ的热力学行为，分析了氧化剂加入量对铁水温度的影响。     

铬（Ⅲ）—尼克酸乙酯的制备及其电子光谱的研究

本文报道了配合物[Cr(Enic)_2(H_2O)Cl_3]·H_2O 的制备方法,并通过测定配合物的电子光谱,给出了铬(Ⅲ)d 电子的系列跃迁参数.