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901.
902.
Al基块体非晶合金因具有比晶态合金优异的力学、物理与化学性能备受人们关注,但Al基块体非晶合金具有很低的玻璃形成能力,铜模铸造法制备Al基块体非晶合金的玻璃临界尺寸明显低于其他合金体系,使得其试 相似文献
903.
采用杂化密度泛函理论研究YO团簇体系。中性分子YO的基态是二重态(2Σ),阴离子YO-和阳离子YO 的基态都是单重态(1Σ)。使用不同的基组计算团簇YO的电子亲和能和电离能。用含时密度泛函理论计算团簇YO的低能激发态,从理论上指认实验光电子能谱的谱峰。 相似文献
904.
GemSin(m=1,2;n=1~7)团簇结构与性质的密度泛函理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用密度泛函理论(DFT)对GemSin(m=1, 2;n=1~7)团簇的结构及稳定性进行了研究. 在B3LYP/6-311G水平上进行了结构优化和频率分析,得到了各团簇的最低能量结构. 对最稳定结构的二阶能量差分、分裂能、成键特性等性质进行了理论研究. 结果表明:GemSin团簇的稳定结构与Sis(s=m n)团簇的结构相似,相同尺寸的混合团簇原子间的成键特性非常相似,这为找到大尺寸的GemSin团簇稳定结构提供了一条有效途径. 电荷主要是从Ge原子转移到Si原子. 在所研究的团簇中,GeSi3, GeSi6, Ge2Si2, Ge2Si5的结构较稳定. 相似文献
905.
对半导体成品率进行预测分析可有效控制产品成本,提高产品质量,而缺陷问题是导致半导体成品率损失的关键因素。因此,考虑晶圆缺陷聚集特性和数据嵌套性,研究了一种密度聚类与多水平逻辑回归相结合的受缺陷限制的成品率预测方法。首先采用密度聚类算法获取晶片缺陷模式类型;将在线缺陷数据在晶片水平进行整合,作为多水平逻辑回归模型的输入参... 相似文献
906.
报道通过表面电位测量和C V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法.它包括两个非破坏性的测量首先,通过补偿法测量驻极体薄膜自由面的表面电位,然后在样品表面蒸镀金属电极,形成MIS结构,进行电容电压(C V)测试,由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位.电荷重心和电荷密度可通过计算得出.同时利用这一方法确定了硅基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜中的平均电荷重心,发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度,经过400℃下老化20min,常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3N4和SiO2界面附近. 相似文献
907.
潘滨 《哈尔滨师范大学自然科学学报》2001,17(1):41-43
利用CCD扫描的ACCS系统在彩色扩印机上的应用检测底片的色彩和密度。转换成数字信号,编制在程序电路中,以取得最佳扩印效果。 相似文献
908.
通过引进有限字母集上任意信源相对于非齐次马氏链的熵密度偏差和平均随机条件熵的概念,得出了在意信源的相对熵密度与相对于非齐次马氏链的平均随机条件熵之间的随机偏差不等式。 相似文献
909.
萝卜播期和栽培密度对产量及性状的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以“泸优一号”白萝卜为试材,研究不同时期播种和不同种植群体对萝卜产量和开花的影响。结果表明:播期推迟,植株生长势减弱,肉质根产量下降;开花量减少,结实率下降。高产栽培的适宜播期为 8月下旬至 9月上旬,最佳种植规格50 cm×33 cm,每穴 2苗。萝卜不同栽培密度下的根长与横径之比、株高与开展度之比可作为根形和株型划分的依据。 相似文献
910.
王迪;杨永强;黄延禄;吴伟辉 《华南理工大学学报(自然科学版)》2010,38(6)
为了提高选区激光熔化成型金属零件致密性与精度,首先对激光扫描单道熔池形成特性进行研究,讨论扫描速度、激光功率对熔池宽度影响,观察到熔池附近无粉区宽度 与熔池宽度 的关系为: = ×(1.5~2)。根据单道熔池成型特性,采用层间错开扫描策略提高零件致密性到近乎100%,显微观察层间与层内熔池搭接紧密。接着成型包括圆柱圆孔等几何单元讨论热影响、原始尺寸对尺寸精度的影响,当光斑补偿 与聚焦光斑直径 满足 时,尺寸精度达到(0.04~0.06)mm。对SLM成型件拉伸强度、延伸率、显微硬度测试分别为636Mpa、15%~20%与HV0. 3 250~285。结果表明,层间错开扫描策略与优化的光斑补偿值对SLM直接成型金属零件的致密性与精度具有较好效果。 相似文献