常见电极过程的半微分循环伏安图的探讨

本文用自装的ＯＳＶ８２—１型示波半微分伏安仪，研究了可逆、半可逆和不可逆电极过程以及 受吸附控制的电极过程和催化极谱的半微分循环伏安图的特征．并探索了采用不同工作电极所获 得的半微分循环伏安图的差异性．实验表明，半微分循环伏安曲线基线平稳，对称性良好，灵敏 度高，具有明显的典型性和特征性，是电化学研究的一个有效方法．     

基于时序的李亚普诺夫指数谱的计算

讨论了系统模型未知时李亚普诺夫指数谱的计算问题。在已知单个时序的条件下，利用非线性回归方法得到了一个与已知系统同构的系统，设计了一种估计系统参数的稳健的递推算法，以此实现李亚谱诺夫指数谱的计算，数值结果证明了这种方法的可行性。     

电子印刷中的乐谱自动识别及其恢复

在乐谱印刷中需要将乐谱转我为图象数据，本文提出一个适合多种形体及与乐符大小无关的乐谱图象识别系统，此系统对噪声和图象倾斜均有较强的容错能力，文中用原文转换的线接图增分乐符结构，并给出一个识别结果的文本输出及其恢复．     

关于图Cr[Sn]的线图L（Cr[Sn]）的谱特征

研究图Ｃｒ〖Ｓｎ〗的线图Ｌ（Ｃｒ〖Ｓｎ〗）的谱特征，并证明当ｎ≥５时，Ｌ（Ｃｒ〖Ｓｎ〗）以谱为特征，这是ｒ为奇数。     

脉冲波和阶跃波输入的产品破损边界

以产品包装破损极限理论为基础，以有限上知阶跃波为例，对阶跃波和脉冲波作用下的产品破损边界英一进行了求解，并对其进行了系统的分析和比较。     

直流辉光等离子体助进热丝CVD法沉积金刚石薄膜

要用直流辉光等离子体助进热丝CVD的方法，低温（550－620℃）沉积得到晶态金刚石薄膜。经X射线衍射谱扫描电子显微镜及Raman光谱分析表明：稍高气压有利于金刚石薄膜的快速、致密生长。     

F_e~+注入Si中的研究

本文的工作以内转换电子穆斯堡尔谱为主,并结合离子探针以及电学和光学等参数的测量,对硅中注入的F_e~+进行综合研究。根据实验结果我们认为在低温退火前后,高剂量注入的铁不是均匀地分布在注入层中,而是处在高浓度集中的微区中,并处在替位位置。低温退火后尽管晶体电学特性已基本恢复,但多数铁仍处于非电活性状态。高温退火后在注入层中形成铁硅化合物相的观点进一步由离子探针的实验结果得到证实。高温退火后晶体电阻率较大可能是由于铁硅化合物的析出在晶体中产生了大量的缺陷。     

穆斯堡尔共振吸收体的制备

主要从实验技术和方法学的角度，讨论测量用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ共振吸收体厚度对ＭＳ谱质量的影响，并结合实例探讨Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ共振吸收的具体制备方法。     

强耗散非线性BBM型方程整体解的衰减性质

研究了带有强耗散项ＢＢＭ型方程初边值问题整体解的衰减性质，得到了若干有趣的结果。     

白光双谱斑的干涉方法

本文介绍在4F体系中,用白光照明下,把两块相同的位移光栅,平行叠加放在物面上,由于两块光栅相对位移,引起谱面上谱斑相移,在谱面上选两个谱斑作干涉的次波波源,在像面上可获得干涉图样的实验方法和理论分析.