不同脉冲放电类型降解偶氮染料的能量传输效率和能量利用率的评价

酸性橙Ⅱ降解; 脉冲放电; 电导率; 放电类型; 能量传输效率; 能量利用率     

三相晶闸管数字移相触发的实现

针对常用晶闸管触发电路的缺点,设计了基于CPLD的三相晶闸管数字移相触发电路．触发电路以CPLD为核心,可以集成到一个逻辑芯片上,克服了传统设计方法的不足,输出的触发脉冲具有对称度好、响应快、精度高、抗干扰能力强、稳定性好的特点．     

一类脉冲捕食系统的周期解的存在性

由于脉冲现象在自然界中广泛存在,在建立生态模型时引入脉冲效应能更真实、更准确地描述种群的变化规律。该文研究具有脉冲和Beddington-DeAngelis功能反应的捕食系统,运用重合度理论研究其周期解的存在性,得到了周期解存在的充分条件。     

脉冲激光沉积法原位后退火生长MgB2薄膜的研究

采用脉冲激光沉积的方法在 Al₂O₃（0001）基片上先生成 Mg-B 混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成 MgB₂ 超导薄膜,采用磁测量（M-T）、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对 MgB₂ 超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影响。在沉积温度为 200 ℃,退火时间 5min 时,改变退火温度得到一组薄膜,研究退火温度对超导薄膜性质的影响,得到了转变温度-退火温度曲线。在退火温度为 670℃、720℃ 时,得到了最高的临界转变温度 T_c=33K,X射线衍射结果表明此时的薄膜有 c 轴取向。同时比较了在 200℃ 下沉积,在 670℃ 下分别退火不同时间的薄膜的超导性质。还比较了分别在不同温度下沉积,然后在 670℃ 下退火 5min 的薄膜的超导性质。结果表明,沉积温度和退火温度、退火时间极大的影响了薄膜的各种性质。     

氩环境气压对激光烧蚀沉积纳米硅薄膜形貌的影响

采用脉冲激光烧蚀技术在氩气环境下制备了纳米硅薄膜,研究了环境气体压强对纳米硅薄膜表面形貌的影响. 结果表明,当环境气压小于50 Pa时,薄膜表现为常规的量子点镶嵌结构;当环境气压大于50 Pa时,薄膜中出现类网状的絮结构,继续增大氩气压,絮结构逐渐增大,且其隙度增大. 指出该现象与在激光烧蚀过程中纳米硅团簇的形成过程有关.     

罐身缝焊机调压系统开发

晶闸管在交流调压等方面有着广泛的应用,至今仍是功率较大的电力电子器件．为保证大功率晶闸管在使用中可靠地工作,其触发电路的设计是重要的一环．为超小量电阻焊焊机的双向晶闸管(主晶闸管)设计带有脉冲封锁环节、较完善保护功能的触发电路,具有工作可靠、性能稳定等特点．     

一类非线性时滞系统的脉冲控制

研究了一类非线性时滞系统x′=f(x(t)) g(x(t—τ))的脉冲镇定问题．给出了可脉冲指数镇定和可周期性脉冲指数镇定的定义,构造恰当的Lyapunov函数得到了这类系统可脉冲指数镇定和可周期性脉冲指数镇定的充分条件,并且给出了脉冲控制函数的设计方法,所得到的脉冲控制函数是仅依赖于系统参数的简单的线性函数．数值例子说明了文中结果的有效性．     

二甲亚砜中电沉积La—Co合金膜的研究

研究在非水溶剂二甲亚砜中电沉积La-Co合金膜。体系中加入柠檬酸为络合剂,聚乙醇－100为添加剂,用于改善沉积层的质量。在沉积过程中,应用了恒电位电解技术和脉冲电解技术。所得La-Co合金膜的表面是光滑,致密。粘附性好和有金属光泽。恒电位电解技术沉积得到的La-Co合金膜中La的质量分数是22．42％－50．29％,脉冲电解技术沉积得到的La-Co合金膜中La的质量分数是1．46％－42．63％。脉冲电解技术沉积得到的La-Co合金膜通过电镜观察发现金属粒子的大小约为100nm。     

填丝脉冲GTAW焊缝成形的单变量智能控制

针对填丝脉冲 GTAW过程的不同熔透状态 ,提出了焊缝正面和反面的成形控制问题。考虑到焊接过程的非线性特点 ,结合 PID控制器和神经元控制器的优点 ,设计了基于单个神经元的单变量自学习 PID控制器。在 2 m m厚的哑铃形 A3钢试件上进行对接闭环控制实验 ,试验结果表明 :在散热条件变化的条件下单独调节脉冲占空比可以保证焊缝反面宽度的稳定 ;单独调节送丝速度可以保证焊缝正面高度的稳定。     

基于ALTERA CPLD的单稳态脉冲展宽电路

主要介绍了CPLD设计单稳态窄脉冲展宽电路的详细过程和这种单稳态窄脉冲展宽电路的特点,给出了相应的时序仿真波形和计数器的VHDL语言设计。