ZnWo4：Cr^3＋的吸收光谱研究

本文通过对ZnWo4:Cr^3 晶体的光学吸收谱的观测资料^[1]的分析，假定Cr^3 杂质的有效晶场的八面体结构的变形后的D4晶场。采用Oh点群表象准对角型简化强场方案，导出了d^3-D4强场能量矩阵。首次计算了ZnWo4:Cr^3 的自旋允许谱精细结构。理论计算结果与实验吻合较好。     

掺杂离子导体的粒子交叠广义晶格模型及其电导的粒子尺度效应

提出了一种掺杂离子导体（ＤＩＣ）的粒子交叠广义晶格模型，由此模型，推导随机－电阻－网络（ＲＲＮ）理论中３种导电键各自组分的几率，并采用有效介质近似（ＥＭＡ）计算了ＤＩＣ系统的电导及其粒子尺度效应。     

用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布

半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。同步辐射光源具有高     

寻找新材料—来自宇宙化学的启示

寻找新材料──来自宇宙化学的启示ＬｏｏｋｉｎｇｆｏｒＮｅｗＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＥｎｌｉｇｈｔｅｎｍｅｎｔｆｒｏｍＣｏｓｍｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ￥／／萧小月，李龙土（清华大学材料科学与工程系，北京１０００８４）徐燕（清华大学化学系，北京１０００８４）...     

聚苯胺的掺杂反应

系统地论述了聚苯胺的４种掺杂反应（质子酸掺杂，碘掺杂，光助氧化掺杂和离子注入还原掺杂），指出了聚苯胺的结构形式与掺杂途径的对应关系。发现全还原型聚苯胺可进行氧化（ｐ－型）掺杂；全氧化型聚苯胺可实现还原（ｎ－型）掺杂；只有处于中间化态时才显示出独特的“质子酸掺杂”现象。     

C~(14)年龄测定中的统计误差分析

本文从放射性衰变所遵守的统计规律出发,导出了以衰变计数表示的C~(14)年龄测量统计误差表达式,对公式的物理意义及适用范围进行了讨论,并对若干测量实例做了统计误差处理。     

pH、温度和浓度对苯酚在V掺杂MoOx-C/Ti电极上的电催化氧化的影响

采用溶胶-凝胶法合成MoOx、MoOx-V5 (x%)胶体,通过Vulcan XC-72炭黑负载制备炭载钼系氧化物电催化剂.利用循环伏安法(CV)测试手段研究苯酚在电极上的氧化降解,考察了掺杂元素、溶液pH值、苯酚浓度、扫描速率、温度对苯酚氧化性能的影响.测试结果表明:苯酚在电极上的氧化是受扩散和电子转移联合控制的复杂过程;掺杂过渡金属元素V可以降低苯酚氧化的表观活化能,提高电化学性能;溶液的pH值越低,MoOx-C/Ti电极对苯酚的催化氧化活性越高;pH在0～6,苯酚的氧化经历了相似的历程,包含了相同的电子数和质子数;苯酚氧化峰电流随着浓度、温度的增加而增加,到一定程度后趋于稳定.     

掺Sb对Bi（Pb）SrCaCuO超导电性的影响

研究了掺Ｓｂ对ＢｉＳｒＣａＣｕＯ超导电性的影响，对Ｂｉ系统料中Ｓｂ，Ｐｂ的最佳含量和烧结工艺进行了探索。