硅钨酸催化碱木质素降解机制的研究

以Keggin结构硅钨酸作催化剂,在醇-水体系中降解活化碱木质素。根据官能团定量分析和XPS仪器分析方法,结合Gaussian98中B3LYP/LANL2DZ方法解析了降解过程中的反应机制。计算和实验结果揭示硅钨酸中钨(VI)可以接受1~2个电子还原为钨(V);而木质素失去电子,形成醌基环己二稀基自由基,经结构重排于α位形成醇羟基,导致产物中羟基含量增加。     

冰晶石熔盐介质中铝热还原-熔盐电解二氧化硅

讨论了铝热还原二氧化硅的热力学条件,热力学计算结果表明铝热还原二氧化硅的反应在热力学上可行.差示扫描量热法分析结果表明,铝热还原二氧化硅反应的表观活化能为697.5 k J/mol,反应级数为3.7.在冰晶石熔盐介质中铝热还原二氧化硅,可得到含8.56%硅的铝硅合金及富氧化铝的冰晶石熔盐;使用惰性阳极电解分离后的富氧化铝的冰晶石熔盐,可得到含94.01%铝的铝硅合金及氧气,硅的回收率为83.43%.     

若尔盖铀矿田含矿岩系的岩石特征及成因探讨

通过对川西若尔盖铀矿田含矿岩系的宏观产状和显微岩石学特征的研究,认为该铀矿田的三套含矿地层主要有硅岩、灰岩、板岩三种岩石类型.其中,硅岩包括了泥晶硅岩、变晶硅岩、硅化(交代)硅岩、钙化硅岩;其成因有两类,产于泥质板岩夹层中的薄层状硅岩是生物化学沉积形成的,而以不规则透镜状产于灰岩层内及其上、下部的硅岩则属于灰岩受后期硅化交代而成.灰岩包括砂质细晶灰岩、硅化球粒灰岩、硅化泥晶灰岩三种;砂质细晶灰岩系混积陆棚环境的产物,硅化球粒灰岩、硅化泥晶灰岩系生物、生物化学成因的泥晶灰岩经硅化而成.板岩包括泥质板岩、砂板岩、千枚状板岩三类,系陆棚环境细碎屑岩经区域变质而成.三类岩石的宏观和微观特征反映出若尔盖铀成矿区早志留世为陆棚环境,海平面的升降使沉积环境在内陆棚与外陆棚之间变换.在剖面结构上,表现为砂质板岩-粉砂质板岩-泥板岩(泥晶灰岩)-页岩-硅岩的韵律性叠置.     

蝶型槽基片集成波导带通滤波器

利用基片集成波导的高通传输特性以及蝶型光子带隙结构的阻带特性,构建了一种新型结构的基片集成波导带通滤波器.为了验证该想法,设计了1个中心频率为4.65GHz,分数带宽为40%的滤波器,电磁仿真结果表明该滤波器在频率为3.71～5.6GHz范围内具有明显的通带特性,带内最大插入损耗约为0.4dB.利用PCB工艺制作了该滤波器的实物,使用矢量网络分析仪对其进行了测试,测试结果表明该滤波器的通带为3.78～5.76GHz,分数带宽约为41%,带内最小插入损耗为0.72dB,最大插入损耗为1.65dB.电磁仿真结果和实际测试结果较一致。     

三角褐指藻（Phaeodactylum tricornutum）油脂富集培养的研究

探讨了营养盐铁、硅及植物激素脱落酸(ABA)单因子对三角褐指藻（Phaeodactylum tricornutum）的生长、油脂含量（%干重）及油脂产量的影响.采用光密度值OD450评价微藻的生长状况,以溶剂浸提法提取油脂.结果表明：⑴铁处理组中,铁浓度在0~46.57 μmol/L范围内时,藻的生长速率随铁浓度提高而增大;铁浓度为11.64 μmol/L时,油脂含量达30%,高于其它铁浓度培养;当铁浓度为11.64 μmol/L时,油脂产量最高——是无铁培养的2.8倍; ⑵ 硅处理组中,低含量硅盐（     

太阳能硅制备过程湿法提纯SiO2的研究

研究了SiO2体系中去除金属和非金属杂质的方法.考察了浸出剂浓度、温度、反应时间、搅拌等因素的影响,采用ICP、SEM等对产品进行了表征,分析了不同工艺条件对杂质去除率的影响程度.当工艺条件为:w(HF)=1.0%与w(H2C2O4)=1.5%在100℃温度下处理60~150目的石英粉4 h,Fe、Ca和P的去除率分别达到了99.8%,72.7%和67.8%,湿法冶金可以去除SiO2中的绝大部分Fe杂质和大部分Ca和P杂质,反应前30 min为化学反应控制,后转为内扩散控制.     

三维大孔硅铝材料和诱导ZSM-5分子筛的合成及表征

采用无皂乳液聚合的方法制得的粒径为670 nm聚苯乙烯小球为硬模板,成功合成出三维大孔硅铝材料,并探索了晶化诱导ZSM-5的合成、晶化过程及ZSM-5形貌的变化.     

利用冶金焦粉和硅石粉压块生产硅铁合金的工艺研究

研究利用冶金焦粉和硅石粉生产硅铁合金具有重要的实用价值,本文采用压块法(焦粉和硅石粉混合造块+钢屑)进行制备硅铁的对比实验,研究冶金焦粉和硅石粉应用于硅铁生产的可行性,结果表明:利用冶金焦粉与硅石粉作压块原料,可生产理想的硅铁合金。     

SOI—21世纪的硅集成电路技术

ＳＯＩ（ Ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）被国际上公认为是“２１世纪的硅集成电路技术”。ＳＯＩ是在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的、有独特优势的、能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术。 ＳＯＩ的重大突破 １９９８年８月，美国ＩＢＭ公司宣布在世界上首次利用ＳＯＩ技术成功地研制出了高速、低功耗、高可靠的微电子主流产品──微处理器等高性能芯片。紧接着，ｓｃｉｅｎｃｅ杂志以及我国中央电视台新闻联播“中国科学报”等都相继作了报道。ＩＢＭ的这一成果之所以引起如此大的轰动，是因为其不仅在世界上…     

科学家发现钻石存储信息能力为硅的数百万倍

遍布小孔的钻石片或许对新一代超级电脑的计算能力具有举足轻重的影响。美国加州大学科学家利用现有技术，在大钻石片上刻了无数充氮小孔。这些充氨钻石可以存储信息的数量是目前硅芯片系统的数百万倍，同时信息处理速度也是后者的数十倍。