全文获取类型
收费全文 | 2596篇 |
免费 | 57篇 |
国内免费 | 148篇 |
专业分类
系统科学 | 5篇 |
丛书文集 | 147篇 |
教育与普及 | 179篇 |
理论与方法论 | 19篇 |
现状及发展 | 28篇 |
综合类 | 2423篇 |
出版年
2024年 | 9篇 |
2023年 | 16篇 |
2022年 | 32篇 |
2021年 | 31篇 |
2020年 | 23篇 |
2019年 | 28篇 |
2018年 | 22篇 |
2017年 | 27篇 |
2016年 | 25篇 |
2015年 | 61篇 |
2014年 | 93篇 |
2013年 | 101篇 |
2012年 | 93篇 |
2011年 | 81篇 |
2010年 | 103篇 |
2009年 | 110篇 |
2008年 | 117篇 |
2007年 | 139篇 |
2006年 | 82篇 |
2005年 | 126篇 |
2004年 | 91篇 |
2003年 | 134篇 |
2002年 | 102篇 |
2001年 | 132篇 |
2000年 | 107篇 |
1999年 | 92篇 |
1998年 | 80篇 |
1997年 | 113篇 |
1996年 | 89篇 |
1995年 | 108篇 |
1994年 | 87篇 |
1993年 | 64篇 |
1992年 | 71篇 |
1991年 | 58篇 |
1990年 | 54篇 |
1989年 | 47篇 |
1988年 | 22篇 |
1987年 | 19篇 |
1986年 | 7篇 |
1985年 | 3篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有2801条查询结果,搜索用时 156 毫秒
101.
102.
本文通过对非石油基新型橡胶增容补强剂——CF炭黑的基本性能进行分析,并结合CF炭黑在T3耐热输送带中变量替代传统炭黑的应用效果进行了研究。研究结果表明,在保持配方胶料物理性能基本一致的前提下,使用CF炭黑能提高橡胶产品的某些物理性能,有效降低企业的生产成本。 相似文献
103.
2-氨基-4,5-二甲基噻吩-3-乙酸乙酯类化合物是合成小麦全蚀病的高效防治药剂硅噻菌胺的重要关键中间体.为了高效合成这类关键中间体,发展了一种新型的合成方法,利用仲胺与对甲苯磺酸复合形成有机铵盐可以高选择性地促进Gewald反应合成相应2-氨基-4,5-二甲基噻吩-3-乙酸乙酯类杂环化合物,得到较为理想的分离产率和纯度,并深入考察了在该反应中各种不同因素的影响. 相似文献
104.
针对基于硅光电池的色选系统色选大米的快速性和高准确率要求,采用双因素方差分析方法分析了光源类型、大米下落速度、反光板角度等因素时硅光电池接收系统响应的影响.结果表明,光源类型对硅光电池接收系统响应具有显著影响,下落速度和反光板角度影响不显著.根据实验得到了蓝光光源、3m/s速度、3.6°反光板角度的实验参数.运用示波器对波形进行分析,证明了该方法的实用性. 相似文献
105.
采用溶胶-凝胶法制备了二氧化硅负载硅钨钼酸催化剂.以其为催化剂,丁醛和乙二醇为原料合成了丁醛缩乙二醇,探讨二氧化硅负载硅钨钼酸对丁醛缩乙二醇合成反应的催化活性.用正交实验法较系统研究了反应物料配比、催化剂用量、带水剂用量、反应时间等因素对产物收率的影响.实验表明,二氧化硅负载硅钨钼酸是合成丁醛缩乙二醇的良好的催化剂,固定丁醛的用量为0.20 mol,在n(丁醛):n(乙二醇)=1:1.3,催化剂用量为反应物料总质量的1.0%,带水剂环己烷8 mL,反应时间60 min的优化条件下,丁醛缩乙二醇的收率可达93.0%. 相似文献
106.
采用密度泛函理论(DFT)方法在B3LYP/6-311G(d,p)水平上研究了2-硅萘与乙炔和苯乙炔的杂Diels-Alder反应的微观机理和势能剖面,考察了反应的取代基效应和溶剂效应,并与硅苯参与的类似反应进行了比较.计算结果表明,所研究反应均以协同非同步的方式进行.乙炔分子中碳原子上的苯基取代基对反应活化能垒的影响与产物中苯基所处的位置有关.2-硅萘分子中硅原子上的C(CH3)3或NH2取代基对反应势能剖面的影响一般都比较小,而其上的CCl3取代基对反应势能剖面的影响则比较复杂.苯溶剂对所研究反应的势能剖面影响不大.2-硅萘参与的杂Diels-Alder反应在热力学和动力学上均不如涉及硅苯的相应反应容易进行. 相似文献
107.
108.
由3,7-二甲基-6,7-环氧-8-苯硫基-2-辛烯醛和6-甲基-8-三甲硅氧基-6-烯-2-酮-1-辛酸乙酯通过羟醛缩合、内酯化、Wittig反应、闭环等反应合成得肉芝软珊瑚素,总产率10.6%。其中的关键步骤是以硫稳定的碳负离子烷基化。讨论了合成品的立体化学。 相似文献
109.
110.
实验发现,硼磷通过掩膜窗口向硅中扩散时,横向与纵向扩散深度之比 y_j/x_j 不是一个常数,而是随扩散温度的降低增大。此外,对于硼和磷的扩散来说,这个比值是不同的,且有(y_j/x_j)_B>(y_j/x_j)_P。通过解剖一些实际的 CMOS LSI 芯片结构发现,无论是采用常规工艺,或者是采用全离子注入技术,其失效的一种重要模式是 PMOS FET源、漏区硼扩散横向连通。分析了产生这种失效模式的机理。并提出在设计 CMOS LSI 时,适当调整 NMOS FET 和 PMOS FET 的沟道长度,有利于提高成品率和电路性能。 相似文献