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101.
根据金属腐蚀的电化学原理分析了混凝土结构中箍筋的锈蚀机理,认为在混凝土碳化过程中在箍筋与纵筋间存在宏观电池腐蚀及其它增加箍筋锈蚀量因素,利用已有的试验结果证明本文提出的观点,并提出了箍筋与纵筋的联合经时模型.  相似文献   
102.
经电化学活化后的玻璃碳电极可吸附溶液中的铅离子.吸附铅的循环伏安阳极峰电流值与溶液中铅离子浓度成一定的线性关系,在0.1-1.0μmol/L,线性系数为0.998,响应斜率为50.0A/(mol·L-1),检测下限小于0.01μmol/L.铅离子的吸附与静电反应及活化玻碳电极的微观环境有关.  相似文献   
103.
精密相干检测法研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
研究了精密相干检测法的原理,即采用共时钟方案,使与发送机有关的参考信号同接收机接收到的待测信号精密相干,同时精确检测出复合波信号中各主要谐波的振幅和相位.应用结果表明:该方法克服了微弱复合波信号的锁相放大、数据采集、叠加平均和获取多参数时遇到的困难,提高了观测系统的灵敏度、测量精度、抗干扰能力、探测分辨率和探测深度;精密相干检测法原理同样适用于其他观测系统和对其他类型信号的检测.  相似文献   
104.
快速电合成法制备多功能复合高铁(铝)酸盐水处理剂   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用两阴极夹-阳极且阳极室较窄的电解池,以铁丝网为阳极、浓氢氧化钠(或含铝)溶液为阳极液、全氟离子膜为隔膜,可快速电合成高浓度的高铁酸钠(0.30—0.48mol/L)复合水处理剂溶液,该溶液也可用于制备高铁酸钾。最佳条件:温度308K,氢氯化钠浓度16mol/L,表观电流密度300A/m^2,阳极室厚度20mm,时间4-6h。实验表明:铝酸盐的存在对高铁酸盐的电合成有较大的抑制作用;由碘化钾、硅酸钠和氯化铜组成的复合添加剂对高铁酸盐的稳定效果明显好于其它几种稳定剂。  相似文献   
105.
本在顶色辅助的人工色(TC2)理论框架下,研究了中性toppion的产生过程e^-γ→e^-∏第t^0.结果表明这一过程的散射截面可达到几十个fb,并且在未来e^ e^-线性对撞机上中性的toppion介子的年事例数多于10^3个.因此,这一产生中性toppion的过程为我们探测toppion介子和检验了TC2模型提供了良机.另一方面,e^-γ→e^-∏t^0过程的散射截面比标准模型(SM)和最小超对称模型(MSSM)下的类似过程大一个量级(例如SM下的e^-γ→e^-H和MSSM下的e^-γ→e^-H^0(A^0,h^0)过程).因而,我们很容易把中性的toppion介子同SM和MSSM下产生的Higgs玻色子区分开来.  相似文献   
106.
药用植物广藿香的品种分类探讨   总被引:12,自引:0,他引:12  
根据栽培在广东省3个地区的广藿香Pogostemon cablin(Blanco) Benth.的形态特征,药材特性和采用超薄等电聚焦电泳技术得出的蛋白质电泳图谱,把广东省栽培的广藿香分为3个栽培品种(cultivas),即(1)石牌广藿香(P.cablin (Blanco)Benth.cv.shipaiensis),(2)高要广藿香(P.cablin (Blanco)Benth.cv.gaoyaoensis),(3)湛江广藿香(P.cablin(Blanco) Benth.cv.zhanjiangensis)。  相似文献   
107.
电火花加工机理与误差分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
电火花加工工艺虽已得到广泛采用,但对其微观放电过程的认识至今仍众说不一 作者通过分析和对比,认为将材料腐蚀的空间特性与脉冲放电的时间特性统一起来的分析方法,更能充分解释电火花加工过程中出现的各种现象和放电通道的形态及性质,也便于分析放电加工过程中出现的误差,以提高电火花加工精度  相似文献   
108.
介绍了电流变液的研究现状及发展动向;电流变液研究中存在的一些问题;研究电流变液的有关模型.  相似文献   
109.
揭示了组合式无级变速装置的调速类型、调速范围、功率流和各传动参数间的关系.  相似文献   
110.
脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜的研究   总被引:3,自引:1,他引:3  
铁电薄膜存储器(FRAM)由于具有动态随机存储器(DRAM)快速读写功能和可擦写唯读存储器(EPROM)非挥发性,又具有抗辐照、功耗低等特性,已成为国际上固态器件研究的一个热点。铁电存储器常用的铁电材料是Pb(ZrTi)O_3(PZT)等氧化物钙钛矿结构材料。由于这些铁电材料抗疲劳性能较差,阻碍了铁电存储器的商品化进程。de Araujo等人报道了铋系层状类钙钛矿结构的铁电薄膜具有抗疲劳特性,用这类铁电材料制作的铁电存储器,在10~(12)次重复开关极化后,仍没有显示疲劳现象,并且具有很好的信息储存寿命和较低的漏电流。  相似文献   
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