声—光型界面自皮与界面各向异性

在考虑了外磁场、界面各向异性后,详细研究了铁磁和反铁磁层间耦合下自以链系统中的声－光型界面自旋波及其存在的充要条件,在适当的界面各向异性条件下,系统中可以存在０、１或２个声－光型界面自旋波,并发现其能量随铁磁层间耦合强度的增大而升高,随反铁磁是耦合强度的增大而降低。     

新的非对称四硫富瓦烯衍生物的合成及LB膜的研究

设计并合成了一种新的具有电子给体结构的非对称四硫富瓦烯衍生物２,３－二硫苄基－６,７－二硫十六烷基四硫富烯。经元素分析,红外光谱,核磁共振谱确定了其结构,并对单分子膜的成膜性能和条件进行了初步的探讨。     

Se-Te-Br系统远红外玻璃的研制

探索了以Ｓｅ－Ｔｅ－Ｂｒ系统为代表的Ｔｅｘ硫卤化物玻璃的制备工艺,成功地制备了不同组分点的玻璃,并用Ｘ射线进行检测对玻璃的红外透过性能、玻璃转变温度、耐水性及密度等物理化学性质进行了测定得出玻璃的最佳组分为Ｔｅ３Ｂｒ２Ｓｅ４     

Ferrocene-Nafion修饰厚膜碳糊电极的葡萄糖传感器研究

以基于丝网印刷技术制作的厚膜碳糊电极为基底电机,用二茂铁为介体、Nafion修饰厚膜碳糊电极制备了葡萄糖传感器．Nafion涂于电极表面上形成的膜具有强的附着力,防止了二茂铁及酶的流失,电极稳定性提高．并且由于低的工作电位（＋025vsSCE）和Nafion膜的阳离子交换作用,基本上消除了电活性物质（抗坏血酸、尿酸）的干扰,具有防污能力．该酶传感器的检测上限可达18mmol／L,响应时间小于60s.     

ZSM—5沸石膜合成中几个影响因素

采用水热合成法在Ａｌ２Ｏ３陶瓷载体和ＳｉＯ２复合膜上成功地合成了ＺＳＭ－５沸石膜。考察了ＺＳＭ－５沸石膜合成中载体性质,合成溶液的碱度,水硅质量比,晶化时间等对成膜的影响,探讨了沸石膜的生成机理并对合成的沸石膜进行了ＸＲＤ及ＳＥＭ表征,表明当合成液水硅质量比为１００时,主要是液相晶化机制起艇,表面的Ｓｉ－Ｏ键或Ａｌ－Ｏ键参与晶化,使膜与载体紧密结合。     

微孔介质上气泡形成规律的研究

用激光测试技术对微孔介质上气泡形成规律进行了研究。实验结果表明,在微孔介质上所形成气泡的 Ｓａｕｔｅｒ平均直径随通气量的增大而减小;液相中盐或醇的引入使形成的气泡直径明显减小。使用不同模型的计算结果表明,单一孔上气泡形成模型难以描述微孔介质上气泡形成规律。为了描述微孔介质上气泡形成过程,不仅要考虑孔径减小带来的影响,而且要考虑操作条件及体系性质的变化对实际生成气泡的“有效孔”数目及当量直径等因素的影响。     

掺铅TiO2薄膜的制备及光催化性能

以钛酸四丁酯为前驱体,采用溶胶-凝胶法在玻璃板表面制得均匀的TiO2,并利用浸渍法镀pb2 得到掺铅的TiO2,用紫外漫反射、荧光光谱分析等手段对其进行了表征.研究结果表明,掺杂铅离子使TiO2的荧光峰明显增强,吸收带边发生红移,在紫外光区和可见光区的吸收明显增强.以紫外灯为光源,通过对甲基橙的光催化降解研究,发现掺铅TiO2薄膜的光催化活性明显大于掺Ag,Bi及纯TiO2薄膜,这是提高TiO2光催化活性的有效方法.     

OH-根对掺铒碲酸盐玻璃光谱性质的影响

制备了5种浓度下系列不同OH^-根含量的掺铒碲酸盐玻璃样品，测试了样品的红外吸收光谱，分析了在不同通氧除水时间下玻璃的红外吸收系数变化情况．测试了样品的吸收光谱，利用Judd-Ofelt理论计算了不同铒掺杂浓度和OH^-根含量样品的光谱参量Ωi（i=2，4，6）．根据McCumber理论计算了铒离子在1532nm处的吸收截面和Er^3＋：^4I13／2→^4I15/2跃迁峰值发射截面．测试了样品中Er^3＋：^4I13／2→^4I15/2跃迁对应的荧光光谱和^4I13／2能级荧光寿命，讨论了OH^-根对不同铒掺杂浓度下碲酸盐玻璃光谱性质的影响．研究结果表明，OH^-根仅对荧光寿命和荧光峰值强度存在影响，在Er2O3浓度小于1．0mol％时，OH^-根是发生荧光猝灭的主要影响因素，而高于这一浓度后Er^3＋离子本身的能量转移对荧光猝灭起主要作用．而OH^-根对其他光谱性质（荧光半高宽、吸收光谱、受激发射截面等）基本没有影响．     

膜生物反应器在废水处理中的研究和应用

膜分离技术与废水生物处理技术的有机结合——膜生物反应器是一种新型高效的污水处理工艺.综述了膜生物反应器的基本运行方式,膜生物反应器在国内外的研究和应用概况以及应用中存在的主要问题.对膜生物反应器在我国未来废水处理领域的应用前景进行了讨论.     

乙酰胺-尿素-NaBr熔体中Nd-Ni合金的电化学制备

在353K的乙酰胺-尿素-NaBr熔体中,Ni（Ⅱ）一步不可逆还原为金属Ni,Nd（Ⅲ）不能单独还原为Nd,但可以被Ni（Ⅱ）诱导而共沉积.由恒电位电解法得到非晶态的Nd-Ni合金,Nd的含量随阴极电位的负移,Nd（Ⅲ）/Ni（Ⅱ）摩尔比增大及电解时间延长而增大.