微观sdIBM—2＋2q.p中核^138Ce正宇称能谱结构

基于微观相互作用玻色子-费米子形式体系，构造出唯象IBM-1 2q.p模型的微观实现，微观sdIBM-2 2q.p方案，应用它成功地再现了^138Ce核的基态带，β带，γ带和部分高自旋态能谱，给出了近来实验上观察到该核与单粒子态共存的集体性结构的一种解释，模型给出了一个玻色子从退耕，拆散，占据闯入轨道到参加顺排所需要的最小能量值，计算出的概观信息表明：一个d玻色子的突然拆对不会引起核状态突变；核子顺排释放的能量有利于其它玻色子再拆对；^138Ce核的高自旋态属子两准质子转动带。     

磁性多层膜中SiO2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响

磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层，利用磁控溅射方法在表面有300nm厚SiO2氧化膜的单晶硅（100）基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜，采用X射线光电子能谱（XPS）对该薄膜进行了深度剖析，并且对获得的Ta4f和Si2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析，结果表明在SiO2/Ta界面处发生了化学反应；15SiO2 37Ta=6Ta2O5 5Ta5Si3，该反应使得界面有“互混层”存在，从而导致诱发NiFe膜（111）织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加。     

N2，NO，N2O，NH3及胺类分子对电子激发状态CCl2（A^ ～1B1）自由基猝灭的动力学

对CCl4/Ar混合气体直流脉冲放电产生CCl2自由基，再用541．52nm激光将电子基态CCl2激励到激发态A^ ～1B1（0，4，0）振动态的k=0能级上，通过检测激发态CCl2时间分辨荧光信号，该信号呈双指数衰减，测得室温下CCl2(A^ ～1B1）被N2，NO，N2O，NH3及胺类分子猝灭的实验结果，用三能级模型分析处理实验数据，获得态分辨率常数KA和Ka值，并对实验结果进行了讨论。     

光学极化子内部激发态的性质

采用线性组合算符和么正变换相结合的方法,讨论了光学极化子内部激发态的性质.从数值计算的结果看出:当耦合常数α介于3.5～12.5之间时,能形成第一内部激发态,而更高的内部激发态不会出现.     

H+7团簇离子及其中性团簇产物H4和H5

报道了H7^ 团簇的实验研究结果，从H7^ 的分解能谱发现，可能存在H4和H5等中性团簇产物。分析讨论了H7^ 的形成方式和可能的分解途径。     

C6H6高频谱的代数方法计算

利用lachello-Oss的代数模型描述了振子数高达10的C6H6分子和C6D6分子C－H拉伸键的能谱达到了很好的精度，并在对称玻色表象里计算了分子的哈密顿量。     

BaFBr:Eu2+的F心研究及一种能量最小优化方法的应用

根据Hartree-Fork近似基础上的扩展离子处理方法研究BaFX:Eu^2 中的缺陷问题，并且对晶格系统总能量进行能量最小优化，模拟PSL现象，得到了与实验值符合的结果，从而导出F心的吸收谱的产生机制．因此，此种能量最小优化方法可用于类似问题．     

钐原子激发态自然辐射寿命的测量

一、引言 稀土元素钐(Sm)的基组态是4f~66s~2,其4f壳层未添满,s电子及f电子都有可能被激发,产生复杂的光谱性质。早在1969年,Handrich等人就采用能级交叉的方法测量了钐原子的4个低激发态的寿命。之后,由于寿命测量技术的发展,人们采用各种不同的方法与技     

Sm~(2+)离子的激发态能级

本文采用U群方法计算了Sm~(2+)离子的激发态4f~5n′l′的主要谱项能级,给出了以Slater积分为参数的表达式。并顾及自旋-轨道耦合,按Russell-Saunders近似计算了相应能级的耦合参数λ。     

一价铝离子3sns(J=0)系列的高激发态结构

本文利用本征通道量子亏损理论方法计算了一价铝离子3sns(J=0)里德伯系列的激发态结构,给出了高激发态结构的具体数值结果,并讨论了干状态的影响.