高取向KTN薄膜的PLD法制备研究

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法自制了ＫＴＮ陶瓷,以之为靶材,首次在单晶硅上用ＰＬＤ技术沉积了ＫＴＮ薄膜。     

Ti-O薄膜表面抗凝血及人脐静脉内皮细胞种植

利用等离子体浸没离子注入沉积(PIII-D)合成Ti-O薄膜, 并采用体外血小板粘附试验对Ti-O薄膜进行血液相容性评价. 结果表明, 晶态Ti-O薄膜表面具有良好血液相容性. 进一步的薄膜表面人脐静脉内皮细胞种植试验表明, 晶态Ti-O薄膜表面内皮细胞生长自然、正常且均匀覆盖其表面. 研究发现晶态Ti-O薄膜具有良好的内皮细胞化特性.     

锡在金电极上的欠电位单层沉积的分析应用

用循环伏安法研究了Sn2 在金盘电极上的欠电位沉积.在特别提纯的1 mol/L HCl支持电解质溶液中,Sn2 在金盘电极上可以产生清晰的欠电位沉积峰和本体沉积峰.基于Au/Sn欠电位体系优良的电化学特性,发展了一种选择性好、灵敏度高的电化学分析方法.Sn2 浓度在1.96×10-10～2.91×10-s mol/L范围内与峰电流有线性关系.连续7次测定1.0×10-9 mol/L Sn2 得到的相对标准偏差为5.06%.该方法已用于实际样品的测定,所得结果与原子发射光谱(ICP-AES)所得数据相吻合.     

乙酰胺-尿素-NaBr熔体中Nd-Ni合金的电化学制备

在353K的乙酰胺-尿素-NaBr熔体中,Ni（Ⅱ）一步不可逆还原为金属Ni,Nd（Ⅲ）不能单独还原为Nd,但可以被Ni（Ⅱ）诱导而共沉积.由恒电位电解法得到非晶态的Nd-Ni合金,Nd的含量随阴极电位的负移,Nd（Ⅲ）/Ni（Ⅱ）摩尔比增大及电解时间延长而增大.     

方波脉冲电沉积氧化锌薄膜的研究

以0.1mol·dm-3的Zn(NO3)2水溶液为电解质溶液,以99.9%Zn片作阳极,采用方波脉冲电流法在氧化锡铟(ITO)导电玻璃基底上阴极电沉积,得到了透明的ZnO薄膜.采用X射线衍射分析、扫描电镜和荧光光谱技术,测试了薄膜的结构、表面形貌和光学特性.用同样方法在多孔硅衬底上电沉积ZnO薄膜,经过1000℃氧气氛下热处理1h,在紫外光照射下可发射强绿色荧光.     

济阳坳陷车西洼陷漫湖洪水—风暴沉积与砂体横向预测

渐新统沙二段是济阳坳陷车西地区的主力油层,为了弄清其油气分布和控制因素,综合利用大量的地质和地球物理资料,首次在该段识别出漫湖洪水—风暴重力流沉积.该沉积具有明显的重力流沉积特征,砂岩的成分和结构成熟度均较低,粒度概率图多由悬浮次总体组成,沉积序列可用Bouma序列来描述.在明确了砂体的沉积层位和沉积边界的基础上,描述了漫湖洪水—风暴的沉积特征并建立了沉积模式,系统分析了这个环境下储集性砂体的分布及其油气聚集特征,为车西洼陷的进一步勘探指明了方向.     

鄂尔多斯盆地侯北地区三叠系延长组长6储层特征

鄂尔多斯盆地侯北地区三叠系延长组长6储集岩大部分为细粒长石砂岩,少数为细粒岩屑长石砂岩.孔隙度在10%～15%之间,渗透率在(0.1～1.0)×10-3μm2之间,以低孔、低渗、较强的非均质性为特点.长6沉积于三角洲前缘环境,水下分流河道中发育储集砂体.稳定的大地构造条件和沉积环境有利于大面积、较厚的砂体形成.方解石、浊沸石和绿泥石等自生矿物沉淀压实作用,大大降低了原始沉积物孔隙度,长石、中基性火山岩岩屑及浊沸石溶蚀作用产生了相当数量的粒内溶蚀孔和胶结物溶蚀孔.     

TiO2薄膜光催化降解二氯乙酸和三氯乙酸水溶液

用常压化学气相沉积法镀TiO2薄膜,以紫外灯为光源,对二氯乙酸和三氯乙酸溶液进行光催化降解,并证实了此过程符合一级反应动力学方程。结果表明:卤代度以及不同的半导体化合物底物均对二氯乙酸和三氯乙酸溶液的降解有影响,卤代度低的二氯乙酸比卤代度高的三氯乙酸降解效果要好;同样条件下半导体的带隙能越低,降解效果越好。     

郯庐断裂带古新世—早始新世左旋走滑活动的反射地震证据

在渤海南部莱州湾附近,横过郯庐断裂的反射地震剖面直接显示了郯庐断裂带的延伸、运动性质和活动时限的证据.郯庐断裂带在渤海内几何形态和断裂组合与陆上出露情况基本一致.根据切过断裂带的剖面和平面上断裂系组合特征,判断其为兼具垂直位移的左旋走滑运动断裂系.由于断裂带活动控制了同构造沉积地层的发育,可以确定其活动的时限相当于渤海湾盆地孔店组和沙四段沉积期,即为古新世-早始新世期.此后,可能由于太平洋板块的俯冲方向的改变,引起区域性应力场的改变,北北东向严格意义上的郯庐断裂带不再有明显的活动,转而被北东向的右旋走滑构造活动所替代.     

超声波法合成三烷基硼及其裂解制备碳化硼

在超声波作用下采用一步合成法分别制备三乙基硼、三丙基硼和三丁基硼;考察超声波作用对合成产物产率的影响,用红外光谱及元素分析表征合成产物的结构;以合成的三乙基硼、三丙基硼和三丁基硼为原料通过热裂解制备纯度较高的碳化硼超硬材料;讨论不同原料和裂解温度对合成产物中C含量的影响.研究结果表明:以三乙基硼为原料在温度为1 400K进行裂解时,其裂解产物中B4C,B2O3和裂解自由碳的含量分别为94.0%,2.2%和3.8%.