浸泡法制备吸附制冷用复合吸附剂

以分子筛为基材通过浸泡CaCl2和SrCl2溶液的方法制备复合吸附剂.在模拟制冷条件下,对以不同浓度溶液制备的复合吸附剂的吸附、解吸性能进行了测定,并将吸附解吸性能最好的复合吸附剂在自制的模拟制冷装置上进行了制冷实验.结果表明,复合吸附剂具有良好的吸附、解吸性能,最大吸附量达51.6%,解吸率可达69.3%,在模拟制冷装置上系统的制冷系数达0.25,单位吸附剂的制冷功率为0.072 W/g,符合太阳能吸附制冷的要求.     

基于 CFX软件的氮化硅反应炉内热过程的数值模拟

利用大型商业软件CFX建立了高温氮化硅反应炉内温度场的数学模型,采用拟流体模型数值模拟炉内的层流流动,分析了氮气体积流量、各向异性散射和辐射特性等因素对温度场和产物质量浓度的影响.计算结果表明,为确保反应充分完全,预热段温度控制显得非常重要,而氮气体积流量起着决定性的作用;各向异性散射对径向温度、产物质量浓度有一定的影响;散射率对温度场影响很小;计算值与实验值相比较,误差在10%之内.     

添加剂在脉冲放电烟气脱氮过程中的作用

脱硝反应器由针电极和线电极组成,针电极采用不锈钢细管制成,添加剂从针电极喷出;当针电极接脉冲高压电源电晕放电时,添加剂生成自由基,用以脱除烟气中的氮氧化物.实验结果表明:当氨气和丙烯同时加入时,氮氧化物的去除率随着丙烯加入量及能量密度的增加而增加;在能量密度为2 W·h/m3,氮氧化物的初始体积分数约为80×10-6时,NO的脱除效率达到76%,NOx的脱除率达到54%.     

激发极化法在找水中的应用

激发极化法(简称激电法)不受地形起伏及围岩电阻率不均匀性的影响。因此。利用激电法找水，特别是在山区找水受到了重视，并取得了良好的效果。介绍了激发极化现象和激电找水中的常用参数，给出了利用激电法找水的具体实例。     

南方红豆杉扦插繁殖技术研究Ⅱ.穗条对扦插生根率的影响

本文系统研究了南方红豆杉(Taxus chinensisvar.mairei)扦插育苗中穗条来源对生根率的效应。结果显示,采条母树龄、穗条年龄和穗条采自的树冠部位均对扦插生根率影响较大。本研究3年龄实生苗优于胸径10-20 cm的母树,后者又优于胸径30-40 cm的母树,胸径50 cm以上的最差,且差异显著。在母树龄和树冠部位一样的条件下,1年龄穗条的生根率显著高于2年龄穗条,树冠中部穗条优于上部,下部穗条生根率最低。采用3年龄实生苗为采条母树,并采集树冠中部的1年龄穗条,其最高生根率可达98.7%。研究结果为扦插繁殖中穗条的选择提供科学依据。     

电凝聚法脱除高浓度印染废水CODcr研究

在不同pH值、板间距、电流强度、通电时间、电流密度、投加食盐量的条件下，研究电凝聚法对高浓度染料废水CODcr去除效果，得到了亲水性的高浓度染料活性艳红X-3B染料液CODc，去除的最佳反应条件，为电凝聚法处理染料水的工业化实施提供了有益的参考。     

亚铁法处理大型高炉煤气洗涤水中氰化物的实验研究

采用亚铁法处理高炉煤气洗涤水，并用正交实验设计方法设计实验。根据正交实验结果分析和单因素实验得出：硫酸亚铁可以有效除去高炉煤气洗涤水中的氰化物；最佳反应条件为：T=30℃，pH=6，α=3．5，t，=40min，td=35min；影响因素顺序为：r〉α〉pH〉td〉tr。     

含锂锆乳浊釉的耐磨性能研究

采用锂辉石代替部分长石，显著降低了釉的高温粘度，提高了锆乳浊釉的釉面光洁度和耐磨性能。同时用CaO、UgO、ZnO、BaO等完全取代了普通釉料中的K20，NazO，在保留了碱金属氧化物的强助熔作用的同时，提高了釉面硬度、增加了釉面耐磨性和化学稳定性。在配方设计中通过优化配比，制备了可在1180℃～1200℃烧成的光泽度良好的耐磨锆乳浊釉。并采用XRD，SEM等现代测试手段对实验釉进行了分析。提出了含Li2O、CaO、MgO、ZnO、BaO锆乳浊的耐磨机理。     

开放性尘源粉尘运动轨迹的数值计算

在对粉尘颗粒在大气中受力状况进行分析的基础上 ,采用颗粒随机轨道模型对尘源表面的粉尘在大气中的运动轨迹进行了数值计算 ,再现了野外现场观测的现象 ,从而证明了数值计算的可靠性 .利用ParticleSourceinCell算法 ,计算了由开放性粉尘造成的大气含尘质量分数 ,为定量预测露天矿粉堆料对环境造成的污染提供了依据 .     

含氟聚合物在赤磷基抗红外发烟剂中的应用

在实验室条件下利用多波段红外辐射仪，测试了含四种不同聚合物的赤磷发烟剂燃烧产生的烟雾在远红外波段的透过率，并使用粉尘取样仪测试了烟雾的质量，计算出了各种烟雾质量消光系数．试验结果和计算表明：以含氟聚合物的赤磷发烟剂燃烧产生烟雾在远红外波段的质量消光系数最高，透过率最低，并分析了上述烟雾在远红外波段具有不同质量消光系数的原因．