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101.
采用添加不同含量TiC晶须、不同制备工艺方法,研究了TiC晶须对YG10F硬质合金材料硬度和韧性的影响。结果表明:添加TiC晶须可以提高试验材料的显微硬度;采用适当的制备工艺、添加适量的TiC晶须,可以十分显著地提高试验材料的韧性。  相似文献   
102.
氧化镁晶须制备及影响因素考查   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了促进氧化镁晶须的规模化生产与工业应用,采用前驱物煅烧法制备了氧化镁晶须.以氯化镁为原料、碳酸钠为沉淀剂制备了结晶良好的水合碳酸镁晶须;控制碳酸镁的热分解条件保持晶须形状不被破坏,在煅烧情况下将其转变为氧化镁晶须.采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对产物的组成、形态和结构进行了表征.结果表明,所得氧化镁晶须直径2~5 μm,长度约为60 μm.另外,对影响晶须形成的一些主要因素进行了初步探讨,同时简要介绍了利用碱式氯化镁、碱式硫酸镁获得氧化镁晶须的方法,探索性地拓展了氧化镁晶须的工业生产.  相似文献   
103.
以钛酸丁酯和硝酸钾为主要原料,采用溶胶-凝胶法制备了K2Ti4O9晶须.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和比表面及孔径分布分析仪对试样进行了表征.结果表明,产物形貌为条带状,长径比大致为14∶1;所得K2Ti4O9晶须与氮气之间有弱的气-固相互作用,晶须之间交错堆积形成了介孔结构,比表面积为48.62m2·g-1.  相似文献   
104.
在单晶炉中成功生长出纵向长度为15.5 mm,横向线度约为0.5 mm的大尺寸Sm211晶须,表征了Sm211晶须的结构和成份.利用高温光学显微镜(HTOM)原位观察了Sm123在Sm211晶须上的外延生长并讨论了两者的关联.实验分析表明,在1 100℃观察到的针状高温相可能是Sm422相;在1 050℃的包晶温度,Sm123相在Sm211晶须上形成,显示出[001]Sm211//[100]Sm123 and[001]Sm211//[110]Sm123两个外延关联.  相似文献   
105.
106.
采用水热法制备了形貌良好的氧化铝晶须的前驱体——氢氧化铝晶须。利用SEM对氢氧化铝晶须的形貌进行分析,研究了氯化铝浓度、氨水浓度、溶液pH值、反应温度及反应时间对材料氢氧化铝晶须形貌的影响,并探讨了氢氧化铝晶须的生长机制。在C[AlCl3]=0.1 mol/L、C[NH3.H2O]=0.3 mol/L、水热溶液pH值为5.2、240℃水热反应22 h的条件下可制备形貌良好、大长径比、且粒径分布范围窄的氢氧化铝晶须。  相似文献   
107.
采用碳中性、清洁、可再生的生物质作为还原剂,对铁精矿内配生物质直接还原及其还原行为进行研究。研究结果表明:铁精矿内配生物质在直接还原前期快速产生CO、H2、CmHn、CO2、H2O等,在反应罐内形成最高可达16 k Pa的压力,有利于生物质热解后在铁精矿颗粒表面及孔隙内沉积生物质炭及其原位气化,生成H2和CO,并与铁氧化物还原反应构成耦合作用,显著促进了铁氧化物低温快速还原。与传统的未反应核模型不同,新生的金属铁向气流方向迁移和聚集,形成了纤维状的金属铁晶须。提高还原温度和延长还原时间能够加快铁晶须的迁移和生长,在还原温度为1 040℃和还原时间为50 min的条件下,海绵铁金属化率高达97.21%,铁晶须的宽度达4~10μm。  相似文献   
108.
以石膏为原料,采用水热法制备硫酸钙晶须。研究了料浆浓度、反应温度、反应时间、pH值等工艺条件对产品长径比的影响。通过显微镜观察测定了硫酸钙晶须的长径比,得出制备硫酸钙晶须的最优工艺条件为:反应温度130℃、料浆初始pH值10、料浆质量分数3%、反应时间为9 h。在此条件下,硫酸钙晶须产品长径比为75。  相似文献   
109.
通过添加α-Si3N4晶须,利用流延成型和热压烧结技术制备含有定向排列颗粒、各向异性的Si3N4陶瓷。研究α-Si3N4相在流延膜及烧结块体中的分布状态,并通过XRD、SEM和力学性能对流延膜和烧结块体的各向异性进行表征。结果表明,1 550℃下烧结制备的块体T(与流延方向平行的平面)、N(与流延方向垂直的平面)、P(侧面)三个面的I(210)/I(102)值与等轴状α-Si3N4粉体的相应值比较,其中T面的值较大,N面和P面的值较小;在T面的显微结构中存在平行于流延方向排列的大颗粒;试样不同面的力学性能(断裂韧性和抗弯强度)中,T面最好,P面次之,N面最差;I(210)/I(102)值、显微结构、力学性能测试结果表明所制备的氮化硅陶瓷存在各向异性。  相似文献   
110.
基于高比表面的介孔TiO2晶须,利用羟基磷灰石(HAP)对有机质良好的吸附特性,采用浸泡包裹的方法在介孔TiO2晶须光催化剂表面包覆少量羟基磷灰石,制得对有机质有较好吸附性能的催化剂前躯体,利用光化学沉积法在包裹后的前躯体上担载Ag.结果表明:表面包覆HAP质量分数为0.5%、担载Ag质量分数为1.9%后的介孔TiO2晶须光催化性能得到提高的同时又保证了对有机质的吸附能力.  相似文献   
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