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991.
Ni-Mn-z(z=In,Sn,sb)是2004年发现的一类新型铁磁形状记忆合金,由于其丰富的物理内涵与应用前景吸引了各国科学家的研究.文章针对Ni-Mn-z(z=In,sn,sb)铁磁形状记忆合金的结构、相变、磁性等方面进行综述,并探讨产生磁驱马氏体相变的条件,着重介绍了该系列材料在磁致应变、磁热效应、磁电阻效应等方面的研究进展. 相似文献
992.
993.
王碧玉 《文山师范高等专科学校学报》2013,(4):76-79
砚广土语是壮语方言研究中最薄弱的环节之一。文章运用结构主义语言学方法描写西畴县摩所村壮语音系,并分析其声、韵、调特点,以揭示其基本面貌,为学界提供一份新的砚广土语素材。 相似文献
994.
对变电所接地设计要点进行了简要分析,对不同建设标准的项目选择不同的最经济合理接地方案,对各种接地材质适用情况进行了简单介绍,并针对高土壤电阻率地区的变电所提出了各种降阻措施,分析了其降阻原理、适用范围及其接地电阻的计算方法。 相似文献
996.
地方政府的地方性政令往往容易宣传不到位、解释不清楚,极大地影响政令的实施效果。以湖南省衡阳市交通整治行动之一的"限摩"为例,此行动有利于国计民生,若要提高宣传深度、扩大宣传范围,以使其深入民心,可以提出很多具有可操作性的发布渠道,如数字电视、报纸、网络和广播等,更有运用数字电视机的开机语做广告、在银行驾校等公共场所发布传单等简单易行、成本低廉的手段。 相似文献
997.
本文从数项级数的判敛法则出发,导出了几个函数项级数的一致收敛判别法。另外,仿照极限的夹逼原理,得到函数项级数一致收敛的夹逼判别法。 相似文献
998.
孙顺太 《大理学院学报:综合版》2011,10(5):28-30
156项工程和三线建设是改革开放前重要的经济建设里程,对中国的社会和经济产生了深远的影响。现就156项工程和三线建设从不同的角度作一比较。 相似文献
999.
介绍了一种新型的I-V特性为Λ型的负阻器件(negative resistance device,NRT),该器件使用上华0.5μm标准互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor transistor,CMOS)工艺制造.为节省器件数目,此类负阻器件并不调用上华工艺库中现有的标准元件模型,而是将一个金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)和一个双极晶体管(bipolar junction transistor,BJT)制作在相同的n阱中,利用p型基区层作为MOSFET的衬底,从而将两个器件合二为一.NRT拥有较低的谷值电流-6.8217nA和较高的电流峰谷比(peak-to-valley current ratio,PVCR)为3591.器件的峰值电流较小,为-24.4986μA,意味着较低的功耗.该负阻器件的平均负阻阻值为32kΩ.不同于近年来的大多数负阻器件,本器件制作于硅材料衬底上而非化合物材料衬底.因而能够与主流CMOS工艺兼容.新型NRT功... 相似文献
1000.
【目的】研究一类含有非线性梯度项的抛物方程解的爆破问题。【方法】主要利用一些不等式。【结果】得到一个关于能量满足的微分不等式。【结论】得到了当爆破发生时方程的解在两种不同非线性边界条件下的爆破时间的下界。 相似文献