首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3799篇
  免费   97篇
  国内免费   179篇
系统科学   65篇
丛书文集   194篇
教育与普及   93篇
理论与方法论   21篇
现状及发展   20篇
综合类   3682篇
  2024年   20篇
  2023年   87篇
  2022年   64篇
  2021年   85篇
  2020年   77篇
  2019年   88篇
  2018年   50篇
  2017年   73篇
  2016年   81篇
  2015年   96篇
  2014年   197篇
  2013年   165篇
  2012年   195篇
  2011年   217篇
  2010年   192篇
  2009年   233篇
  2008年   232篇
  2007年   245篇
  2006年   179篇
  2005年   138篇
  2004年   133篇
  2003年   153篇
  2002年   158篇
  2001年   144篇
  2000年   111篇
  1999年   102篇
  1998年   89篇
  1997年   75篇
  1996年   75篇
  1995年   60篇
  1994年   34篇
  1993年   47篇
  1992年   45篇
  1991年   28篇
  1990年   33篇
  1989年   34篇
  1988年   17篇
  1987年   11篇
  1986年   8篇
  1985年   2篇
  1983年   1篇
  1980年   1篇
排序方式: 共有4075条查询结果,搜索用时 31 毫秒
991.
Ni-Mn-z(z=In,Sn,sb)是2004年发现的一类新型铁磁形状记忆合金,由于其丰富的物理内涵与应用前景吸引了各国科学家的研究.文章针对Ni-Mn-z(z=In,sn,sb)铁磁形状记忆合金的结构、相变、磁性等方面进行综述,并探讨产生磁驱马氏体相变的条件,着重介绍了该系列材料在磁致应变、磁热效应、磁电阻效应等方面的研究进展.  相似文献   
992.
993.
砚广土语是壮语方言研究中最薄弱的环节之一。文章运用结构主义语言学方法描写西畴县摩所村壮语音系,并分析其声、韵、调特点,以揭示其基本面貌,为学界提供一份新的砚广土语素材。  相似文献   
994.
周波 《甘肃科技》2011,27(11):82-85
对变电所接地设计要点进行了简要分析,对不同建设标准的项目选择不同的最经济合理接地方案,对各种接地材质适用情况进行了简单介绍,并针对高土壤电阻率地区的变电所提出了各种降阻措施,分析了其降阻原理、适用范围及其接地电阻的计算方法。  相似文献   
995.
针对复杂数项级数的极限问题,引出了一个定理.运用该定理使得求解方法变得更加简洁有效.  相似文献   
996.
地方政府的地方性政令往往容易宣传不到位、解释不清楚,极大地影响政令的实施效果。以湖南省衡阳市交通整治行动之一的"限摩"为例,此行动有利于国计民生,若要提高宣传深度、扩大宣传范围,以使其深入民心,可以提出很多具有可操作性的发布渠道,如数字电视、报纸、网络和广播等,更有运用数字电视机的开机语做广告、在银行驾校等公共场所发布传单等简单易行、成本低廉的手段。  相似文献   
997.
段会卿 《科技资讯》2011,(18):176-176
本文从数项级数的判敛法则出发,导出了几个函数项级数的一致收敛判别法。另外,仿照极限的夹逼原理,得到函数项级数一致收敛的夹逼判别法。  相似文献   
998.
156项工程和三线建设是改革开放前重要的经济建设里程,对中国的社会和经济产生了深远的影响。现就156项工程和三线建设从不同的角度作一比较。  相似文献   
999.
介绍了一种新型的I-V特性为Λ型的负阻器件(negative resistance device,NRT),该器件使用上华0.5μm标准互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor transistor,CMOS)工艺制造.为节省器件数目,此类负阻器件并不调用上华工艺库中现有的标准元件模型,而是将一个金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)和一个双极晶体管(bipolar junction transistor,BJT)制作在相同的n阱中,利用p型基区层作为MOSFET的衬底,从而将两个器件合二为一.NRT拥有较低的谷值电流-6.8217nA和较高的电流峰谷比(peak-to-valley current ratio,PVCR)为3591.器件的峰值电流较小,为-24.4986μA,意味着较低的功耗.该负阻器件的平均负阻阻值为32kΩ.不同于近年来的大多数负阻器件,本器件制作于硅材料衬底上而非化合物材料衬底.因而能够与主流CMOS工艺兼容.新型NRT功...  相似文献   
1000.
【目的】研究一类含有非线性梯度项的抛物方程解的爆破问题。【方法】主要利用一些不等式。【结果】得到一个关于能量满足的微分不等式。【结论】得到了当爆破发生时方程的解在两种不同非线性边界条件下的爆破时间的下界。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号