玻璃锡槽中保护性气体温度场和流场分析

在实验研究的基础上，对玻璃锡槽中保护性气体流场和温度场做数值模拟，进行定量分析和研究．应用K-ε方程模型对锡槽上部空间气体的速度场和温度场进行湍流模拟计算．通过计算得到，速度场呈现三维流动特征，在z和y方向存在环形流动，同时以沿x方向的流动为主；随着x的增加，不断有新的气体流入，在锡槽后部．气体沿x方向流动；锡槽内气体的温度随x的增加而降低．在z方向随z增大气体温度增加；水包对附近气体有冷却作用，但对于整个锡槽的冷却作用并不明显．     

平板显示器件的多种灰度显示方案

介绍了各种灰度实现的方案，分析其灰度级实现原理和各自的特点，并着重描述子场和PWM方法；同时介绍一款专用灰度调制芯片BHL2000及其在动态图像显示中的实际应用方案，该芯片已在目前国内最大的FED驱动电路中采用。较其它FPD灰度调制方面的文章，本文的分析更为全面，并举出应用实例。     

毡体密度对C/C复合材料增密和结构的影响

用液化石油气作碳源、针刺炭毡作增强体,在自行设计的多元耦合物理场CVI炉中制备炭/炭(C/C)复合材料,在毡体内部设置石墨纸作发热体,并研究了一次性沉积15 h后,毡体密度对增密速度和材料结构的影响.采用偏光显微镜研究了沉积炭的显微结构,用XRD均峰位法研究了材料的石墨化度,并用排水法测量材料的表观密度.研究表明, CVI工艺增密速度随毡体密度的增加呈下降趋势,而较高的毡体密度有利于获得较高石墨化度的高织构的粗糙层结构(RL)热解炭.图4,参15.     

Vaidya黑洞周围时空中Dirac粒子的辐射谱及Wien位移定律

利用Vaidya黑洞Dirac场的瞬时辐出度，导出黑洞的辐射谱及Wien位移定律．结果表明黑洞的辐射谱不仅与黑洞的视界温度有关，还与黑洞的质量及视界的变化率有关．因辐射粒子的种类不同，导出的两类粒子的Wien位移定律略有不同．     

Co2+: CaAl2S4吸收光谱的理论解释

MgAl2Sd，CaAl2S4，CO^2 MgAl2S4和Co^2 CaAl2S4晶体是典型的三重复合半导体材料，由化学输运反应的方法可以成功制备而得出，具有宽的能隙结构，因而在光电方面有着非常重要的应用而备受广泛的关注．采用Sugano-Tallabe强场近似理论，引入平均共价因子Ⅳ，利用经典晶场能量矩阵公式，在D2对称模型下计算出的结果较好符合了实验事实，从而纠正了S．K．Oh等人对Co^2 ：CaAl2S4吸收光谱的不合理解释。     

基于模糊熵和均值量化的盲文水印方案

提出了一种新的DCT域盲文水印算法，该算法应用模糊熵测度选择边缘特征显著的子块作为嵌入子块，然后应用均值量化来增强嵌入水印的鲁棒性．实验结果表明，嵌入水印后的图像具有很好的不可见性，同时对常见的信号处理和噪声干扰具有良好的鲁棒性．     

用光谱和EPR谱确定CsMgCl3:Ni2+和CsCdCl3:Ni2+的局域结构

采用半自洽场（semi-SCF）自由Ni^2＋的3d轨道波函数、点电荷-偶极子模型和Ni^2＋-6X-（X=F,Cl,Br,I）络合物的μ-κ-α模型,建立了结构参数与光谱、EPR谱之间的定量关系,利用完全对角化方法,由光谱和电子顺磁共振（EPR）谱,确定了CsMgCl3：Ni^2＋和CsCdCl3：Ni^2＋晶体在77K温度时的Ni^2＋占位和局域结构参数,统一解释了CsMgCl3：Ni^2＋和CsCdCl3：Ni^2＋晶体的结构、光谱和EPR谱.此外,还讨论了高阶微扰方法、参量拟合方法等问题.所得理论结果与实验值符合得很好.     

具有混合策略的二人有限零和灰色博弈

基于灰色系统理论的思想和方法，探讨了具有混合策略的二人有限零和博弈问题．提出了具有混合策略的二人有限零和灰色博弈的概念．以及相应的平衡解、上、下临界平衡解、理想平衡解、口定位平衡解、均值定位平衡解等概念．证明了具有混合策略的二人有限零和灰色博弈问题平衡解的存在性．并且推证过程也提供了求解上、下临界平衡解、口定位平衡解和均值定位平衡解的方法．指出了灰色博弈问题的最优值与其上、下临界博弈问题最优值之间的关系．以及理想平衡解存在的一个充分条件．中的实例说明了有关概念及结论的合理性与求解方法的有效性。     

超声空化场中的球旋转

根据P.Langevin对声辐射力的推算和C.Eckart的声流理论,实现了超声喷泉中一个球体的旋转和两个球体按相反方向的旋转,同时观察到这些球体的旋转随超声功率的增大而加速.这种由频率1.7 MHz和电功率45W的超声所产生的超声喷泉,可以看作是一种向上喷射的超声空化场,它拥有一种单方向的辐射力和对称的回旋声流,正是这种空化场所具有的这类典型的声学非线性特性才为球体的旋转提供了稳定的旋转力矩.     

逐步等效t检验最优值的修正及应用

给出了逐步生物等效t检验最大耐受剂量值的一个修正法，使用该法可以最大限度地提高药物耐受剂量水平的精度，并在概率1—α之下保证安全性，使得最优耐受剂量值最大限度地接近真实最大耐受剂量值。