CW-Ⅱ系列水位控制器的研制及应用

介绍我们研制的CW-Ⅱ系列水位控制器原理，功能特点，安装调试方法及运行模式。     

单相单脉冲触发电路设计

采用通用集成电路设计了一种单相单脉冲可控硅触发电路.该电路利用接近开关作为控制集成触发器的触发.同步信号的积分与移相信号比较产生触发脉冲,抗同步信号的高频干扰和波形畸变的能力强.本电路采用专作集成电路设计,具有功耗小、功能强、输入阻抗高、抗干扰性能好、移相范围宽、外部器件少、单电源工作,调整方便等优点.     

矿井提升机可控硅串级调速系统的设计

针对矿井提升机对电力拖动系统的要求,采用可控硅串级调速使拖动系统具有较好的调速和节电性能;采用改变定子电源电压相序的方法来实现电动机的可逆运行,最终满足矿井提升机对电力拖动系统调速性能和节能的要求.     

一种三相可控硅触发电路的设计

采用通用集成电路设计了一种三相可控硅触发电路。该电路利用同步信号的积分与移相信号比较产生触发脉冲,抗同步信号的高频干扰和波形畸变的能力强。这种设计所用元件少,成本低,调试方便。     

可控硅温度控制系统的控温精度研究

研究了小滞后情况下可控硅控温系统中干扰对炉温波动的影响,导出了炉温波动的数学表达式,分析了炉温波动与系统参数间的关系,并与实验结果进行了比较,为进一步提高系统的控温精度提供了理论依据.     

一种大功率可控硅触发板应用

在电磁线圈驱动中采用的大功率开关有三电极间隙开关、真空触发开关和半导体可控硅开关.大功率可控硅半导体器件,具有使用寿命长、电压高、电流大、环境适应性强、操作无噪声、工作可靠性高、开关速度快、使用维护简单、控制灵敏、高效率、小型化等优点.因此在高功率脉冲技术方面得到了广泛的应用.     

高速小回滞双向SCR的ESD防护器件设计

针对可控硅(SCR)结构的静电放电(ESD)防护器件触发电压高、电压回滞幅度大以及开启速度慢等问题,设计了一种RC触发内嵌PMOS DDSCR(DUT3)器件.基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺制备了传统DDSCR(DUT1)、内嵌PMOS DDSCR(DUT2)和DUT3三种器件,利用传输线脉冲系统测试了它们的ESD特性.实验结果表明:与DUT1相比,DUT2触发电压从31.3 V下降至5.46 V,维持电压从3.59 V上升至4.65 V,具有窄小的电压回滞幅度.但是,由于DUT2内嵌PMOS常处于开态,导致DUT2器件漏电流高达10-2 A量级,不适用于ESD防护.通过在DUT2内嵌的PMOS栅上引入RC触发电路,提供固定栅压,获得的DUT3不仅进一步减小了电压回滞幅度,同时具有12.6 ns极短的器件开启时间,与DUT1相比,DUT3开启速度提高了约71.5%,漏电流稳定在10-10 A量级.优化的DUT3器件适用于高速小回滞窄ESD设计窗口低压集成电路的ESD防护.