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51.
提出了利用压电陶瓷的阻抗测量法的概念,即用压电陶瓷作为驱动源产生动态阻抗信息.测试系统由阻抗分析仪、计算机、压电陶瓷片、铝梁组成.实验将铝梁作为测试对象,在其上粘贴压电陶瓷,通过对阻抗应答、振动模型和压电陶瓷片的粘贴位置的分析,研究梁的阻抗频率特性.实验结果表明,利用阻抗法,容易得到构造物的频率响应特性,应答分析也简单. 相似文献
52.
一种新广义Preisach迟滞模型及其神经网络辨识 总被引:2,自引:0,他引:2
研究压电陶瓷执行器应用于纳米定位系统时,其多值映射的迟滞特性对系统定位控制精度影响.在经典Preisach模型的基础上,引入平均迟滞函数,提出了一种新广义Preisach迟滞模型,并利用神经网络对新广义Preisach模型关键参量辨识.仿真实验表明,利用该迟滞模型对压电陶瓷执行器建模,可以简化建模过程,提高建模精度. 相似文献
53.
应用压电材料Stroh方法分析压电体光滑接触界面上滑移波的存在性条件,给出其存在的判据.压电体由外加单向压力作用而光滑接触,同时处于一定场强的电场中,设在波的作用下界面不会发生分离.通过具体压电材料的数值计算发现:当沿界面传播的波速满足一定条件时,滑移界面波能存在.特别地,两压电体的Rayleigh波速、极限波速一样时,滑移波将不存在;两压电体的Rayleigh波速、极限波速不同时,滑移界面波速将是两个Rayleigh波速之间的某个值或者是较小Rayleigh波速与较小的极限波速之间的值;滑移界面波的存在决定于材料本身的性质,而与外加载荷没有关系. 相似文献
54.
基于目标声源方位已知的双麦克风噪声抑制 总被引:1,自引:0,他引:1
复杂噪声抑制是语音技术实用化的基础。很多应用中,目标说话人的方位相对固定,而噪声的类型、个数、位置均是未知的,且可能随时间变化。针对这类应用,该文提出一种基于语音信号时频分布稀疏性的半盲双麦克风噪声抑制方法。首先假定说话人方位已知且固定,并根据方位关系建立其空间方位模型,实际噪声的空间方位模型根据观测数据在目标说话人空间方位模型上自适应得到;然后对每个时频点进行分类,并建立二元掩膜;最后利用二元掩膜重构目标语音。实验结果显示:该方法在复杂噪声环境下仍具有显著的降噪效果,且语音失真度较低,其降噪性能接近于噪声源方位已知下的非盲降噪方法。 相似文献
55.
介绍一种采用压电陶瓷变压器高压电源、吸尘电极及单片机控制构成适合空调机的空气清净系统,取代现有空调机的进气防尘网及空气清新等装置.吸尘电极将电离室、吸尘、空气清新及进气通道融为一体,实现空气清新、气流循环、吸尘等多种功能.以压电陶瓷变压器为升压元件的高压电源,具有恒压、短路自动保护等特点. 相似文献
56.
采用传统陶瓷工艺制备了(Bi0.94(Na0.94-xLix))0.5Ba0.06TiO3(缩写为BNBT6 - xL)无铅压电陶瓷.研究了Li+取代A位Na+后,(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3(缩写为BNBT6)陶瓷的物性变化.x在0.01 ~0.11之间变化,BNBT6陶瓷三方-四方共存的晶体... 相似文献
57.
在谐振梁能量收集器中PZT膜材料的制备起着至关重要的作用,复合结构的锆钛酸铅(PZT)厚膜采用溶胶-凝胶方法旋涂在硅基的Au/Cr/SiO2/Si结构衬底的制备方法,主要因为溶胶-凝胶制备方法简单,成本低适合于集成制作.改进PZT组分和和0-3混合法及复合结构的Au/Cr/SiO2/Si衬底,使制备的PZT厚膜避免了厚... 相似文献
58.
为进一步提高IPN材料的阻尼性能,将PU/VER IPN与钛酸钡(BT)压电陶瓷复合制备BT/IPN复合阻尼材料,并进行极化处理.研究了压电复合阻尼材料的阻尼性能、压电常数、相对介电常数和微观结构.结果表明:经1 000℃煅烧后的四方相BT粒子在IPN基质中分散较为均匀,孔洞和缺陷较少.极化使得BT/IPN复合材料的阻... 相似文献
59.
<正>发动机是飞机的心脏,为保证飞机操作系统绝对安全可靠、飞行安全,必须在发动机上安装相应的传感器,用来测量发动机的工作参数,随时监控发动机的工作状态。加速度传感器在发动机研制、生产和使用过程中,对发动机进行振动测量和监视。目前用于航空发动机振动测量的传感器主要是磁电式速度传感器和压电加速度传 相似文献
60.
分析了(K0.5Na0.5)NbO3(简写为KNN)基陶瓷压电性能温度稳定性差的原因, 结合KNN固溶体的相图, 提出了解决KNN 基陶瓷压电性能温度稳定性差的新方法. 为了验证此方法的可行性, 设计了 0.9(K1-xNax)NbO3-0.06LiNbO3-0.04CaTiO3(简记为KNLN-CaTiO3)陶瓷. 系统研究了KNLN-CaTiO3 陶瓷的结构和性能. 实验结果表明: KNLN-CT(x=0.54)陶瓷在宽阔的温度范围(25~320℃)内表现出良好的温度稳定性, 在 x=0.54 处获得了相对较高的压电性能(d33=152pC/N). 这个结果证实了我们提出的解决KNN 基陶瓷压电性能温度稳定性差的方法是可行的,具有使用价值. 相似文献