真空条件下自组装PEDOT/PSS-ZnO纳米线

通过sol-gel法制备了PEDOT/PSS-ZnO纳米复合材料, 在真空中使其自组装得到了外径约为100 nm, 具有电缆形貌的一维纳米线. 经TEM和EDX光谱测定, 该纳米线的有机外壁是导电高分子PEDOT/PSS, 内芯是多晶结构的ZnO. 研究表明: 环境的真空度和放置时间极大地影响该纳米线的自组装形貌.     

CeO_2纳米线阵列的制备

以阳极氧化铝膜(AAO)为模板通过溶胶-凝胶法合成了CeO2 纳米线阵列,并通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)以及X射线光电子能谱(XPS)等对CeO2 纳米线进行了表征.     

Eu~(3+)掺杂La(OH)_3一维纳米线的磁学和发光性能研究

采用溶剂热法成功制备La(OH)_3和La(OH)_3:Eu~(3+)纳米材料,表征了样品的晶体结构、微观形貌、宏观磁性及发光特性。结果表明,所制备样品是微观尺寸均匀,分散性良好,直径约为14 nm、长度约为107 nm的一维线状结构。纯La(OH)_3和La(OH)_3:Eu~(3+)纳米线均表现出室温铁磁性能,且其饱和磁化强度和荧光发射随掺杂浓度的提高先升高后降低。Eu~(3+)掺杂浓度为3%时,所制备的La(OH)_3:Eu~(3+)纳米线的饱和磁化强度最高(43.1 memu/g),是纯La(OH)_3纳米线(2.04 memu/g)的22倍。该掺杂浓度的样品同时表现出了优异的荧光发射性能,在589 nm,616 nm和696 nm处具有Eu~(3+)的特征荧光发射谱线。此类材料在特殊纳米功能器件、磁性荧光靶向药物等方面具有潜在的应用价值。     

HEMT压力传感器

利用Al Ga N/Ga N半导体的极化效应在异质结界面产生二维电子气(2DEG)的特性,设计了一种基于高电子迁移率场效应管(HEMT)的压强传感器;并利用标准的微电子工艺和背部深硅刻蚀技术制作了器件;对器件在不同压强下的源-漏I-V特性进行了测试和评价.结果表明本文设计制作的压强传感器的I-V特性对压强的变化能做出灵敏的反应.Ⅲ族氮化物半导体器件具有高速度、高灵敏、大功率和耐高温等特点,本压强传感器具有更广的应用领域.     

历史

<正>1958年9月10日,美国物理学家基尔比发明了集成电路。集成电路是一种微型电子器件或部件,是采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连在一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构。其中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和和高可靠性方面迈进了一大步。在基尔比发明基于硅的集成电路的同     

中国半导体照明产业发展现状与趋势

半导体照明(亦称固态照明,solid state lighting,SSL),是继白炽灯、荧光灯之后的又一次光源革命.2016年,我国半导体照明产业规模达5 126亿元,关键技术与国际水平差距逐步缩小,示范应用居于世界前列,已成为全球最大的半导体照明生产、消费和出口国.当前半导体照明产业面临新的形势是:国际上技术快速进步,新兴应用崛起,市场渗透加速,竞争格局调整;国内产业集中度进一步提升,龙头企业加快扩张,海外市场拓展加速,整合并购成为主流.本文系统梳理了我国半导体照明产业发展的现状及趋势,分析了我国半导体照明产业发展面临的机遇与挑战,提出下一步推动我国从半导体照明产业大国向产业强国转变的主要工作.     

基于双光电反馈振荡器的单向混沌同步通信

利用半导体激光器和马赫-曾德尔调制器构建了一个基于双光电反馈振荡器的单向混沌同步通信系统,数值研究了该系统的同步特性及通信性能。结果表明,系统输出的混沌波具有更宽的频带和更为复杂的频谱,有利于提高通信容量和系统的安全性;当系统无参数失配时,能获得高质量混沌同步,并能实现实时通信;参数失配对系统同步性能和通信质量有影响,但在一定的参数失配范围内,系统仍能实现较好的混沌通信。     

微接触压印法制备ZnO纳米线二维光子晶体

采用基于微接触压印的一种新工艺制备了ZnO纳米线二维光子晶体,工艺包括两个步骤:第一,利用Zn(AOc)_2溶胶作为墨水和PDMS作为印章,通过微接触压印技术在ITO衬底上制备图形化的ZnO种子层;第二,采用80℃的低温水热法在图形化的ZnO种子层上选择性的生长ZnO纳米线,获得ZnO纳米线二维光子晶体。测试结果表明:通过优化后的工艺,实现了微结构完整的图形化ZnO种子层;通过短时间的水浴生长实现ZnO纳米线二维光子晶体。由于光子晶体的多重散射效应,透过ZnO纳米线光子晶体的光波呈周期性震动的光谱曲线与带状色散条纹。     

纳米科学与技术及其应用

正中美纳米华人论坛(The 8th Sino-US Nano Forum)于2013年6月28日~7月1日在浙江大学召开。本次论坛由浙江大学化学系主办,主题为"纳米科学与技术及其应用",旨在进一步加强中美纳米科技成果的交流,探索新型纳米材料科学技术前沿以及开发促进该类材料的应用。美国乔治亚理工学院夏幼南教授和中国浙江大学化学系彭笑刚教授为本次论坛共同主席。论坛邀     

模板法制备GdMn_xO_y纳米线阵列及荧光性能

用负压抽滤法,在多孔阳极氧化铝模板(AAO)中制备GdMnxOy纳米线阵列.分别以扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能量色散谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、选区电子衍射(SAED)表征GdMnxOy纳米线的形貌、组成和结构.实验结果表明:GdMnxOy纳米线尺寸、形貌均一,为非晶态结构,Gd、Mn、O元素的原子百分比是1.65∶0.14∶98.21,用荧光分光光度计(PL,F-4500)表征铕掺杂的GdMnxOy纳米线荧光性能,结果表明:室温下,当激发波长为394 nm时,GdMnxOy:Eu纳米线在593 nm附近有一组强的发射峰,此为5D0-7F1跃迁所致,当Eu3+掺杂浓度比例为4%时,GdMnxOy:Eu纳米线荧光强度最强.