连续波激光诱导扩散区温度的不接触测量

激光诱导扩散中曝光区的大小在１０μｍ数量级，其温度分布的测量是比较困难的，该文报道一种曝光区中极微小面元的不接触测量，文中介绍了测量原理，实验装置，给出了实验结果，并特地介绍了测量系统的定标。     

C+注入SiO2薄膜的蓝光发射

自从发现多孔硅室温发射可见光现象以来,硅基纳米结构第Ⅳ族半导体发光研究引起了广泛关注。这不仅可以使传统的、成熟的硅平面工艺直接应用于光电器件中去,而且为介观系统新现象、新规律研究提供了一个理想的研究体系。由于SiO_2在硅集成电路中应     

GaAs/AlGaAs阶梯量子阱结构量子受限Stark效应的实验研究

半导体量子阱超晶格作为一种新型的人工剪裁结构受到人们的普遍重视.该结构的特点之一就是可以利用在外电场调制作用下光学性质的变化来实现其在光电子学方面的应用,量子受限Stark效应(Quantum confined stark effect,简称QCSE)就是一个例子,它是指在外加垂直电场的作用下,跃迁能级能量的变化,这种能量的变化称为Stark位移.其不仅存在于半导体量子阱的带间跃迁中,同时也存在于子带间跃迁中.在包络函数近似下,利用求解一维Schr(?)dinger方程,研究了GaAs/AlGaAs阶梯量子阱结构中的Stark位移,通过微扰理论计算指出在一定的结构设计下,Stark位移量可以达到方形量子阱结构的两倍.根据理论计算,考虑到生长条件的具体限制,在半绝缘GaAs衬底上外延生长了样品.1μm GaAs缓冲层之上是50 nm的AlAs剥离层,然后是300 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As层,接下来为50周期的阶梯量子阱结构.每个结构单元由 2 nm的 GaAs,8 nm的Al_(0.15)Ga_(0.85)As和4 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As构成.在阶梯量子阱结构之后是200 nm的 Al_(0.3)Ga_(0.7)AS和     

Schottky结构半导体粒子探测器的辐射测试

提出一种金属－半导体－金属Ｓｃｈｏｔｔｋｙ结构的粒子探测器，它用高迁移率，半缘绝的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积的粒子探测器。经过能量为１．５ＭｅＶ，剂量分别为５００ｋＧｙ和１ＭＧｙ的电子辐射和剂量分别为３００ｋＧｙ和５００ｋＧｙ的＾６０Ｃｏγ射线辐射，探测器能正常工作，是一种新型的经得起强辐射的粒子探测器。     

热流模型半导体方程组的光滑解

考虑具热效应的半导体方程组的初边值问题，应用Ｓｃｈａｕｄｅｒ不动点原理和先验估计方法，证明了该问题整体光滑解的存在唯一性。     

GT干涉仪压缩光脉冲的理论和实验研究

对增益开关半导体激光器产生的有啁啾光脉冲经ＧＴ干涉仪的脉定压缩效应进行了理论和实验研究。ＧＴ干涉仪由相互平行的全反射镜和部分反射镜组成。干涉仪的反射率恒等于１，其色散曲线呈周期性变化。在一个周期内，色散有正有负。调节二镜间距，使其具有适当的色散特性，可用来压缩光脉冲。理论计算和实验结果均表明，压缩后光脉冲形状随ＧＴ干涉仪反射镜间距的变化而变化。在某种情况下，光脉冲呈分裂状。在适当的条件下，可得到很好的压缩效果。实验得到最窄光脉冲的脉宽为 ５．５ ｐｓ，压缩比为 ８．４。     

脉冲电阳极腐蚀纳米多孔硅的蓝光发射

用直流叠加方波脉冲电流阳极腐蚀法制得了多孔硅（ＰＳ），样品经ＸｅＣｌ准分子激光器的３０８ｎｍ激光的激发，获得了中心波长为４６２ｎｍ，半高宽为１２６ｎｍ的蓝色光致发光（ＰＬ）谱、ＰＳ断透射电（ＴＥＭ）分析发现有ｎｍ量级的Ｓｉ原子团组成的一维量子线（柱）阵列的三维量子海棉结构，由此带来的量子约束和表面效应恰好说明了ＰＬ谱的实验结果。     

一种的实用 PWM 控制 GTR 电流型整流器

提出了一种新的适合于ＧＴＲ电流型变频器整流器部分的ＰＷＭ控制方法，推导出了在准圆轨迹ＰＷＭ控制规律下，整流器输出电压的计算公式和平波电抗器电感量计算的实用公式。实验证明，采用新型ＰＷＭ控制的整流器功率因数近似为１，且可大大减小平波电抗器的电感器。     

极化子对量子点中的Stark效应的影响

该文采用变分法研究了盒形量子点中Ｓｔａｒｋ效应，计算了电子－受限ＬＯ声子相互作用对Ｓｔａｒｋ能量移动的修正。计算结果表明，电子－受限ＬＯ声子相互作用减弱了Ｓｔａｒｋ能量移动，随着电场强度和量子点尺寸的增大，其对Ｓｔａｒｋ能量移动的贡献也增大。