CdS—CdSt2同阳离子共沉淀粉晶的荧光光谱研究

本文在非水溶剂中制备了ＣｄＳ，ＣｄＳｔ２及ＣｄＳ－ＣｄＳｔ２同阳离子共沉淀粉晶，荧光光谱的研究结果表明，ＣｄＳｔ２在ＣｄＳ－ＣｄＳｔ２同阳离子共沉淀粉晶的形成过程中对ＣｄＳ粒子进行表面修饰，产生了新的界面结构。     

从含金废液中提取金

电子工厂在制作硅半导体元件过程中,在硅片上要烧结一薄薄的金片作为电极,烧极前需要“王水”(1份硝酸、3份盐酸)来腐蚀金片,以调节金片的厚度以及清洁其表面.处理后的废液中含有少量的三氯化金,含金量为0.2%左右,过去大都让这宝贵的“废液”白白流走,这既浪费了原料又污染了环境.现介绍一种如何从这种废液中提取黄金的简单方法.     

混晶GaAs_（1－x）P_x：N中等电子杂质束缚激子的发光

在７７Ｋ流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下，对组分ｘ＝０．８８混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ的光致发光进行了研究。在发光谱中分别明显地出现ＮＮ＿ｉ（ｉ＝１，３）对束缚激子的发光峰。观察到压力下Ｎ＿ｘ带发光猝灭及谱带窄化。低温下，降低激发功率密度，Ｎ＿ｘ谱带移向低能量位置并且半宽变窄。实验结果表明发生Ｎ＿ｘ束缚激子从孤立Ｎ＿ｘ中心到ＮＮ＿ｉ中心的热激活转移。分析结果说明，在加压和低激发密度下，发生这种转移现象的主导机制分别是多重陷入和变程跳跃．     

SiO2薄膜注Si^＋后的蓝光发射

由于成熟的硅平面工艺已使硅成为目前不可取代的最重要的半导体材料,因此为了实现未来的硅基光电子集成,硅基发光材料正成为研究热点.广泛应用于硅集成电路中的SiO_2.薄膜有可能成为一种硅基发光材料.最近有人采用高注入能量在硅基SiO_2.薄膜中注入高剂量Si~+,获得了约为2.0eV的光致发光.假如SiO_2薄膜还可以发射绿光和蓝光,则为全色显示提供了必要条件.虽然某些SiO_2块体材料在低温下存在～2.7eV的光致蓝光峰,但有人报道SiO_2薄膜中不存在～2.7eV的蓝光发射.我们采用离子注