中国半导体照明产业发展现状与趋势

半导体照明(亦称固态照明,solid state lighting,SSL),是继白炽灯、荧光灯之后的又一次光源革命.2016年,我国半导体照明产业规模达5 126亿元,关键技术与国际水平差距逐步缩小,示范应用居于世界前列,已成为全球最大的半导体照明生产、消费和出口国.当前半导体照明产业面临新的形势是:国际上技术快速进步,新兴应用崛起,市场渗透加速,竞争格局调整;国内产业集中度进一步提升,龙头企业加快扩张,海外市场拓展加速,整合并购成为主流.本文系统梳理了我国半导体照明产业发展的现状及趋势,分析了我国半导体照明产业发展面临的机遇与挑战,提出下一步推动我国从半导体照明产业大国向产业强国转变的主要工作.     

基于双光电反馈振荡器的单向混沌同步通信

利用半导体激光器和马赫-曾德尔调制器构建了一个基于双光电反馈振荡器的单向混沌同步通信系统,数值研究了该系统的同步特性及通信性能。结果表明,系统输出的混沌波具有更宽的频带和更为复杂的频谱,有利于提高通信容量和系统的安全性;当系统无参数失配时,能获得高质量混沌同步,并能实现实时通信;参数失配对系统同步性能和通信质量有影响,但在一定的参数失配范围内,系统仍能实现较好的混沌通信。     

纳米科学与技术及其应用

正中美纳米华人论坛(The 8th Sino-US Nano Forum)于2013年6月28日~7月1日在浙江大学召开。本次论坛由浙江大学化学系主办,主题为"纳米科学与技术及其应用",旨在进一步加强中美纳米科技成果的交流,探索新型纳米材料科学技术前沿以及开发促进该类材料的应用。美国乔治亚理工学院夏幼南教授和中国浙江大学化学系彭笑刚教授为本次论坛共同主席。论坛邀     

过渡金属单氧化物光催化剂的研究进展

目的概述过渡金属单氧化物(FeO,CoO和NiO)光催化剂的研究进展,旨在从机理层面上更好地认识这类催化剂,使之为工业生产和生活服务。方法参考国内外相关文献32篇,对过渡金属单氧化物(FeO,CoO和NiO)光催化剂的研究进展进行综述。结果从FeO,CoO,NiO及其掺杂物的结构、电子性质和其光催化性质几方面入手,对前人的研究工作进行了简要概述,并指出了其中存在的一些问题。结论过渡金属单氧化物(FeO,CoO和NiO)作为一类重要的光催化剂,有化学性质稳定、低成本、无毒等优点,但是由于其禁带宽度较大,对光的利用率低;催化剂很容易发生团聚,导致表面积降低而失活;对其催化机理的研究有待进一步深入。     

BiVO4光催化降解黄药的实验研究

为解决矿山浮选废水中残留黄药造成的水体污染问题,通过水热法制备出花生形BiVO_4光催化剂。采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分别对实验样品的结构和形貌进行了表征,发现花生形BiVO_4光催化剂结晶度高且形貌规整。当模拟废水的体积为50 m L,黄药浓度为50 mg·L-1,pH=7时,花生形BiVO_4光催化剂对黄药的降解效果最佳,降解率为93.58%。花生形BiVO_4光催化剂降解黄药的行为符合一级反应动力学。花生形BiVO_4光催化剂在多次循环使用后仍保持较高的稳定性。     

太阳能水源空调系统设计与实现

针对夏季地下水温度较低,冬季太阳能热水器水温较高的特点,研制出太阳能水源空调系统。该系统在夏季时,由太阳能电池板发电,并利用制冷半导体对循环水制冷,进而调节室内温度;冬季时,则利用太阳能热水器的水温,加之太阳能发电,辅助加热循环水,可使室内保持较高温度。由于系统未使用任何化学物质,因此对环境不会产生任何污染。     

EDMOS的工艺和电性模拟

EDMOS晶体管广泛地用于半导体器件在很多领域内，如高压MOS场效应管。EDMOS含有一个轻掺杂漏极区域来提升击穿电压．正归功于它们的优越性，这类晶体管正作为功率器件在智能型功率集成电路领域快速地取代双极晶体管．     

光催化剂沸石/Fe_2O_3/TiO_2的制备、表征及性能

以天然沸石为载体,以钛酸丁酯、硝酸铁为主要原料,用溶胶-凝胶法成功制备负载型Fe_2O_3/TiO_2光催化剂;采用XRD、SEM、EDS及XPS对样品进行结构表征及化学组成分析.结果表明:400℃焙烧所制得光催化剂中TiO_2主要以锐钛矿形式存在,掺杂铁元素主要以价键形式分布在沸石中,负载Fe_2O_3/TiO_2的沸石主要呈球形和类球形.降解实验表明:光催化剂对甲基橙具有良好的降解性能,且易回收再利用.     

Zintl相化合物Sr_3Ga_2M_4(M=P,As)的电子结构和成键特征

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Zintl相Sr_3Ga_2M_4(M=P,As)的电子结构和成键特征.计算得到的晶格常数和实验符合得很好,确保了计算的准确性.相似的态密度表明两种化合物能带结构近似,Sr_3Ga_2P_4和Sr_3Ga_2As_4的带隙分别为0.99eV和0.74eV,价带顶最高点和最低点分别位于Γ点和X点说明材料为窄带隙间接半导体,满足对热电材料的带隙要求.利用电子局域函数分析其成键特性,晶体结构内部展现出共价键和离子键的共存,符合Zintl相材料成键特征,这种复杂的结构有利于材料的低热导率.对有效质量的分析和计算进一步表明材料具有潜在的热电特性.     

超级13Cr不锈钢的钝化膜耐蚀性与半导体特性

利用极化曲线和Mott-Schottky曲线,研究了超级13Cr马氏体不锈钢在100、130、150和170℃且含CO2和Cl-的腐蚀介质中浸泡7 d所形成的钝化膜的电化学行为和半导体性质.同时应用光电子能谱表面分析技术分析了超级13Cr钝化膜中的元素价态.结果表明,超级13Cr马氏体不锈钢经腐蚀过后形成的钝化膜表层中Mo和Ni以各自硫化物的形式富集,而Cr以Cr的氧化物的形式富集.在100℃和130℃形成的钝化膜具有良好的耐蚀性,而在150℃和170℃形成的钝化膜耐蚀性下降.产生这种现象的原因与表面钝化膜的半导体性能密切相关,在100℃和130℃中形成的钝化膜具有双极性n-p型半导体特征,且随着温度升高掺杂数量增多,而150℃和170℃介质中形成的钝化膜为p型半导体,故随着温度升高,超级13Cr马氏体不锈钢的耐蚀性能下降.