产品的装配精度及工艺保证方法

产品的装配精度,不但决定于零件的精度,而且决定于装配方法。装配精度反映产品的质量,要保证产品质量,必须合理选择装配方法。     

伊辛模型临界自关联函数的Monte Carlo模拟

采用动力学Monte Carlo模拟方法,在非平衡态临界点上,对二维伊辛（Ising）模型的自关联函数进行了数值研究.在零外场条件下,系统从高温无序初态淬火到临界点Tc,用热浴迭代算法,研究非平衡态下双时自关联函数A（t,t′）随时间的演化规律.在充分分析讨论有限尺寸效应发生的尺度范围之后,对模拟数据进行合理取舍,得到自关联函数在临界点的幂指数λc/Zc≈0.7.实验表明这个值与所选取的参考时间无关,证实短时动力学在临界区域存在普适的标度律.     

小功率脉冲电镀仪在高效硅太阳电池中的应用

研制出用于制备空间硅太阳电池上电极的小功率脉冲电镀仪，该电镀仪脉冲电流的频率和占空比具有较宽的调节范围，满足高效率硅太阳电池脉冲电镀的要求，与国内，外普遍采用的真空蒸镀硅太阳电池上电极相比较，脉冲电镀可以制备更窄的栅指电极，电池上电极的遮光损失从７％￣９％降低到３％。     

急性冷暴露与持续冷驯化对中缅树鼩膈肌和心肌线粒体呼吸的影响

在急性冷驯化阶段(1h,4h,8h),中缅树膈肌线粒体状态IV呼吸与对照比较8小时组有显著的增强,心肌线粒体状态IV呼吸与对照比较在4小时和8小时有显著增强;在持续冷驯化阶段(1d,7d,14d,28d),中缅树膈肌和心肌线粒体状态IV呼吸与对照比较均有所增强,其中28天组增强十分显著。这一系列变化对于探讨中缅树膈肌与心肌在冷驯化中质子漏产热特征具有一定的意义。     

逆包络法及其应用

逆包络是指已知包络面(线)方程，而要求形成该包络的曲面族中一个曲面(线)的问题，本文集中介绍了求解逆包络问题的7种方法，并介绍他们各自的应用和当注意的问题．     

浅论萨克斯管吹奏中常遇的问题及解决方法

萨克斯管吹奏中常出现音色概念、呼吸、指型、口型等方面的错误，阐述了其解决的方法，同时从理论的角度分析了原因，以帮助吹奏掌握正确、规范的萨克斯管吹奏方法。     

300 MW直接空冷机组启动冲洗工艺探讨

以华泽铝电空冷机组为例，对300MW直接空冷机组的启动冲洗工艺进行了探讨，并对其冲洗方法和冲洗原则进行了较为详细的介绍。     

缀板加强冷弯薄壁C形钢受压极限承载力研究

为研究缀板加强冷弯薄壁C形钢受压构件的受力性能,采用ANSYS软件建立其非线性有限元模型,并与试验破坏特征、极限承载力进行对比,验证建模方法的正确性. 研究缀板间距及偏心距对缀板加强冷弯薄壁C形钢在轴压及单向偏心受压作用下的极限承载力及屈曲模态的影响规律. 结果表明：随缀板间距减小,C形钢的屈曲变形由畸变屈曲逐步转为局部屈曲,轴心受压及偏心受压构件极限承载力逐渐增高;随偏心距增大,偏心受压构件的极限承载力逐渐降低;建议缀板加强冷弯薄壁C形钢轴压、偏压构件的缀板间距分别取λ/3、λ/4（λ为屈曲半波长度）. 基于缀板加强冷弯薄壁C形钢的受力特点及直接强度法,提出缀板加强冷弯薄壁C形钢构件轴压及偏压极限承载力的修正公式,并验证了公式的准确性.     

基于TSV的3D IC层次化物理实现技术

随着集成电路特征尺寸逼近物理极限,硅通孔（TSV）实现层间互连的三维集成电路（3D IC）成为延续摩尔定律的一种趋势.但现有集成电路设计工具、工艺库、设计方法尚不成熟,难以实现三维集成中超大尺寸基板芯片的时序收敛问题.为此,本文提出了一种利用现有传统的EDA工具完成基于TSV的3D IC物理设计的流程.首先,用热应力模型将三维硅通孔投影成二维阻挡层,从而将三维集成电路设计转化成若干含阻挡层的二维集成电路分别实现;其次,针对超大尺寸基板芯片的时序收敛困难问题,提出了一种标准单元布局方法,通过在版图中划定若干固定放置区用于限定关键时序单元的摆放,并迭代确定这些关键单元在固定放置区中的位置,实现大尺寸芯片的时序收敛.基于所提出的三维集成电路设计流程完成了一款三维集成的网络路由芯片基板芯片的设计,结果表明,相比传统的设计流程,提出的3D IC物理设计流程可使超大尺寸基板芯片从时序无法收敛优化到可收敛并满足时序要求,验证了所提出的3D IC物理设计流程的可行性.     

AHP法在空调冷热源方案选择中的应用

从空调冷热源设计的实际需要出发,提出了将系统工程中著名的ＡＨＰ法引入设计方案决策的新途径．在简要论述ＡＨＰ法基本思想和步骤的基础上,着重分析了ＡＨＰ法在实用中存在的问题,探讨了一种直观、高效的构造具有足够满意一致性ＡＨＰ判断矩阵的新方法,并运用该法对某大厦空调冷热源设计的具体实例进行了计算,得出了合理的结论．结果表明,ＡＨＰ法能够成功地应用于空调冷热源方案选择的决策．