由氢键构筑的钴(Ⅲ)配位超分子的合成、晶体结构及光电性能

采用水热合成方法,合成了一种Co(Ⅲ)配合物{[Co(Hbtec)(phen)(H2O)3].H2O},其结构经单晶X-射线衍射测定.结构分析表明化合物晶体中存在着丰富的氢键,从而将化合物分子网联成了配位超分子.采用表面光电压及场诱导表面光电压技术研究了配合物的光伏性能.结果表明,该化合物在300~800 nm范围内有较强的光伏响应,且呈现出P型半导体的特征.此外,讨论了化合物的反应历程及UV-VIS-NIR及FT-IR光谱.     

四光耦线性隔离放大器原理及实验研究

应用普通运算放大器LF353和普通光耦TLP521设计了一种新型线性隔离放大器．介绍了设计方案及其电路结构，并分析了其工作原理．实验结果验证了本设计方案的正确性．和同类放大器比较，该隔离放大器除了在性能上和集成模拟隔离放大器相接近外，还具有电路结构简单、易于实现、造价低廉等优点．     

用于紫外光传感器的透明纳米TiO2薄膜的制备

采用溶胶．凝胶法于不同温度下制备出了不同厚度、均匀透明、机械性能和光电特性稳定的TiO2多孔纳米薄膜．光电测试结果表明，焙烧温度和膜厚能够显著影响薄膜电极的光电特性．450℃焙烧制得的电极由结晶度高、光电活性相对较强的锐钛矿相构成，其光电流最大．低于此温度，薄膜结晶度较差，膜内缺陷较多，不利于光生载流子的传输；而高于此温度，薄膜因发生由锐钛矿到金红石的相变，使得光电活性相对较弱的金红石含量不断增大，从而降低了光电流．膜厚的增加有利于提高紫外光的吸收强度从而提高电极的光电活性，但过厚的膜厚将加大光生电子．空穴对的复合几率，引起电极光电活性的降低．另外，薄膜电极的紫外光电流响应灵敏度和光生电流稳定性与电极电位有关．电位为0．4V时，光电流趋于饱和，其强度为30．8μA，光电响应时间约1s，基本具备了在紫外光传感器方面应用的性能．     

基于文献计量的我国及世界光电材料研究比较分析

通过采集科学引文索引中所收录的世界1990年~2005年光电材料研究论文,并对数据进行二次处理,对论文数量排名前10位的国家进行了多项指标分析,比较了世界在该领域论文的机构分布(部分国家的主要机构)和我国在该领域论文的机构分布(部分科研机构和大学),得出了有价值的研究结果,并提出一些建议。     

无线激光打靶系统设计

为了提高适应性和实用性,设计了一种新型的无线靶枪分离型激光打靶器。该打靶器采用无线发送技术,把信息通过无线发送模块发送出去,接收系统再通过无线接收模块把信息取出,再用汉字显示屏和实时显示系统显示打靶信息,并可用计算机实时显示打靶者的成绩,具有精度高、能自动判断、显示环数、方位等特点。介绍了该打靶系统的基本工作原理,并对硬件和软件的设计作了详细分析。     

氧化锌透明导电膜的光电性能研究

采用磁控溅射法在载玻片上制备出Al3 掺杂型ZnO透明导电薄膜.对不同厚度薄膜的光电性能进行了研究.结果表明,所制备的薄膜随着厚度的增加,透过率略有下降;ZnO薄膜在可见光区的吸光度很小,对可见光几乎不吸收.     

Si上Ge薄膜特性研究

为了克服Ge雪崩光电二极管(APD)中因Ge的电子与空穴的碰撞离化系数相差不大带来的的较大噪声的缺点,拟研制一种新的器件--Ge/Si的吸收倍增分离雪崩光电二极管(SAM-APD). 先在n-Si衬底上用B+ 注入和分子束外延(MBE)2种方法分别形成p-Si,然后用MBE的方法在其上外延一层Ge膜.利用透射电镜、X光双晶衍射、Hall剥层测量等方法对Ge膜的单晶质量、电特性以及材料的p-n结特性做了分析比较,得到的结论是:Ge膜的单晶质量、电特性都比较好,直接生长的Ge膜的质量要优于经离子注入的Ge膜;但p-n结特性却是经离子注入的要好于直接生长的.     

多晶硅太阳电池的有效等离子体氢钝化

文章报道了一种用于多晶硅太阳电池氢纯化的简单试验装置，等离子体氢是通过辉光放电方法产生。三类完成电极制作的多晶硅太阳电池用于氢纯化试验，伏安特性测试结果表明，经过等离子体氢纯化后的太阳电池性能都有所提高，电池的光电转换效率相对改善高达10.6%。     

分离型激光启动靶光电探测系统及信号处理电路

介绍了一种用作分离型激光启动靶的光电探测系统及信号处理电路．半导体激光光源经准直、扩束形成激光光幕，再经距光幕一定距离(3—5m)外的具有原向反射特性的微珠玻璃屏反射回来后经球面反射镜的会聚由光电探测器接收．当弹丸飞越光幕后，光电探测系统可以获取弹丸过靶信号，实现对弹丸运动的研究．章给出了56式7．62mm弹丸实测波形．结果表明该系统有效靶区大，使用灵活方便，适用于大口径或弹道散布较大的弹丸速度的测量，也可用做其它设备(如狭缝相机等)的触发信号源．     

基于普通编码器的高精度测速方法

根据普通增量式光电编码器的测速原理，分析了引起量化误差和编码器脉宽误差的各种因素，在此基础上提出了新的信号处理算法——恒基准脉冲数法，以减小量化误差。同时将标定出的编码器脉宽系数作为脉宽误差补偿的参数，消除了利用恒基准脉冲数法测量转速时脉宽误差造成的影响，提高了系统的测量精度。