全文获取类型
收费全文 | 953篇 |
免费 | 28篇 |
国内免费 | 55篇 |
专业分类
系统科学 | 20篇 |
丛书文集 | 50篇 |
教育与普及 | 26篇 |
理论与方法论 | 12篇 |
现状及发展 | 2篇 |
综合类 | 926篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 13篇 |
2022年 | 5篇 |
2021年 | 7篇 |
2020年 | 5篇 |
2019年 | 6篇 |
2018年 | 7篇 |
2017年 | 8篇 |
2016年 | 6篇 |
2015年 | 23篇 |
2014年 | 29篇 |
2013年 | 40篇 |
2012年 | 31篇 |
2011年 | 45篇 |
2010年 | 41篇 |
2009年 | 55篇 |
2008年 | 50篇 |
2007年 | 55篇 |
2006年 | 50篇 |
2005年 | 46篇 |
2004年 | 29篇 |
2003年 | 44篇 |
2002年 | 44篇 |
2001年 | 32篇 |
2000年 | 44篇 |
1999年 | 38篇 |
1998年 | 44篇 |
1997年 | 33篇 |
1996年 | 50篇 |
1995年 | 24篇 |
1994年 | 20篇 |
1993年 | 18篇 |
1992年 | 22篇 |
1991年 | 11篇 |
1990年 | 15篇 |
1989年 | 16篇 |
1988年 | 14篇 |
1987年 | 6篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
排序方式: 共有1036条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
应力对称模型对显著应力梯度问题,显著微结构介质,对波长较小的动力学问题,已经表现出与实验结果的显著差异。就各向同性线弹性均匀固体的静力学问题,介绍应力对称模型的一个疑难,对于直角形区域角顶的两边承受不等的剪应力问题,对称应力模型无解。引入非对称应力模型和偶应力化解了这一疑难。分析表明,随着到边界距离的增加,非对称应力模型的解趋近于对称应力模型的解。 相似文献
72.
分析了以6-氨基青霉烷酸为原料合成他唑巴坦的反应,并重点对其中的环合反应进行了研究。在此步反应中成功地以醋酸乙烯代替乙炔及其衍生物作为环合试剂进行了1,3-偶极环加成反应,得到了目标产物。同时,对反应条件如溶剂、反应温度等进行了研究,使其色谱收率达70%以上。 相似文献
73.
中间多比特量化混沌扩频序列及其性能分析 总被引:4,自引:0,他引:4
利用伪随机数生成技术,提出了一种具有较好独立性与相关性的新的混沌序列中间多比特量化方案·研究了中间多比特量化方案产生扩频序列的平衡性和奇、偶相关性等与扩频系统性能相关的因素·仿真结果表明该方案在保持扩频序列性能不变的同时减少了序列生成的运算量,扩展了扩频序列周期,增加了序列的复杂度,有利于提高扩频通信系统的安全性· 相似文献
74.
本文介绍了海水阀用低合金铸铁在海水中的腐蚀行为。测定了该铸铁的腐蚀速率0.142-0.155毫米/年。通过对材质采取阴极保护和防腐涂层措施,使海水阀用低合金铸铁的耐海水腐蚀性能得到显著提高。 相似文献
75.
刘春峰 《烟台师范学院学报(自然科学版)》1996,12(2):98-101
G=(A,B;E)是偶图,|A|=|B|=n≥2,若e,f∈E,e≠f,有d(e)+d(f)≥3n+k(k≥1),则G中所有k个边的独立集M皆可扩张成G的1-因子。 相似文献
76.
谷震槐 《西北师范大学学报(自然科学版)》1996,32(2):98-103
推导出电偶极跃迁的普用选择定则,以单电子(或单价)原子和多电子原子能级间跃迁为例,阐明了这些规律的实质。 相似文献
77.
赵晓庆 《西南师范大学学报(自然科学版)》1993,(4)
研究了A-proper映射和偶A-proper映射的固有值,得到了几个较好的结果.文中首先证明了A-proper映射的固有元在边界上的存在性;然后给出了A-proper映射固有元的整体结构;还证明了偶A-proper映射固有值的存在性.最后利用导算子给出了偶A-proper映射固有值的整体刻划. 相似文献
78.
79.
秦九韶的大衍总数术分三大部分。在求定部分中,须把一般的问数化为彼此互素的问数,秦氏分成四格进行。该文对关键的“约奇约偶”、“复乘奇复乘偶”和“始得元数”诸词给以适当解释,并阐明“去总求等”的必要,从而完满地处理了无数复数两格,表明秦氏的求定理论是正确的。对大衍总数术的求乘率部分,该文提出大衍求一术是秦氏对古历算家的求历法上元的过程的总结,总结中,使用了一些深刻的概念,用它可以解一个同余方程;秦氏又 相似文献
80.
研制了一种新模式的半导体场效应晶体第--垂直沟道的偶载场效应晶体管(VDCFET),这种结构可以避免现有光刻技术的制约,使用常规的半导体双极晶体管工艺,既可把有效沟道长度减短,大大提高器件的速度,又可将电源电压降低到小于1V,大幅度降低功耗,改进其电学性能。本器件可应用于高频电路、D触发器、环振电路及反相器等重要电路。从纵向和横向报道了器件的设计思想,并给出了器件特性的测量结果。 相似文献