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71.
逆算子方法是一种新发展起来求解强非线性问题的近似解析法,对这种方法在MOSFET器件模拟中的基本思想和实现方法进行了阐述,并将其运用于MOSFET器件模拟中,求解了半导体区域的一维非线性泊松方程,得到了MOSFET的一些重要参量的解析表达式,所获得的结果与数值计算的结果比较表明,该方法获得的结果物理意义明确、分析过程简单,收敛速度快捷. 相似文献
72.
报道一个具有宽带特性的3mm波导结型隔离器,其性能为插入损耗小于0.8dB,反向隔离大于20dB,绝对带宽为3.5GHz(92.5-96GHz)。对影响器件的性能因素进行了讨论,并指出实验结果似乎与旋转门环行器设计理论不一致。 相似文献
73.
三维测量系统中线性CCD相机的直接线性变换 总被引:3,自引:0,他引:3
多组线性电荷耦合器件 (CCD)相机的直接线性变换 (DL T)中的每组 7个系数用于惟一确定对应相机的 8个内外方位元素对三维坐标解算有重要意义。分析了多组一维成像单元的标志点三维坐标重建原理。每个成像单元实际上只有 7个可用的内外方位元素 ,且与 DL T方程中系数的数目相符合 ,消除了可能由于系数和相机物理参数个数不等引入的重建误差。在自行研制的系统上进行了静态标志点的测试。结果表明 :在 70 0 m m× 76 0 mm× 5 0 0 mm的测量范围内 ,X、Y、Z坐标误差值都小于 1mm。 相似文献
74.
75.
公交计数系统设计与实现 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了采用单片机、CPLD和光电传感器来实现公交计数的设计思想,并给出了系统的软件和硬件的实现方案.在系统中采用多个传感器来完成对整个人的判断,从而提高计数精度,CPLD完成传感器信号的处理,AT89C51完成对整个系统的控制. 相似文献
76.
制备一种利用4,4′-N,N′-dicarbazole—biphenyl(CBP)作为超薄空穴注入缓冲层.CBP作为一种较好的缓冲材料,改善了有机发光器件的性能.CBP阻挡部分从阳极ITO注入到有机层NPB的空穴,从而平衡了空穴和电子的注入.有缓冲层的有机发光器件比没有缓冲层有机发光器件的电流效率有了明显的提高.当缓冲层CBP为4nm时,最大电流效率在8V时达到5.66cd/A,这是没有缓冲层器件电流效率的近1.5倍. 相似文献
77.
采用TMS320F240数字信号处理器和80C196KC单片机设计多功能IGBT逆变焊接电源双机控制系统.其中,TMS320F240主要用于焊接参数的采样、控制算法的运算;80C196KC用于完成人机接口的功能,包括键盘和显示,与上位机的通信等.设计中人机界面采用液晶显示.系统设计的关键是双机之间的通信技术,为了确保通信的可靠及快速性采用双口RAMIDT7005来完成.数字PWM控制单元采用复杂可编程逻辑器件(CPLD)完成,整个系统中所有逻辑控制也由此芯片来完成,实现了多功能焊机的全数字化控制. 相似文献
78.
高分子/富勒烯光伏电池是近些年来研究比较广泛的一类新型聚合物光伏器件。本文详细分析了高分子/富勒烯光伏电池的分类及工作原理,并介绍了以共轭高分子作为电子给体材料,富勒烯及其衍生物作为电子受体材料的高分子/富勒烯光伏电池的研究进展。 相似文献
79.
80.