奈必洛尔中间体的不对称合成

(S,R,R,R)-奈必洛尔是一种新型、强效的β1-肾上腺素能受体阻滞剂降压药物.采用氧化/Wittig烯化一锅煮反应和Sharpless不对称环氧化/环化一锅煮反应,经八步反应,不对称合成出(S,R,R,R)-奈必洛尔的两个关键中间体1-[6-氟-(2S)-3,4-二氢-2H-2-苯并吡喃]-(1R)-1,2-乙二醇和1-[6-氟-(2R)-3,4-二氢-2H-2-苯并吡喃]-(1S)-1,2-乙二醇.该合成路线工艺简单,单步反应产率高,八步反应总收率达19%.     

高压电场干燥技术在中药材干燥中的应用

在中药材、中药饮片及制药中间产品的传统干燥技术工艺中,存在着物料升温过高致使有效成分损失严重、生产时间长、能源消耗高、卫生不合格等问题.利用高压电场干燥技术对化橘红果和化橘红片进行了干燥试验及热风、真空干燥的对比试验,并对干燥后样品的有效成分作了实际检测.结果表明:高压电场干燥技术能够提高化橘红果和化橘红片的干燥速度,并且对有效成分可最大限度的保留.说明高压电场干燥技术是中药材加工领域里一项实用、有效的新型技术.     

G蛋白偶联受体研究进展

G蛋白偶联受体（GPCRs）是体内最大的蛋白质超家族，根据结构的同源性，主要分为A、B、C3族．GPCRs配体的多样性决定配体结合域的多样性．受体分子内相互作用力的破坏、质子化、构象改变、与G蛋白的偶联及受体二聚化参与了GPCRs的活化过程，近年发现GPCRs的失敏和内吞对受体功能调节亦非常重要，本文拟综述以上内容的研究进展．     

论越南知识分子的儒学化

近代越南的知识分子都不同程度地“儒学化”,包括那些接受西方进步思想,具有现代化思想倾向的进步知识分子。这一现象有利于中越两国在近代救国道路上互相学习、相互借鉴,也是近代越南在现代化启动和现代化进程中深受中国影响的重要原因之一。     

氧对Zr50Cu40Al10块体金属玻璃晶化动力学的影响

利用不同锆原材料、采用电弧炉坩埚倾斜铸造法制备了具有不同氧含量的Zr50Cu40Al10三元锆基块体金属玻璃,研究了氧对合金热稳定性及晶化动力学的影响.研究结果表明:合金的热稳定性随其氧含量的增加而降低,但晶化表观激活能却随氧含量的增加而增加;氧是通过提高晶化反应速率常数而降低合金热稳定性的,热稳定性与反应速率常数之间存在良好的对应关系,反应速率常数可以较好地表征具有强烈动力学效应的块体金属玻璃晶化过程;氧提高合金晶化反应速率常数的原因是由于它增大了反应的频率因子.     

[Zn(C4H13N3)2][B5O6(OH)4]2的水热合成、晶体结构和振动光谱

通过水热法合成了无机-有机杂化硼酸盐[Zn(C4H13N3)2][B5O6(OH)4]2,并通过红外与拉曼光谱分析以及元素分析对化合物进行了表征.X射线单晶结构分析结果表明,晶体属于单斜晶系,P2(1)/c空间群,晶胞参数:a=0.856 96(14)nm,b=1.178 07(19)nm,c=1.454 2(2)nm,α=90°,β=91.260(2)°,γ=90°,Z=2,V=1.467 7(4)nm3,Dc=1.602 g/cm3.五硼酸根阴离子[B5O6(OH)4]-之间通过氢键相互连接形成三维的框架结构,沿着a轴和c轴的方向存在大的孔洞,模板剂[Zn(C4H13N3)2]2 阳离子镶嵌在这些孔洞中.     

基于特征的双螺杆磨浆机构参数化设计

给出了特征的定义、参数化技术的定义，以及基于特征的参数化设计的定义，并建立了双螺杆磨浆机构的参数化模型，最后运用Pro／TOOLKIT和VC＋＋实现了双螺杆磨浆机构的参数化设计。     

一类半导体方程组整体弱解的存在性

考虑一类半导体方程组的混合初边值问题。利用正则化算子和逼近过程，通过一系列先验估计，在迁移率既不为常数，又不满足速度饱和的条件下，证明了其整体弱解的存在性．     

网络环境下渐开线齿轮的三维参数化造型

论述了基于网络环境下进行渐开线圆柱齿轮三维参数化特征造型的设计思想,将轮齿与轮体分别按特征分类,实现了直齿、斜齿、螺旋齿齿轮三维造型的统一,解决了特殊齿形和齿向曲线实体造型的难点。为其他零件三维建模提供了一种有效实用的方法。     

非晶Fe77.5Si8.5B14合金晶化动力学的非等温方法研究

利用非等温差示扫描热分析法(DSC)研究了非晶Fe77.5Si8.5B14合金的晶化动力学.不同升温速率的DSC曲线表明非晶Fe77.5Si8.5B14合金的晶化过程为两步晶化.通过对不同升温速率的DSC曲线的分析,计算了两个析晶峰的晶化表观激活能E1(388.2 kJ·mol-1)和E2(339.0 kJ·mol-1),以及两个析晶峰的Avrami指数n1(1.7)和n2(3.3).根据动力学参数分析了非晶Fe77.5Si8.5B14合金的析晶机理晶化峰1的成核类型为均匀成核,晶粒生长为扩散控制的一维生长和二维生长;晶化峰2为整体析晶,晶粒生长以界面控制的二维生长和三维生长为主.最后结合表观激活能计算了两个析晶反应的频率因子ν1(4.05×1025)和ν2(1.14×1021).