利用谱线的多普勒展宽测定等离子体离子温度

本文论述了利用研制的谱线线形快速扫描仪测定HT-6B托卡马克等离子体离子温度的原理和方法。通过测定OV2781线的多普勒宽度,得到的离子温度约为40eV。     

电腐蚀法制备n-Bi_2 S_3光电极

电腐蚀法是以金属腐蚀原理为基础的。它是一种极为简便的制备光电报的方法。对于n—Bi_2S_3光电极的制备,只要将镀有铋的金属或导电膜放在电腐蚀液(硫化物电解质溶液)中,加上一定的电压,便可在金属基板或导电膜上形成一层具有光电性的硫化物沉积物,此即n—Bi_2S_3,且有半导体性能,其禁带宽度为1.22ev。它在一定的电解液中具有较好的稳定性,我们对n—Bi_2S_3电极进行了初步的研究,发现在光的长期照射下,光电性基本不变。     

R上Sobo1ev类由二重样本的最优插值

本文研究Sobolev类Wpr在Lρ(R),1相似文献   

综放沿空异形煤柱留巷系统力学场演化规律

研究了不同煤柱宽度时综放沿空异形煤柱锚网支护留巷系统围岩应力分布和破坏特征. 揭示了煤体边缘水平应力和垂直应力峰值不耦合的规律以及巷道顶板应力峰值随煤柱宽度不同而演化的轨迹. 深入探讨了综放沿空留巷岩石力学系统的控制变量,并根据控制变量的取值对系统稳定性区域进行了划分,对不同煤柱宽度时的巷道系统稳定性进行了综合分析和评价,对综放沿空留巷合理护巷煤柱宽度提出了建议. 提出并实施了"以加固沿空异形煤柱为主、悬承锚网支护留巷圈为辅"的综合控制技术.     

Co掺杂对Zn1-xCoxO稀磁半导体光学性质的影响

溶胶-凝胶法制备了Co掺杂的ZnO基稀磁半导体,研究其粉体和薄膜的结构和光学特性.X射线衍射结果表明Co2 随机替代Zn2 位置进入ZnO晶格,并引起晶格常数的变化.紫外-可见透射光谱表明样品的禁带宽度随着Co掺杂浓度的增大呈现非单调变化规律,低浓度掺杂样品的光学带隙随掺杂浓度增大而减小(红移),这是由于Co2 替代Zn2 ,局域d电子与能带电子之间的sp-d交换耦合引起的.     

EDT毛化轧辊表面凹坑形成过程

针对轧辊表面电火花毛化过程中放电中心温度的变化、凹坑形状与电参数的关系等问题进行了研究.通过分析放电通道形成过程和热流密度分布函数,采用解析法建立了单个脉冲放电通道的热传导模型,并运用积分变换法和有限差分相结合的方法进行了温度场求解.讨论了轧辊表面在不同峰值电流下放电区域中心位置的瞬态温度变化,确立了峰值电流和脉冲宽度与熔化凹坑形状的关系.结果表明,理论计算值与实验结果相吻合,所建模型与采用的方法正确,可用于轧辊表面形貌形成过程的仿真.     

基于模糊聚类的PSO-神经网络预测热连轧粗轧宽度

为了提高热连轧粗轧宽度的控制精度,以攀钢热轧板厂实测数据为基础,采用粒子群优化算法训练神经网络并将其用于热连轧粗轧宽度预报,通过模糊聚类分析方法进行数据分析,科学选取学习样本,解决了由于样本多、学习速度慢的问题.实测数据运算表明,这种方法可避免神经网络陷入局部极小,带钢粗轧宽度的预报精度控制在6 mm以内,并且训练速度也有很大程度的改善,神经网络结构也得到优化,具有很大的应用潜力.     

基于图像处理技术的连续配筋混凝土路面裂缝宽度检测方法

针对连续配筋混凝土路面(CRCP)横向开裂的特点、常规测微镜检测裂缝宽度的困难和裂缝宽度检测精度的要求,通过数码相机拍摄高清晰度数码照片,采用计算机图像处理技术进行裂缝图像分析,提出了裂缝宽度的图像识别方法.研究结果表明,该方法是一种精度高且速度快的CRCP裂缝宽度检测技术,从而为CRCP的长期性能研究提供了有效的检测手段.     

沿空巷道煤柱宽度参数的研究与应用

通过对我矿3246沿空机巷煤柱宽度参数的研究,确定了类似地质条件下的煤柱宽度参数,为今后的采区设计提供了理论依据。     

UFPA器件微桥腐蚀工艺的研究

利用硅单晶的各向异性腐蚀技术,研究了UFPA探测器的微桥腐蚀工艺.采用独特的腐蚀装置在厚度为300 μm的硅基片上成功地制备了腐蚀坑深度为260 μm,桥面宽度为2 mm的微桥结构.该装置能有效保护硅基片正面免受腐蚀液的漏蚀,从而可实施热释电薄膜的沉积先于微桥制备的技术线路,对提高器件的成品率具有重要的意义.