电流变机理研究综述

本文全面介绍了电流变材料的发展，包括电流变液、磁流变液和电磁流变液；此外还详细讨论了固相化学和添加刘与电流变响应的关系；指电流变材料的研究方向。作为这篇评论结语介绍限电流应用研究的最新成就。     

PZN—PT—BT陶瓷的铁电弛豫现象

研究了Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ２－ＰｂＴｉＯ３－ＢａＴｉＯ３（ＰＺＮ－ＰＴ－ＢＴ）系陶瓷的介电弛豫、热释电等现象与ＰｂＴｉＯ３含量的关系。探讨了热处理工艺对０．７５ＰＺＮ－０．２０ＰＴ－０．０５ＢＴ陶瓷的结构和性能的影响。运用宏畴－微畴理论对所得的实验现象进行了解释。     

四元数体上的矩阵方程AXB＋CYD=E

利用矩阵的广义逆，研究了含两个未知矩阵的四元数矩阵方程ＡＸＢ＋ＣＹＢ＝Ｅ。得到该方程的相容条件及有唯一解的条件，并在其有解时给出了通解表达式。     

根癌农杆菌的高效电激转化

利用电激法双元载体质粒ｐＢＩ１２１导入根癌农杆菌ＡＧＬ－１并获得较高转化效率。探讨了不同电激条件对转化效率的影响，并检测了ＣａＭＶ３５Ｓ启动子ＧＵＳ基因在根癌农杆菌中的表达。     

智能材料和“智能”材料

论述了智能材料是２１世纪材料发展的趋势和智能材料应用有的面貌，列举了今天智能结构中最突出应用的三类材料，形状记忆材料，电（磁）致流变液体和电（磁）致伸缩材料。     

a—Si1—xNx：H光敏材料的研究

讨论了用射频辉光放电装置制备的掺氮非晶硅光敏薄膜材料的光电特性。结果表明，合理地控制氮气（Ｎ２）与硅烷（ＳｉＨ４）气体的流量比例以及其他有关的工艺参数，能够制备出暗电阻率，光、暗电导率比，光电性能稳定的ａ－Ｓｉ１－ｘＮｘ：Ｈ光敏薄膜材料。     

铁电单晶单畴化温度

经过人工极化的铁电体在铁电相变温度附近有特别大的热释电系数,有可能应用于热能和电能的直接转换而引起了广泛的注意。然而国内外传统采用的热释电系数测量方法在接近样品的居里点时并不可靠,只能给出虚假的数据,其中混杂有反向电畴生长的退极化效应的贡献。最近的实验证明,一个铁电单晶在低于其FE-PE相交点T_c的某个温度T_s以下,人工极化得到的单畴状态才是稳定的。在T_s和T_c之间的温度上,一个自由的铁电单晶将自发     

TU(n,K,h)或Ω(n,K,Q)在GL(nr,F)中的扩群

设K,F是体,KF,将K看作F上的左空间并设dim_FK—r<∞。n维左K-空间V(n,K)可看作F上nr维空间V=V(nr,F),从而作用于V(n,K)上的GL(n,K)被嵌入作用于V(nr,F)上的GL(nr,F).在文献[1]中我们定出了SL(n,K),Sp(n,K)在GL(nr,F)中的全部扩群,它们恰是作用于中间体E(FEK,dim_EK=d)上空间结构V(nd,E)上的线性群或辛群,仅当GL(nr,F)=SL(4,2)时有例外。本文涉及的是酉群TU(n,K,f)或正交群Ω(n,K,Q)在GL(nr,F)中的扩群。我们对Witt指数v(f)≥2     

造山带中旋状变斑晶包裹体痕迹:确定早期变形与变质演化历史的有效途径——以滇西澜沧变质带为例

1 确定造山带早期变形变质史的方法造山带中变斑晶的包裹体痕迹(ioclusion trails)代表了变斑晶生长过程(进变质或退变质过程)中保存在岩石中的、由变质矿物组成的早期面理的痕迹。自本世纪20年代研究以来,这种痕迹一直被认为是韧性变形过程中同构造旋转作用的产物,并作为一种十分确定的、能判断剪切动向的有效标志.近年来,许多国外地质学家对澳大利亚、新西兰及其他造